半导体设备行业专题：AI需求爆发叠加进口替代国产设备厂商的黄金窗口

内容目录TOC\o"1-2"\h\z\u逻辑和存储芯片是半导体的两大支柱 5逻辑芯片是数字世界的计算与控制中心 5存储芯片是数字世界的的数据保存与读取中心 6半导体行业现状：AI主导的景气周期 8AI基础设施的扩张提升了对逻辑芯片的需求 9AI训练与推理带来的存储需求呈非线性爆发 10逻辑芯片供需失衡：先进制程扩产难解CoWoS结构性瓶颈 12存储芯片供需失衡：AI重塑需求，供给端被HBM挤压 13半导体设备：充分受益AI高景气和进口替代 16半导体设备正处于AI基础设施重塑的景气周期中 16低国产化率环节的半导体设备扩产重点受益于本轮扩产 18投资建议：关注低国产化率环节的细分龙头 24机械行业半导体公司概览 24精测电子：国内稀缺的泛半导体检测设备平台型龙头 25矽电股份：国内探针台龙头，率先实现国产12英寸晶圆探针台产业化 27强一股份：高端探针卡国产替代领军者 29联讯仪器：国内半导体测试设备与高速通信测试仪器领先供应商 31精智达：半导体测试检测设备平台型企业 32汉钟精机：领先的半导体干式真空泵供应商 33汇成真空：PVD真空镀膜设备领先企业 35光力科技：半导体划片机国内龙头，经营拐点向上 36风险提示： 38图表目录图2024年全球半导体子市场市场划分（单位：亿美元） 5图全球逻辑芯片市场规模及增速（亿美元） 6图根据充放电原理对存储器进行分类 6图北美云厂商资本开支（单位：亿美元） 8图台积电HPC收入占比6年翻倍至66.....................................................9图DRAM和NAND占存储芯片份额的97.7..................................................10图DRAM市场规模 11图NAND市场规模 11图韩国动态随机存储器的进/出口价格指数(韩元) 12图日本存储介质的进口价格指数(日元) 12图DRAM价格及环比增速预期 12图NAND价格及环比增速预期 12图全球CoWoS供需情况 13图KVCache多级缓存技术放大对存储的需求 14图所有晶圆半导体设备市场规模 17图SEMI预测的全球12寸晶圆半导体市场规模 17图根据芯片类型划分的WFE资本开支 17图半导体前道产业链全景图 19图半导体后道封装测试产业链全景图 20图精测电子营业收入及增速 25图精测电子净利润及增速 25图精测电子毛利率和净利率 26图精测电子年度四费费用率 26图精测电子产品拓展图谱 26图矽电股份营业收入及增速 28图矽电股份净利润及增速 28图矽电股份毛利率和净利率 28图矽电股份年度四费费用率 28图矽电股份产品：以晶圆/晶粒探针台为核心，向检测、分选与曝光设备延伸 29图强一股份营业收入及增速 29图强一股份净利润及增速 29图强一股份毛利率和净利率 29图强一股份年度四费费用率 29图强一股份产品覆盖各类探针卡 30图联讯仪器营业收入及增速 31图联讯仪器净利润及增速 31图联讯仪器毛利率和净利率 31图联讯仪器年度四费费用率 31图精智达营业收入及增速 32图精智达净利润及增速 32图精智达毛利率和净利率 33图精智达年度四费费用率 33图汉钟精机营业收入及增速 33图汉钟精机净利润及增速 33图汉钟精机毛利率和净利率 34图汉钟精机年度四费费用率 34图汉钟精机半导体产品图 34图汇成真空营业收入及增速 35图汇成真空净利润及增速 35图汇成真空毛利率和净利率 35图汇成真空年度四费费用率 35图光力科技营业收入及增速 36图光力科技净利润及增速 36图光力科技毛利率和净利率 37图光力科技年度四费费用率 37表1：半导体各细分品类市场规模（单位：亿美元） 8表2：各类存储的需求量都大幅提升 14表3：包含HBM在内的全球DRAM供需情况（单位：亿个·8GB等效单位） 15表4：常见晶圆厂设备与厂房投资比重 16表5：半导体前道设备简介汇总 18表6：逻辑芯片的工艺目标差异和工艺差距 21表7：HBM比常规DRAM设备增加的工艺 21表8：存储与逻辑芯片在不同环节上，设备价值量结构的差异 22表9：机械行业半导体公司概览 24逻辑和存储芯片是半导体的两大支柱WSTS82.7的份额占据压倒性地位分立器件光电子器件与传感器则分别录得5.97.5与3.8进一步看作为芯片主体的集成电路按信号处理方式又可分为数字与模0/1（CPGPFPGASIDRANADFlsMCMP；后者由阻容与晶体管搭建，应对声、光、温度等连续量，典型如电源管理与含射频在内的信号链器件。