建筑装饰-洁净室专题（二）：从存储研判洁净室远期空间

洁净室专题(二):从存储研判洁净室远期空间##建筑装饰最近12月市场表现1.《继续看好绩优/红利/核电模块/洁净室》2.《继续重视高性价比建筑绩优股及核电模3.《华龙一号2.0核准重点推荐利柏特》我们对存储产品的需求侧及现有主流存储厂商规划项目的梳理，我们判断若按期投产并顺利爬坡的情况下，2028年HBM供给偏紧的格局有望持续，空间扩容主要来源于1)AI服务器出货量维持稳健增长带来的新一轮扩产；AI服务器是贡献存储需求的主要终端，且单台服务续提升。以NVIDIADGX系列AI服务器为例，B300HBM容量达到H100的3.6倍，全球HBM需求量预计由2025年的2594MGB增至2028年的※供给端：2027-2029为DRAM、NAND扩产高峰。据TrendForce数据，全球DRAM投片产能预计由2025年的196.6万片/月增至2026年的218.1万能；HBMTSV晶圆加工产能预计由2025年的36.5万片/月增至2026年的47.1万片/月，2027年多个先进封装项目将陆续投产；NAND投片产2025年的136.5万片/月降至2026年的133.0万片/月，2027年主要依靠现有厂房提产，2028—2029年再逐步转向新厂投产。※远期洁净室市场空间主要来源于AI服务器、先进制程、工艺升级等。远期来看，1)若假设，2027年及之后AI提升封装内部逻辑芯片、HBM、I/O及中介层的集国市场数据，洁净室单位造价由ISO8的150—250美元/平方英尺提高至ISO4及更高等级的800—1500美元/平方英尺以上。谨请参阅尾页重要声明及财通证券股票和行业评级标准1存储行业高景气下，DRAM及NAND市场规模快速扩张 42存储芯片将由近期整体偏紧转向远期结构性紧缺 82.1需求侧来看，AI基础设施扩张与升级推动需求增长 82.2供给端来看，综合型存储厂商的产能配置向DRAM倾斜 2.2.1DRAM新增产能将于2028—2029集中释放，HBM或挤压普通DRAM供给 2.2.2NAND投片产能短期小幅下降，2027年起进入产能爬坡释放期 2.2.3工艺升级推动新建产能单位投片产能投资额增加 2.3供需格局：存储市场短期仍将维持供给偏紧 3远期来看，洁净室的增量在何处 3.1需求侧带动量增：AI服务器持续高景气支撑远期核心部件扩产需求 3.2先进封装技术升级拉动先进逻辑、HBM和高等级洁净空间 203.3价值量提升：工艺升级下单位投资额有望提升 224风险提示 图1:存储芯片可分为易失性存储器和非易失性存储器 4图2:DRAM、NANDFlash下游应用 6 6 6图5:2026Q1DRAM前三大厂商收入份额合计达89% 7图6:2026Q1NAND市场形成六家头部厂商竞争格局 7 7 8 8图10:AI服务器通过多颗GPU协同提供算力 9图11:AI服务器出货量增速快于整体服务器(同比) 9图12:2028年HBM需求量将增至2025年的约3.8 9图13:AI推理驱动数据中心NAND需求快速增长 图14:DRAM投片产能预计于2028—2029年加速增长 图15:HBM投片占比持续高于存储容量占比 图16:存储芯片设备投资额随工艺升级增加 图17:2026年DRAM主要厂商实际投片量同比增长5.9%(万片/年) 18图19:2025年AI服务器出货量达209万台同比+24% 图20:AI服务器价值构成 20图21:Terafab超级芯片工厂效果图 22图22:芯片工艺升级需要控制更多种类的空气分子污染物 表1:存储芯片不同种类各有侧重 5表2:自2025Q4,DRAM和NAND价格快速上涨(环比) 7表3:随代际/架构升级，AI服务器HBM容量持续提升 9表4:DRAM产能高度集中于头部厂商 表5:DRAM2027-2030年新增产能统计 表6:HBM产能2026年预计同比增长29.0% 表7:各厂商正积极推进HBM先进封装产能建设 表9:NAND2027-2030年新增产能统计 表12:2026-2030年预计GPU及配 20表13:玻璃基板已有众多产能规划 21表14:DRAM工艺升级对微小颗粒控制提出更高要求 表15:洁净室单位造价随洁净等级提高而上升 23谨请参阅尾页重要声明及财通证券股票和行业评级标准存储芯片是电子设备实现数据保存和调用的基础。