CN119403772A 调节氮化硅基板的热传导率及抗弯强度的方法 （Oci有限公司）

2024.12.20PCT/KR2023/0082452023.06.15WO2023/249321KO2023.12.28调节氮化硅基板的热传导率及抗弯强度的本发明涉及一种调节氮化硅基板的物理性板的抗弯强度与上述氮化硅基板中的镁的残留2通过将至少一个上述片材夹在下板与上板之间来形上述氮化硅基板的热传导率与上述氮化硅基板中的调节上述氮化硅基板中的镁的残留量的步骤包括调节上述上述烧结工艺的温度调节为1700℃至2000℃,上述氮化硅基板中的镁的残留量随着上述烧结调节上述氮化硅基板中的镁的残留量的步骤包括调节上述氮化硅基板中的镁的残留量随着上述片材的调节上述氮化硅基板中的镁的残留量的步骤包括调节上述陶瓷添加剂中镁与钇的原上述氮化硅基板中的镁的残留量随着上述原通过将至少一个上述片材夹在下板与上板之间来形上述氮化硅基板的抗弯强度与上述氮化硅基板中的3调节上述氮化硅基板中的镁的残留量的步骤包括调节上述上述烧结工艺的温度调节为1700℃至2000℃,上述氮化硅基板中的镁的残留量随着上述烧结氮化硅基板中的镁的残留量的步骤包括调节上上述氮化硅基板中的镁的残留量随着上述片材的调节上述氮化硅基板中的镁的残留量的步骤包括调节上述陶瓷添加剂中镁与钇的原上述氮化硅基板中的镁的残留量随着上述原4[0002]具有高电绝缘性及热导率的陶瓷材料可以用作快速传递从器件产生的热量的热板的热传导率与上述氮化硅基板中的镁的残[0010]根据本发明的另一概念，调节氮化硅基板的抗弯强硅基板的抗弯强度与上述氮化硅基板中的镁的残留量可以[0012]本发明发现决定最终制备的氮化硅基板的物理性质(热传导率及抗弯强度)的最5[0013]图1为用于说明本发明实施例的调节氮化硅基板的热传导率和/或抗弯强度的方除非上下文中特别说明，否则单数形式包括复数形式。对于说明书中使用的“包括[0026]图1为用于说明本发明实施例的调节氮化硅基板的热传导率和/或抗弯强度的方备氮化硅基板的步骤S100及调节氮化硅基板中的镁的为本发明一实施例，氮化硅基板中的镁(Mg)的浓度可以与氮化硅基板的抗弯强度成正比。6[0033]可以通过使用混合装置混合第一混合物MI1来将上述陶瓷粉末均匀地混合在第一钇粉末和氧化镁粉末均匀地混合在第一混合[0036]上述氧化钇(Y2O3)相对于陶瓷添加剂SA的质量比可以为0.3至0.5。上述氧化镁[0039]可以通过在第二容器CON2的溶剂SV中添加氮化硅(Si3N4)粉末(SNP)SA及分散剂DIS来准备第二混合物MI2。陶瓷添加剂SA可以通过上述第一步骤(S110)来准[0041]当第二混合物MI2中的陶瓷添加剂SA的含量大于10wt％时，所制备的氮化硅基板[0042]可以通过对第二混合物MI2进行第一球磨(ballmilling)工艺来均匀地混合第二7烯醇缩丁醛(polyvinylbutyral，PVB)。塑化剂PL可以包括邻苯二甲酸二丁酯(Dibutylphthalate)或邻苯二甲酸二辛酯(Deoctylphthalate)。所添加的塑化剂PL的质量可以为通过第二球磨工艺均匀地混合第三混合物MI3来形成浆料SL(S120)。第二球磨工艺可以与[0046]参考图2及图4c，可以通过老化通过第二球磨工艺形成的浆料SL来从浆料SL中去[0053]可以对层叠片材SSH加压。上述加压工艺可以利用温等静压机(WarmIsostatic8(PLT2)及插入它们之间的层叠片材SSH。准备层叠结构体SS的步骤可以包括以在下板(PLT1)与板(PLT2)之间插入两[0059]参考图2及图8，可以对在第五步骤(S150)中准备的层叠结构体SS进行脱脂工艺[0062]可以通过加热坩埚CRU来对层叠结构体SS进行烧结工艺(S170)。由此，层叠片材考图9进行说明的烧结工艺(S170)的温度可以调节为1700℃至2000℃之间的温度。在此情况下，层叠片材SSH中的镁(Mg)的挥发量(即，去除量)可以随着烧结工艺的温度升高而增[0066]将说明在氮化硅基板的制备工艺中，控制片材SH或层叠片材SSH的尺寸的步骤说，可以通过控制片材SH的尺寸来将所制备的氮化硅基板中的镁(Mg)调节至所需的浓度9的步骤S230。参考图3及图4a进行说明的陶瓷添加剂SA可以包含氧化钇(Y2O3)及氧化镁[0068]如上所述，在浆料形成步骤(S120)中，陶瓷添加剂SA的添加量可以严格限制在[0070]氮化硅基板中的镁(Mg)的残留量(或浓度)可以对氮化硅基板(SNS)的物理性质产生影响。例如，氮化硅基板(SNS)中的镁(Mg)的浓度可以对氮化硅基板(SNS)的热传导率(thermalconductivity)及抗弯强度(bendingstrength[0071]如上所述，氮化硅基板的热传导率可以与氮化硅基板中的镁(Mg)的残留量成反即，确认到可以通过控制烧结工艺(S170)的温度来调节最终氮化硅基板中的镁的残留量。确认到可以通过调节氮化硅基板中的镁的残留量来控制其物理性质(抗弯强度及热传导的尺寸(M×N)改变为140mm×190mm、100mm×100mm及40可以通过在流延成型工艺中控制片材的切割尺寸来调节最终氮化硅基板中的镁的残留量。浆料制备工艺中对陶瓷添加剂的添加量及陶瓷添加剂中的镁/钇的原子比(Mg/Y)进行不同Mg/Y的比例，第七基板、第八基板及第九基板也具有不以再次确认用于调节氮化硅基板的物理性质(抗弯强度及热传导率)的关键变量为最终残