在集IGBTMOSFET（LED图1：2024年全球半导体子市场市场划分（单位：亿美元）WSTS逻辑芯片是数字世界的计算与控制中心这类器件以数十亿至上千亿个晶体管的开关状态表达二进制，承担系统的运算与控CPUGPUASIC32IBM于2026年6su-1（0.7纳米1000按功能与可编程性，逻辑芯片可拆为处理器、逻辑器件与系统级芯片三条路线，OECDCSACatapultLogicProcessor（FPGA（CPUGPUMCUDSPCPU、DSPAICPUGPUIPUASICMCUMPUGPUASIC异构集成以模块化封装互联多个逻辑裸片，延续了算力提升路径。逻辑芯片因此成为连接制造工艺与智能应用的关键枢纽，其演进直接划定数字产业的算力天花板。图2：全球逻辑芯片市场规模及增速（亿美元）WSTS存储芯片是数字世界的的数据保存与读取中心存储芯片（MemoryChip）是数字世界的“记忆器官”，基本物理原理是利用二AI01。存储芯片的核心任务，正是利用半导体材料电学状态的变化，找到一种可靠的物理方式来记录这些二进制数据，并在需要时精准读取出来。荷俘获。基于这两种底层原理，半导体存储芯片得以被完整分类，不同类型的芯片会根据成本、刷新频率、功耗以及读取速率等关键指标的差异，被精准部署和应用在电子设备中不同的位置与场景。图3：根据充放电原理对存储器进行分类三星半导体官网半导体行业现状：AI主导的景气周期北美云厂商资本开支同步上修至接近万亿美元级别，是本轮设备景气的需求源头。20242463亿美元增至2025年的4454亿美元，同比增长81；2026年指引中值进一步升至8125亿美元同比增长82两年间累计增长约2.3倍规模达到2024年的3.3AlphabetMeta190022002000137565061、71、119、90和83。其中Alphabet资本开支预计实现翻倍以上增长，MetaAI支连续两年保持80以上增长，为服务器、光模块、交换机、液冷、电源及数据中心配套设备需求提供了较强的中期确定性。图4：北美云厂商资本开支（单位：亿美元）云厂商资本开支 2024A 2025A 2026E 2025A同比 2026E同比（单位：亿美元） 指引中值Microsoft(微软)7561,1801,9005661Amazon(亚马逊)7211,2832,2007871Google(Alphabet)5259142,00074119Meta(平台)3727221,3759490Oracle(甲骨文)8935565029983五家云厂商合计2,4634,4548,1258182公司公告，公司官网CSPAIGPUHBMAIHBM2—3年，且设备投资占晶圆厂资本开支的70—80，2026年启动的产线有望持续贡献订单至2028—2029年，设备企业的业绩能见度也由季度逐步延伸至年度。WSTS2023526920257956202620271511219137AI20264114HBM、DDR58039表1：半导体各细分品类市场规模（单位：亿美元）半导体品类2023202420252026E2027E离散半导体355328307332357光电子学432427430442464传感器197183209215230集成电路4,2845,1757,01014,12318,085模拟电路8127918659541,017微器件7637768491,0171,220逻辑电路1,7861,9772,9954,1145,228存储器9231,6322,3008,03910,621半导体合计5,2696,1127,95615,11219,137WSTSAI基础设施的扩张提升了对逻辑芯片的需求AI长PCAISIADeloitte20266PoweringAIAI4,500（20,000半导体占机架内容价值的95以上、占AI数据中心资本开支的50以上，芯片价值密度较传统x86AIAI4,50020241,30020281.2（四年近十倍），2023—203042.8AI2026年二季度法说会披露高性能计算类收入占营收比重已达66单季环比增长20至265亿美元；回溯六年前的2020年一季度，这一比例仅为30。