在各类电子设备中，CPU、GPU等处理器负责完成运算，存储芯片则用于保存程序和数据，并在设备运行过程中向处理器提供所需信息。随着AI训练和推理带动数据处理量快速增长，算力系统不仅需要性能更强的计算芯片，也需要更高带宽、更大容量的存储产品与之配套。相关需求推动主要半导体企业加快扩产，据我们上篇报告《洁净室报告(一):海外半导体资本开支梳理》,存储已成为本轮半导体资本开支最重要的增量方向之一。存储芯片类型多样，不同产品各有侧重。按照断电后数据能否保留，存储芯片可分为易失性存储器和非易失性存储器。非易失性存储器在断电后仍能保留数据，并以Flash为主。根据《国际器件与系统路线图》(2024),Flash覆盖超过99%的非易失性存储应用场景。Flash可进一步分为NANDFlash和NORFlash:1)NANDFlash适合存储大量数据，是SSD和手机存储的核心介质；2)NORFlash适合保存设备启动程序和固件。图1:存储芯片可分为易失性存储器和非易失性存储器静态随机存取存储器非易失性存储器Non-volatileMemory(NVM其他非易失性存储器与非型闪存或非型闪存谨请参阅尾页重要声明及财通证券股票和行业评级标准表1:存储芯片不同种类各有侧重要持续供电即可保持，无需刷新低在CPU与主存之间充当高速缓冲区，暂存处理器频繁访问的数据数据以电荷形式保存在电容中；电荷会逐渐泄漏，因此必须持续刷新易失性作为CPU运行程序时的主要工作区通过俘获电荷保存数据，断电后仍可长期保留；存储单元采用串联结构顺序读写较快，随机读取较慢随机读取较快，DRAM与NAND通过不同产品形态覆盖服务器、PC、移动终端等主要应用场景。DRAM根据不同计算平台对带宽、功耗、容量及成本的要求，形成差异化产品系列。1)DDR兼顾存储容量、运行性能和成本，主要作为PC及服务器的系统内存；2)LPDDR功耗较低，有助于延长电池续航，主要用于智能手机等移动终端；3)GDDR的数据传输速度较快，适合处理图形渲染和并行计算任务，主要应用于显卡；4)HBM能够在短时间内传输大量数据，主要配套AI加速器和高性能计算系统。NAND主要形成SSD和管理型NAND两类存储产品。1)SSD通常以独立设备或模组形式接入系统，面向更大容量和更高性能的存储需求，可进一步分为企业级、客户端及汽车端产品：企业级SSD更强调大容量、持续读写性能及可靠性，主要用于数据中心及AI服务器；客户端SSD兼顾读写性能和成本，主要作为PC的数据存储设备；汽车端SSD通过宽温设计，注重可靠性和耐久性，应用于车载系统。2)管理型NAND通常以芯片封装形式直接集成于终端主板，更强调小型化、低功耗和集成便利性，主要包括UFS和eMMC:UFS读写速度较快、功耗较低，主要用于智能手机等移动终端；eMMC结构相对简单、成本较低，主要用于入门级移动终端以及汽车、工业设备。在同一计算系统中，DRAM主要承担高速数据访问和临时存储，NAND主要承担大容量持久化存储，二者共同构成服务器及智能终端的核心存储体系。