CN116169091B 一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器 （长鑫存储技术有限公司）

US2018090335A1,2018.03.29US2010144155A1,2010.06.102在所述衬底上形成沿第一方向延伸的第一介质墙和第二介质墙刻蚀所述沟槽内剩余的所述第二介质墙，在所述沟槽内形成间隔设置的第一接触孔；其中，所述刻蚀所述沟槽内剩余的所述第二介质墙，沿所述第二刻蚀图形进行刻蚀，去除所述第三阻挡层，将所述沟介质墙刻蚀形成间隔设置的所述第一接触孔；所述第二刻蚀图形为所述第二掩膜上的凹在所述沟槽内形成第一导电层；所述第一导电层填充所述第在所述第二阻挡层上形成第一掩膜；所述第一掩膜包括沿所述第二3对所述硬掩膜层进行回刻，去除所述硬掩膜层的顶部直到暴露所述以所述第一中间结构为掩膜，按照刻蚀速率比刻蚀所述第一介质墙和所述第二介质所述刻蚀速率比包括：所述第一介质墙的材料与所述第二介质墙的材沉积所述金属层；所述金属层覆盖所述金属隔离层在所述第一导电层上，形成第一隔离层；所述第一隔离层在所述第一导电层上，沉积第四阻挡层；所述第四阻挡研磨所述第四阻挡层，直到暴露所述沟槽外剩余的所述第二介质4高选择比刻蚀所述导电介质，直到所述导电介质的高度低于所述第二接触孔的顶部，5[0003]现有的半导体结构越来越难以满足发展的需要，半导体[0004]本申请实施例期望提出一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储67术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范里描述的本申请实施例能够以除了在这里图示或描述技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述本申请实施例的目的，电压能够控制晶体管的开启与关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，8[0075]图1是本申请实施例提供的半导体结构的制备方法的一个可选的流程示意图，将沿第一方向X延伸的第一介质墙11和第二介质墙12，第一介质墙11和第二介质墙12交替分9在第三阻挡层上形成第二掩膜。图20A和图20B分别为俯视图和前视剖面图，如图20A和图导体设备在第一导电层15的两侧还可以形成与第一介质墙11的材料相同的第二隔离层17，质90的高度低于第二接触孔18的顶部，显露出沟槽外剩余的第一介质墙11和第一隔离层以及在刻蚀中对不需要刻蚀的区域进行保护。图11A和图11B分别为俯视图和前视剖面图，一阻挡层20和第二阻挡层30的材料可以包括：SiON(氮氧化硅)和SOH(Spin_onHar二阻挡层30上形成第一掩膜40，第一掩膜40的形状表征为沿第二方向Y延伸的第一刻蚀图[0113]在本申请实施例中，如图13A和图13B所示，半导体设备可以先采用ALD(Atomic一中间结构201的间隙处，第一介质墙11和第二介质墙12被刻蚀形成了沟槽13；在沟槽13剩余的第一介质墙11遮挡住了剩余的第二介质墙也能够借助心轴301形成了关键尺寸更小的沟槽13，扩展了半导体设备所能达到的工艺尺13内剩余的第一介质墙11的高度占沟槽13成如图21A和图21B所示的第二中间结构501；第二刻蚀图形601被转移到了第二中间结构材料选用不同的刻蚀速率比进行多次刻蚀，从而控制第二中间结构501上的第二刻蚀图形[0156]在本申请的一些实施例中，可以通过图22示出的S401～S403来实现图5示出的[0165]在本申请的一些实施例中，可以通过图25示出的S501～S502来实现图5示出的[0181]在本申请的一些实施例中，可以通过图30示出的S601～S603来实现图5示出的图31B分别为俯视图和前视剖面图，如图31A和图31B所示，导电介质90填满了第二接触孔