与之相对，智能手机收入占比同期从49回落至22；IoT、汽车电子、DCE三个平台合计占比稳定在10左右节点层面在二季度首次贡献3晶圆收入3nm/5nm分别占比30/33，先进制程产能向AI客户倾斜的方向明确；公司同步将2026年全年美元收入增速指引“高于30上修“略高于40全年资本开支指引提高至600–640亿美元，上游产能扩张的节奏仍在加快。图5：台积电HPC收入占比6年翻倍至66公司公告AI训练与推理带来的存储需求呈非线性爆发DRAMNANDFlash作为全球存储芯片市场的绝对核心，长期占据主导地位。Gartner，2025DRAM市场份额约为66.7Flash约为31.0其他类型存储芯片仅占2.3近年来受AI基础设施建设带来的强劲需求驱动，DRAMNAND图6：DRAM和NAND占存储芯片份额的97.7Gartner本轮存储周期的主脉络非常清晰：先需求扩张，再库存塌陷，最后被AITrendForce2020—2026（PC（终端2026AI202389920268893DRAM是本轮周期的弹性核心，NANDDRAM。图市场规模 图市场规模 TrendForce TrendForce2023AI迎来强修复。TrendForce2023899202173520241615AI2025DRAM显著强于NAN据TredFoce20252247DRAM153660.2；NAND市场规模为711亿美元，同比仅微增8.4。本轮景气上行中，HBMDRAMDDR5NAND占来看DRM整市中比重由204的59.升至2025年的6.4。2026TrendForce20268893DRAMNAND亿美元和2706亿美元同比增速分别高达302.8和280.6该预测的核心AIHBMDRAMNAND2021NAND别下跌最多达57和55，2023年创下近十五年来最为深度的下行周期之一。2023DRAM2026WSTS803920252300图韩国动态随机存储器的进/出口价格指数(韩元) 图日本存储介质的进口价格指数(日元)韩国家计局 日央行图价格及环比增速预期 图价格及环比增速预期 IDC IDC本轮周期与历史周期的核心差异在于，“AIBofA需求增速；即便有新产能投产，亦将优先向HBMDRAM2020—2026AI逻辑芯片供需失衡：先进制程扩产难解CoWoS结构性瓶颈AI的高强度增长。随着大模型训练与推理需求快速提升，全球云厂商持续增加CPUSoCGPUAIASICAIDieChiplet晶圆、先进封装、中介层及高端基板的资源消耗显著提升。IDC2025年CoWoS需求中占比约58Marvell和AMD分别约1411和8其余客户合计约9需求高度集中于头部厂商大型客户通过长期协议提AI当前短缺的并非全部逻辑晶圆产能，而是能够同时匹配先进制程、HBMCoWoS的有效交付产能。AICoWoSGPUASICHBMRDLAIHBM12AICoWoSHBMABF基板及封装良率。SEMI7nm300mm202485/2028140/AI图13：全球CoWoS供需情况项目公开数值单位2025年供给（IDC统计）台积电CoWoS产能（2025年末）8.0万片/月2025年需求（IDC统计）NVIDIA4.6占2025年CoWoS总需求Broadcom1.1占2025年CoWoS总需求AMD0.6占2025年CoWoS总需求Marvell0.9占2025年CoWoS总需求其他厂商0.7占2025年CoWoS总需求总需求8.0占比合计2026年供需（TrendForce预测）全行业CoWoS供给20.0万片/月全行业CoWoS总需求22.2万片/月供给缺口率10%IDC，TrendForceCoWoSAITrendForceOSAT2026年全行业CoWoS月产能接近20万片同期供需缺口预计由年中的约20收窄至年末的约10。按照年末缺口率反推，行业CoWoS需求约为22.2万片/月，对应供2.2/ASICCoWoS-LHBM42027AIChipletHBM存储芯片供需失衡：AI重塑需求，供给端被HBM挤压AI随着模AIAITBTBTB（KVCache）GPUHBMDRAMHBM、DRAMSSD图14：KVCache多级缓存技术放大对存储的需求Mooncake:AKVCache-centricDisaggregatedArchitectureforLLMServing，LMCache:AnEfficientKVCacheLayerforEnterprise-ScaleLLMInferenceAIHBMAIKVCacheRAGKVIOPSGPUAI表2：各类存储的需求量都大幅提升存储层在大模型里做什么需求量增加的原因证据/图示HBM推理核心数据需驻留高带宽内存，以保障极低延迟与高吞吐模型更大、上下文更长导致HBM容量/颗数/层数迭代HBM用量逐渐提升：80GB（A100/H100）、141GB（H200）、192GB（B200）、288GB（Rubin）、1024GB（RubinUltra）DRAM