主要产品形态主要产品形态单个时钟周期传输两次数据，提升有效带宽低功耗设计，兼顾性能并降低能耗与发热通过较高单针速率实现高带宽数据传输兼顾性能、容量与成本宽温设计，强调可靠性与耐久性UFSUniversalF高速、低功耗入门终端、工业、车载系统显卡、游戏主机NAND+控制器+固件集成于单一封装，内部完成介质管理与纠错NAND+控制器+固件形成独立设备/模组智能手机、平板电脑从占比来看，据Yole集团(2024年)测算，DRAM和NAND收入在2025年独立式存储市场中占比分别约64.5%和32.5%,合计达97%;从收入规模来看，据TrendForce数据，2025年全球DRAM和NAND销售收入分别同比+302.8%、+280.6%至6187亿和2706亿美元。图3:2025年DRAM、NAND是独立式存储市场主体图4:2026年DRAM与NAND收入合计8893亿美元价格端来看，2025年各季度DRAM价格表现均环比+50%—55%、+33%—38%。主要系AI服务器带动HBM、DDR等DRAM产分别环比+80%—85%、+85%—90%,价格快速上涨DRAM(含HBM)数据来源：TrendForce,财通证券研究所较大，行业历经多轮周期波动与产能整合后，市场份额逐步向三大原厂集中。根据CounterpointResearch数据，2026Q美光的收入份额分别为38%、29%和22%,CR3约89%;作为DRAM的重要产以58%的收入占比占据主要市场份额；相比之下，NAND产品形态和下游应用更为多元，加之铠侠与闪迪采用联合生产、独立销售模式，市场形成六家头部厂商较为均衡的竞争格局。美光，22% SK海力士，图7:2026Q1SK海力士占HBM市场收入份额的58%58%2存储芯片将由近期整体偏紧转向远期结构性紧缺存储芯片终端需求主要为服务器、移动设备、PC、智能汽车等，终端市场的发展及其存储配置变化共同影响行业需求规模。Omdia数据，以终端搭载量计，2025年DRAM需求为40157MGB,其中服务器2025—2030年CAGR约19.4%。其中，服务器需求增至69340MGB,CAGR为28.3%,占比提高至71.2%,贡献同期需求增量的86.2%。移动设备、个人电脑和一步向服务器集中。服务器移动设备1智能汽车1其他图9:服务器DRAM需求占比持续提高服务器包括DDR和HBM:1)DDR位于CPU侧，承担系统运行、任务调度和数据处理所需的内存功能；2)HBM主要配置于AI服务器的GPU、ASIC等加速芯片侧。以NVIDIADGXH100为例，单台系统配置8颗H100加速器，每颗搭载80GBHBM,整机HBM容量合计640GB。AI计算需要在加速器与内存之间频繁传输大2304GB,为DGXH100的3.6倍。图10:AI服务器通过多颗GPU协同提供算力整机HBM容量(GB)AI服务器带动HBM需求规模快速扩张。随着AI训练规模扩大和推理应用加快器出货量同比约+31%,高于整体服务器约+17%的增速。在AI服务器出货量增加据，HBM需求量将由2025年的2594MGB增至2028年的9783MGB,2025—2028年CAGR约55.7%。2026年—2028年分别同比+73.5%、+61.0%和+35.0%,需求图11:AI服务器出货量增速快于整体服务器(同比)31%24% 图12:2028年HBM需求量将增至2025年的约3.8倍数据来源：BristlemoonCapital,财通证券研究所NAND需求量将由2025年的997EB增至2028年的1807EB,2025—2028年CAGR约22%。其中，数据中心需求将由295EB增至909EB,CAGR约46%,同推理场景扩容助推企业级SSD需求提振，数据中心NAND需求主要对应服务器及存储系统使用的企业级SSD。据TechInsights数据，2025—2028年推理场景NAND需求CAGR约86%,明显高于训练场景和传统应用的16%。