CN115516627B 在相邻特征之间形成导电管的方法及在相邻特征之间具有导电管的集成组合件 （美光科技公司）

2022.10.19PCT/US2021/0220562021.03.12WO2021/230966EN2021.11.18US2020135724A1,2020.04.30在相邻特征之间形成导电管的方法及在相2第二介电材料，其在所述介入空间内且在所述第一介电材料在垂直横截面中，所述介入空间包含与所述一对大致上平行特征3.根据权利要求1所述的集成组合件，其包括在所述第二介电材料上方的第三介电材平坦化表面通过至少所述第二介电材料与所述特6.根据权利要求5所述的集成组合件，其中所述第一鳍片及所述第二鳍片从所述半导7.根据权利要求5所述的集成组合件，其中所述第一鳍片及所述第二鳍片分别包括第8.根据权利要求7所述的集成组合件，其中所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏9.根据权利要求7所述的集成组合件，其中所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏10.根据权利要求7所述的集成组合件，其中所述第一源极/漏极区相对于所述第二源3连件向下延伸以与所述第一终接端及所述第二终接端中的至4于经图案化特征的紧密间距，在提高集成程度的情况下制造经图案化特征变得愈加困难。将需要开发用于形成经图案化特征及开发利用经图案化特征的新[0003]图1到1B为实例集成组合件的区的视图。图1为沿着图1A及1B的横截面1_1的图解[0006]图7到9为实例集成组合件的区在实例方法的依序处理阶段处的图解横截面侧视5中此类线性结构沿着对应于所示出的x轴方向的第一方向延伸。所述线性特征可为笔直的介电材料28可包括任何合适的组合物，且在一些实施例中可包括以下各者中的一或多者、6[0031]在所展示实施例中，平坦化表面33延伸跨越第二介电材料30及第三介电材料3中通过第二介电材料30及第一介电材料28两[0032]图1到1B的配置的优点为特征12及14可形成于非常紧密的间距P(例如，对应于可[0034]参考图2及2A，组合件10展示为包括特征12及14作为从材料18的柱34向上延伸的体氧化物等；其中术语III/V族半导体材料是指包括选自元素周期表的III族及V族的元素7管路大致上平行于第一特征12及第二特征14而延伸。管路36以及特征12及14在图3中以虚材料30中的空隙32密封到需要或期望额外密封86展示在其中介电材料28及介电材料30各自包括两种或更多种组合物的层压体的实例实施[0054]组合物28a_c可包括上文描述为适合于介电材料28的任何物质，且组合物30a及示管路36通过经由开口38(图4)流动到管路中的一或多种蚀刻剂加宽。如果介电材料30包[0058]图2到5的实施例展示沿着特征12与14之间的空间16的整个长度形成的介电材料9[0064]管路51内的导电材料22形成第一导电管20a，且管路53内的导电材料22形成第二20a可视为具有在绝缘区46的一侧上的第一终接端55a，且管20b可视为具有在绝缘区域46接以将第一导电管20a及第二导电管20b彼此电耦合的特征([0080]在一些实施例中，上文所描述的结构可并入到如参考图21到21B所描述的集成电[0081]图21到21B的组合件10包含经配置为半导体材料18的鳍片的特征12及14，其中此括选自元素周期表的III族及V族的元素的半导体材料(其中III族及V族为旧命名法，且现[0085]沿着第一鳍片12的源极/漏极区S/D可称为第一源极/漏极区，且沿着第二鳍片14[0086]门控结构60a及60b延伸跨越鳍片12及14，其中门控结构沿着所示出的y轴方向延鳍片14包含沿着此类鳍片在所示出的源极/漏极区S/D之间的沟道区66a及66b。沟道区64a[0092]图22A及22B示出实例现有技术逻辑装置，其包括两个NFET装置68a及68b(标记为晶体管T1及T2)以及两个PFET装置70a及70b(标记为晶体管T3及T4)。所示出的装置还包含[0094]图22A的图解示出展示所述组合件可被视为包括六个轨道(标记为轨道1到6)。所[0095]在一些实施例中，可利用根据图1到21的实施例中的一或多者的处理而形成类似于图22A及22B的逻辑装置的逻辑装置，以实现与图22A的现有技术装置相比更高的集成程[0096]图23A展示组合件10，其包括具有两个NFET晶体管68a及68b以及两个PFET晶体管[0097]图23B示意性地示出双NFET双PFET逻辑单元78。图23B的示意性示出与图22B的示[0098]上文关于图22A所描述的六个轨道(轨道1到6)展示为沿着图23A的逻辑单元78的着对应于所示出的x轴方向的第一方向延伸。四个轨道77通过介入空间79彼此隔开。轨道[0101]鳍片80与81可视为通过第一间隙16a彼此隔开，且鳍片82与83可视为通过第二间且导电管20b与鳍片82隔开也小于或等于间距P1的约二分之一的第二[0104]在所示出的实施例中，导电管20a在第一含半导体特征80的与第二轨道相对的侧[0107]第一门控结构60a及第二门控结构60b沿着第二方向(y轴方向)延伸，且与轨道77[0108]第一源极/漏极区S/D_1与第二源极/漏极区S/D_2相对于彼此在第二门控结构60b构60a的对置侧上。第四源极/漏极区S/D_4与第五源极/漏极区S/D_5相对于彼此在第二门控结构60b的对置侧上，且第五源极/漏极区S/D_5与第六源极/漏极区S/D_6相对于彼此在[0109]第一电连接84从第一源极/漏极区S/D_1延伸到第一导电管20a，且第二电连接86从第三源极/漏极区S/D_3延伸到第一导电管20a。第三电连接88从第六源极/漏极区S/D_6O_1)具有沿着第三轨道延伸且经由互连件91a与第[0111]第二输入/输出(I/O_2)具有沿着第二轨道延伸且经由互连件91b与第二门控结构[0115]电容器69展示为沿着连接92电耦合，且因此与第四源极/漏极区(S/D_4)电耦[0116]本文中所描述的导电管20可设置于任何合适的位置中，且可用于任何合适的应征隔开小于所述间距的约二分之一的第二距离。第一电连接从所述第一源极/漏极区延伸接从所述第六源极/漏极区延伸到所述第二导