DRAM用于暂存GPUKVCache

并发/上下文扩大导致KVCache下沉

服务器单机系统内存渐增：1TB（A100）、2TB（H100/B200）、17TB（GB200）SSD SSDSSD SSD用于暂存HBM/DRAM溢出的低 推理规模化驱动高IOPS 服务器单机SSD容量渐增：15TB（A100）、（NAND） 频KV冷数据与训练检查点 NVMe成为性能刚需 机架级PB规（GB200）HDD

AI日志的最终低成本持久归档层

AI长期留存增多

AI数据留存量持续提升OntheDiversityofMemoryandStorageTechnologies，Multi-TierBufferManagementandStorageSystemDesignforNon-VolatileMemoryHBMSKHBM1216（20）DRAM叠，无法兼容标准产线，必须依赖专属设备与独立工艺。最后，HBM3DDR5DRAM2026HBMDRAM4688GB230.2表3：包含HBM在内的全球DRAM供需情况（单位：亿个·8GB等效单位）2022202320242025E2026E2027E2028E按应用划分的需求服务器97.390.2132.2184.6230.2263.1306.1个人电脑35.734.239.247.138.134.940.3智能手机73.980.5102.6121.5115.5116.0135.9平板电脑8.57.99.310.58.68.49.5电视-嵌入式DRAM5.96.47.38.49.611.012.6游戏-嵌入式DRAM4.54.65.05.45.86.46.8自动-DRAM嵌入式1.72.22.93.74.86.17.9合计需求222.7265.1324.9391.1468.0477.0540.5供给三星108.0118.0134.0150.0178.0201.0232.0SK海力士68.076.090.0110.0129.0146.0166.0美光52.058.072.086.0103.0117.0133.0前三家合计228.0252.0296.0346.0410.0464.0531.0总供给241.7266.7306.3360.2427.5482.6550.7供需充足率供给/需求109101949291101102美国银行半导体设备：充分受益AI高景气和进口替代半导体设备正处于AI基础设施重塑的景气周期中链中扮演着上游关键支撑的角色。Gartner70至80并且随着工艺制程的不断精进，设备投资在总支出中的比重也会随之攀升。依据制造工艺环节，集成电路制造设备普遍被划分为前道工艺设备（晶圆制造）与后道工艺设备（封装测试）两大类别。在前道制造阶段，核心工艺涵盖六大步骤：热处理、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积以及机械抛光。与之相匹配的专用设备则包括快速热处理（RTP）/氧化/扩散设备、光刻设备、刻蚀/去胶设备、离子注入设备、薄膜沉积设备和机械抛光设备等。而在后道封装测试环节，其核心工序及对应设备主要涉及减薄、划片、测试以及分选等步骤。表4：常见晶圆厂设备与厂房投资比重约占晶圆厂总投资占比环节约占晶圆厂总投资占比环节约占晶圆厂总投资占比环节约占晶圆厂总投资占比100厂房建设20设计1土建设施7洁净室分工12设备投资80硅片制造2晶圆制造——前道80光刻18.4刻蚀12.8薄膜沉积18.4量测检测10.4清洗4.8CMP抛光2.4离子注入2.4涂胶显影2.4热处理/氧化扩散2.4去胶0.8封装测试——后道18测试机11.7分选机3.1探针台2.7其他0.8SEMI，SemiconductorIndustryAssociation，McKinsey，OECD，Gartner，YoleGroup300mmAISEMI2024100620251127计2026年将爆发式跃升至1330亿美（同比增18创下历史新高并在20272029151015501720AIAI图所有晶圆半导体设备市场规模 图预测的全球12寸晶圆半导体市场规模SEMI SEMIAI性扩张周期。