随着AI应用由模型训练向大规模在线推理延伸，数据中心需要持续读取和保存的数据规模不Source:TechlnsightsInc.NAND面向数据中心的闪存市场PC/智能手机市场持平或小幅下滑Source:TechlnsightsInc.NAND总体来看，AI服务器出货增长与单机存储配置升级共同推动存储需求扩张。据TrendForce测算，AI服务器占服务器出货量的比重将由2025年的15%以上提升至2028年的接近20%。AI服务器渗透率提升扩大了高内存配置服务器的数量，单机DDR和HBM搭载量同步提高。围绕AI计算建设的数据中心存储系统亦需要配置更多企业级SSD。相比之下，在AI需求强劲和存储供给偏紧的共同作用下，存储价格上涨将延缓手机、PC等消费终端的单机容量升级，并对终端出货形成一定压力，消费端DRAM和NAND需求增长相对温和。2.2供给端来看，综合型存储厂商的产能配置向DRAM倾斜DRAM与NAND的供给能力主要以晶圆投片产能衡量。存储芯片生产从晶圆投片开始，投片产能是指晶圆厂在正常条件下每月最多能够投入加工的晶圆数量，通常统一折算为12英寸晶圆并以万片/月表示。由于不同产品的单颗容量和裸片面积存在差异，直接比较芯片颗数缺乏可比性，投片产能能够较为统一地反映不同厂商和产线的生产能力。新厂投产、设备导入和产线爬坡则共同决定未来投片产能的释放节奏。计由2025年的196.6万片/月增至2026年的2公司DRAM12英寸等效投片产能(万片/月)总计数据来源：TrendForce,财通证券研究所后续扩产节奏来看，DRAM现有产线爬坡与大型新厂建设同步推进，但产能释放节奏仍存在一定不确定性。三星后续扩产主要集中在华城、平泽和龙仁三大基地，其中龙仁半导体集群首座Fab计划于2029年投入运行，整个集群规划建设六座晶圆厂，是公司中长期扩产的重要项目；SK海力士新增产能以龙仁Fab1为主，清州M15X提供近期增量；美光新建及扩建项目分布于日本、中国台湾和美国，产能释放相对均匀；长鑫上海新厂规划体量较大，但2027年实际增量仍取决于项目爬坡速度，若项目推进较快，长鑫将成为2027年最主要的产能增量；此外，其他厂商同期陆续推进扩产项目，其中晋华目前产能约3万片/月，2026年底按照6万片/月规模配置设备，预计2027年新增产能约3万片/月，现有洁净室远期可支持约12万片/月，后续仍有约6万片/月扩产空间。11公司程能力提高产能混合生产，先导入DRAM生产线466片/月提升至8万片/月1212028年导入设备，2030年满产纽约Fab1纽约Fab255台湾省铜锣Fab1台湾省铜锣Fab24上海一期投产满产约40~60万片/月3投产3月扩产空间能总体来看，DRAM新增产能将于2028—2029集中释放。根据我们已统计的项目万片/月增至2030年的357.6万片/月，CAGR约12.7%。其中，2028年和2029年分别新增55.0万片/月和50.2万片/月，主要安排看，若后续无新增项目接续，2028—2029年或为本轮产能释放高峰，2030年图14:DRAM投片产能预计于2028—2029年加速增长Dram12英寸等效投片产能(万片/月)2029E2030E据TrendForce数据，HBMTSV晶圆加工产能预计由2025年的36.5万片/月增至2026年的47.1万片/月，同比+29.0%;其中，三星、SK海力士和美光合计占2026年产能的95.5%,SK海力士和美光合计贡献同期产能增量的89.6%;长鑫和南亚公司120数据来源：TrendForce,EETimes,财通证券研究所2027年多项HBM先进封装项目投产，其产能有望逐步增长。HBM扩产需要DRAM晶圆制造与先进封装能力同步提升，各厂商正积极推进先进封装产能建设。三星计划在牙山建设5条HBM先进封装产线，新厂将配置约3.1万平方米洁净室，并同步扩充和改造天安HBM相关设备，进一步强化后段生产能力。