CN118448461B 一种新型超结sgt mosfet器件及其制备方法 （三江学院）_第1页
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一种新型超结SGTMOSFET器件及其制备方法本发明公开了一种新型超结SGTMOSFET器超结P柱区上方设有上层P柱区，上层P柱区内嵌蔽栅和栅氧化层。本发明进一步降低了导通电2槽中设有控制栅和屏蔽栅，以及位于深沟槽侧壁和底部且隔离控制栅和屏蔽栅的栅氧化器件两侧具有贯穿隔离氧化层和N+离子注入的源区并延伸至P阱的孔深沟槽朝向漏极接触金属层的一侧与漏极接触金属层之间的间距不大于下层超结P柱上层P柱区的掺杂浓度在2E15以下，下层超结P柱区和超结N柱区的掺杂浓度在5E15以2.一种权利要求1的新型超结SGTMOSFET器件的制备方法，其特征在于：包括如下步剩下的高浓度N型掺杂层形成了超结N柱区；接着在超结N柱区上方的深沟槽中进行氧化层3S9：分别在各P阱中进行离子注入重掺杂的N型杂质，3.根据权利要求2的一种新型超结SGTMOSFET器件的制备方法，其特征在于：步骤S24标。图1示出了传统的以TrenchMOSFET为代表的功率MOSFET器件结构，该结构与传统的[0003]但是随着器件击穿电压值向200V及以上增大，仅仅依靠沟槽深度的增加很难实氧化层被击穿。则如何解决低比导通电阻与高击穿电压之间的矛盾，成为了沟槽型功率56[0030](1)本发明中的超结区未采用多次外延、多次离子注入形成纵向交替的P柱区和N[0031](2)本发明通过带有多阶梯形的屏蔽栅和阶梯形状的栅氧化层，可以增大器件处[0032](3)本发明中控制栅的底部开口处采用湿法刻蚀出倒等腰梯形，再进行导电介质[0033](4)本发明中控制栅和屏蔽栅之间的介质层采用对多晶硅进行热氧化的方式，生7[0047]两个上层P柱区6(即P一电压支持层)，一一对应式位于两个下层超结P柱区7的上梯形，所述屏蔽栅10的底部呈多阶梯形；控制栅9与屏蔽栅10之间采用栅氧化层11进行隔8个贯穿高浓度N型掺杂层上下表面的深槽，接着分别对两个深槽中进行CVD淀积(化学气相9[0076]控制栅9和屏蔽栅10之间的介质层采用对多晶硅进行热氧化的方式，生长一层氧

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