SK海力士在韩国清州和美国印第安纳州建设先进封装基地，其中清州P&T7晶圆测试 (WT)产线计划于2027年10月建成并释放产能，而晶圆级封装(WLP)产线计划将于2028年2月建成；美光推进新加坡HBM先进封装工厂建设，投产后将与中国台湾现有HBM生产形成协同效应；长鑫上海HBM后段封装厂计划于2026年底投产，HBM晶圆初期产能预计约3万片/月。随着前述项目陆续投产，2027年HBM封装能力有望显著提升，并推动HBM产能加快扩张。公司投产印第安纳HBMAP投产投产投产数据，HBM占三大原厂DRAM投片量的比例预计由2025年的18%升至2026年的22%、2027年的约30%,同期其形成的存储容量占DRAM总供给的比例分别约为8%、9%和13%。按上述占比近似测算，生产相同存储容量的HBM所需晶晶圆资源将向HBM倾斜，普通DRAM的可用供给空间相25%22%三星华城Fab12改造转为生产DRAM,2026年NAND投片产能预计小幅下降。据TrendForce数据，NAND12英寸等效投片产能预计由2025年的136.5万片/月降至2026年的133万片/月，同比-2.6%。其中，三星产能由40万片/月降至31万片/月，主要系华城Fab12于2026年逐步停止2DNAND生产，并改造为配套Fab15的DRAM晶圆制造后段产线；铠侠与闪迪月和4万片/月，对三星产能下降形成部分抵消。表8:2026年NAND投片产能小幅下降公司NAND扩产将由现有厂房提产逐步转向新厂投产。三星平泽P5计划配置部分NAND产线，但该厂同时承担DRAM生产，NAND产能将根据市场需求灵活调整，具体规模尚未确定；美光新加坡新厂规划洁净室面积约70万平方英尺，超过现有Fab10A与Fab10X合计约50万平方英尺，投产后将显著扩充美光在新加坡的NAND制造空间；铠侠与闪迪近期将以提升现有厂房产能为主，铠侠表示现有厂房预计可满足至2029年的需求，公司已启动北上K3建设评估，以承接2030年以后的新增需求；长江存储除武汉三期项目外还规划两座新厂，若三座新增工厂全部满产，公司总投片能力有望较目前提升一倍以上。从项目节奏看，2027年多座现有厂房进入产能爬坡阶段，NAND产能有望得到较大补充，远期产能释放则主要依赖新建晶圆厂投产。表9:NAND2027-2030年新增产能统计公司 平泽P5Fab2混合生产厂清州M17大连Fab2投产投资约567亿美元V8系列(238层)70万平方英尺洁净室四日Fab7目前利用率50%北上K3投产武汉三期满产超过3万片/月厂商对DRAM的投入力度明显高于NAND。据TrendForce测算，全球DRAM资本开支同比+14%,高于NAND的+5%。其中，三星华城Fab12停止2DNAND生新厂项目均将推进，但综合型厂商新增产能仍以DRAM为主。三星平泽P5首期纽约项目亦主要面向先进DRAM。NAND扩产项目主要包括SK海力士清州M17和美光新加坡新厂，铠侠与闪迪、长江存储等专注NAND的厂商也在推进现有厂房提产及新项目建设。2.2.3工艺升级推动新建产能单位投片产能投资额增加从上述项目看，存储厂商资本开支主要用于新增产能建设和既有产线升级。前者直接扩充厂房、洁净室及设备规模，后者主要用于节点迁移、设备升级和产品转换，两类投入对投片能力的影响并不相同。数据，按新建10万片/月产能口径，1YDRAM和9X层3DNAND的晶圆制造设备投资均约70亿美元。工艺演进至1bDRAM和2XX层3DNAND后，均提高至约90亿美元，增幅约29%。HBM还需增加TSV加工和堆叠封装投入，资本开图16:存储芯片设备投资额随工艺升级增加老旧产线升级下，单位投片产能对应投资额可能进一步增加。节点迁移和设备升级能够提高工艺水平，但先进节点通常需要更多加工步骤，既有设备重新配置后每月可处理的晶圆数量可能减少。以美光为例，公司将部分旧节点NAND设备转用于先进节点，相关节点转换使2025财年末NAND晶圆产能较上年末结构性减少约10%。和美光实际投片量合计由2025年的1716万片增至2026年的1816.5万片，同比入和产线爬坡，厂商短期主要通过生产优化和制程原厂库存已处于极低水平，反映有限的投片增量较快被市场需求吸收，短期供给图17:2026年DRAM主要厂商实际投片量同比增长5.9%(万片1年)2026E数据来源：SeoulEconomicDaily,Omdia,财通证券研究所DRAM供需增速错配预计延续至2027年，有望在2028年得到阶段性缓解。从增速对比看，2025、2026年DRAM需求分别同比+39.8%、+27.8%,同期投片产能分别同比+8.4%和+10.9%;2027年需求预计同比+19.2%,仍高于投片产能的+10.2%,行业供给偏紧格局预计延续。2028年随着三星平泽P5、SK海力士龙仁Fab1及美光相关项目逐步释放，投片产能预计同比+22.9%,超过同期需求增速+17.6%。若相关项目按期推进，供需压力有望阶段性缓解。同存储容量的HBM3E所需晶圆约为DDR5的3倍。制程升级则能够提高每片晶超过30%。因此，上述增速对比主要用于判断供需变化方向，不能直接等同于供图18:DRAM供需增速阶段性错配数据来源：各公司公告，TrendForce,Omdia,财通证券研究所HBM需求增长仍将快于供给释放，2027年供需偏紧格局预计延续测算，2027年HBM出货位元预计同比+50%—60%,仍不足以满足需求增长。HBM供给偏紧已开始影响AI芯片的配置方案，部分厂商正考虑降低单颗AI芯片的HBM搭载容量，以有限供给支持更多芯片出货。虽然2027年新增先进封装能力将陆续释放，但HBM有效供给还受DRAM晶圆分配、产品验证、良率和产线爬坡等因素影响，部分新增产能要到2028年才能形成显著产出。随着前道和后段产能进一步释放，HBM供需关系届时有望逐步缓解。NAND供给紧张预计延续至2027年上半年，下半年有望逐步缓解。2026年AI数据中心需求快速增长，而NAND投片产能小幅收缩，综合型厂商新增资源又更多投向DRAM,供给扩张相对有限。据TrendForce数据，2027年NAND供给增速有望超过需求增速，供给改善主要来自制程升级、部分厂总体来看，存储市场短期仍将维持供给偏紧。AI基础设施建设持续推动服务器DRAM、HBM及企业级SSD需求增长，而新建晶圆厂和先进封装项目从建设到产能释放需要较长周期，供给端短期难以快速响应。中长期看，现有规划项目将逐步补充供给，若AI发展带动相关存储需求增速超出预期，现有产能规划仍可能难以满足需求，厂商启动或加快新一轮扩产的必要性将进一步提高。产品需求端供给端供需格局器贡献DRAM需求增量的86.2%。HBM搭载量提升共同推动需求扩张，2025—2028年需求CAGR约供给受DRAM晶圆、2028年数据中心NAND需求CAGR2027年主要依靠现有厂房爬坡，程升级、现有厂区扩产及新设备导数据来源：TrendForce,财通证券研究所3远期来看，洁净室的增量在何处场维持稳健增长，出货量从2022年约86万台增长至2025年约209万台，期间CAGR达34.4%。AI服务器需求激增亦显著带动了上游AI加速卡、存储、高速PCB等核心部件需求，据我们上篇报告对上游主要半导及晶圆厂商2026年以来资本开支规划整体显著抬升，且目前众多新规划厂商加速落地，预计2027-2028年有望集中投产。图19:2025年AI服务器出货量达209万台同比+24%45%5035%数据来源：TrendForce,财通证券研究所代的基础设施，与传统服务器在架构与性能上存在显著差异。从成本端来拆分，AI服务器的核心部件主要包括：1)AI加速器，主要为GPU/ASIC+HBM,负责大主要承担任务调度、指令下发、数据集与模型权重读写缓存，保障加速器获得充远期来看，若AI服务器出货量维持增长，则存储及晶圆代工厂商仍有扩产空间。以英伟达DGX系列AI服务器为例，主要机型通常配置8颗GPU和2颗CPU,每颗GPU均配套HBM,系统内存DDR容量约为1—4TB。根据TrendForce预测，2026年AI服务器出货量增速约31%。若假设，2027年及之后AI服务器增量维持在20%的水平，则2028年后，预计AI服务器带来的GPU及配套HBM有望维持相同增速，预计2030年较2028年存在的GPU及配套HBM需求缺口约1386万颗。因此远期来看，若AI服务器增速保持一致，则仍存在较大需求缺口，除存储之外，台积电、格芯、UMC等晶圆代工厂商则仍有进一步扩产需求。表11:英伟达DGX系列AI服务器配置2×IntelXeon6776P默认2TB,最高4TBAI服务器出货量(万台)对应HBM、GPU颗数(万颗)除存储芯片外，随着先进封装技术逐步落地，行业资本开支有望迎来新的增量。不同于传统单品类芯片扩产逻辑，玻璃基板、CoWoS、SoIC、混合键合、Chiplet等先进封装技术通过提升封装内部逻辑芯片、HBM、I/O及中介层的集成密度，拉动前道晶圆制造与后段封测环节协同扩产。以玻璃基板为例，Intel将其定义为下一代先进封装载体，可有效提升互连密度、支撑大尺寸封装，Absolics等企业也已启动美国本土产能建设。展望后续，若AI加速器持续向大尺寸Die、更高HBM堆叠、多Chiplet集成方向迭代，先进封装或将由当前局部产能瓶颈走向系统性产能扩建，接力存储赛道，成为半导体洁净室需求的重要驱动力量。从传导路径看，玻璃基板有望直接拉动基板制造、封装载板、先进封装和测试环节，而非立即形成大面积晶圆代工扩产。其对前道产能的影响更多体现为封装能力打开后，AIASIC/GPU可继续放大单芯片系统规模，进而带动先进逻辑、HBM及部分特殊工艺投片需求。TSMC年报中亦将先进制程、先进封装和3D堆叠作为满足AI及HPC需求的重要技术方向，并持续推进CoWoS、InFO、SoIC等平台。由此看，先进封装不是替代晶圆厂扩产，而是成为先进制程产能扩张持续兑现的关键配套。时间节点一期：年产12,000m;二期：年产72,000m²2027年量产一期2.4亿美元，二期3.6亿美元，补贴7,500万美元印度奥里萨邦Bhubaneswar-未披露2026年5月29日签署MoU,建设周期5-6年，预计2031-2032年投产33亿美元韩国京畿道平泽市艺稳定和质量验证2027财年下半年建立供应体系；2028年起正式运行/规模量产合资规模约4821亿韩元(三星电机元现金+800亿韩元实物，持股台积电(CoPoS路线)中国台湾省嘉义AP7厂(P4/P5);美国亚利桑那510mm或750×620mm等2026年2月启动设备交付；预计2028年底至2029上半年量产资约100-150亿新台币中国大陆(未披露具体城市)元(2022年)+试此外，马斯克推动的Terafab项目可作为另一类潜在需求期权。Terafab项目面向Tesla、SpaceX及xAI的车端AI、机器人、卫星/太空数据中心等算力需求，规划方向包括逻辑、存储、封装和测试的一体化制造。若项目落地，其本质是下游应用巨头为保障AI算力芯片供给而向制造端纵向延伸，可能带来新的本土化晶圆制造及封测洁净室资本开支。不过目前技术路线、投资节奏、客户外溢性仍不明确，短期更适合作为远期增量观察变量，而非纳入确定性测算。图21:Terafab超级芯片工厂效果图和边缘AI芯片，推动先进逻辑代工需求从GPU向更多定制芯片扩散；2)CPO/设；3)全球供应链本土化和先进节点迭代，推动美国、日年分别同比增长25