SEMI2025133014501560（WFE）支出表现亮眼，2025年规模同比增长11.0达到1157亿美元，并在随后12621352HBM激增及技术迭代促使厂商持续升级制程，NAND202545.4至10206和207年扩至1819DRAM设备市场2025年预计增长15.4至225亿美元，随后两年分别增长15.1和7.8达到259亿和279亿美元。AI算力基建引发的需求强力支撑半导体设备采购规模。图17：根据芯片类型划分的WFE资本开支SEMI半导体制造是一项纳米级的极限工程，前道设备因其极高的技术壁垒与价值量，构成了整个产业链投资的核心。半导体制造是一项纳米级的极限工程，前道设备因其极高的技术壁垒与价值量，构成了整个产业链投资的核心。从光刻（约280亿美元（284（187）与量测检测（130），每一步都决定了芯片的精度与良率。此外，涂胶显影、清洗、CMP表5：半导体前道设备简介汇总工艺环节通俗解释技术难点/关注重点全球市场空间(2025，亿美元)光刻用光把电路图印到硅片上分辨率、套刻精度、EUV/DUV光源约280亿美元涂胶显影涂光刻胶和显影与光刻机联机作业、膜厚控制约40亿美元刻蚀把印好图的地方雕刻掉深宽比、选择比、均匀性约187亿美元薄膜沉积在硅片上铺一层层功能材料均匀性、台阶覆盖、填充能力约284亿美元量测检测量芯片的尺寸和查缺陷检测灵敏度、吞吐量、高深宽比结构约130亿美元清洗每步工艺后洗掉杂质和颗粒颗粒去除效率损伤控制约67亿美元52平坦化精度抛光速率选择比把不平的表面磨平CMP光离子注入 给硅片掺杂质改变导电性 剂量均匀性能量控制、低能大束流 约28亿美元16温度均匀性、气体控制高温下改变材料性质或生长氧化层热处理/氧化扩散后道封装测试 切片、封装、测试 先进封装(TSV/键合/CoWoS) 测试约112亿+后道封装后道封装测试 切片、封装、测试 先进封装(TSV/键合/CoWoS) 测试约112亿+后道封装70亿EMI，TrendForceWeekly，TokyoElectronLtd.Corporation，MordorIntelligence，QYResearch，YoleMarketResearchResearchBridgeMarketResearch，GrowthMarketReports低国产化率环节的半导体设备扩产重点受益于本轮扩产ASML形成绝对垄（市占率约90且作为EUV唯一供应商掌握关键技术节点涂胶显影环节则被TEL近乎独（市占率约92而在其他关键工艺领域，CMP前三大厂商市占率）均超过80，其中应用材料（AMAT）凭借平台化优势在薄膜沉积（46）、CMP（54）及离子注入（65）等多个细分赛道占据龙头地位；量测检测环节技术壁垒极高以57的市占率确立绝对领先优势清洗设备领域则呈现出显著的日系主导特征，SCREENTEL在前道制程中，各环节国产化水平呈现明显分化。去胶已基本实现自主可控，刻蚀、清洗国产化率已提升至50以上，CMP、热处理亦达到30-40；相比之下，薄膜沉积、离子注入、量测检测、涂胶显影及光刻等环节国产化率仍较低，其中光刻设备国产化率不足1中微公司北方华创盛美上海华海清科等国产厂商已在优势环节实现规模替代，而低国产化环节仍是未来国产替代的重点突破方向。图18：半导体前道产业链全景图MarketResearchDataBridgeGroupIndexBoxGrandResearch在后道封装中，设备品类较多，国产替代仍处于加速阶段。晶圆减薄、划片/切/DISCOACCRETECHASMPTBesi等海外厂商占据主导，其中减薄、划片及引线键合国产化率仅约10或更低。国AOISoCAdvantest、Teradyne图19：半导体后道封装测试产业链全景图MIRDATABANK、IndexBox、QYResearch、Senrigan、SOAR、Bloomberg、DataVagyanik、Staticker、TechInsights、DISCOK&STOWAEVGSUSSBesiASMPTKLACamtekOntoGongchangResearch、MIRDATABANK、SEMI、YoleGroup、QYResearch、DIGITIMES、IndexBox、VLSIResearch、TrendForce、K&S年报、Aehr官网、FormFactor官网、Technoprobe官网、无锡市政府官网EUVNAND聚焦垂直堆叠与高深宽比加工，随着层数增加，刻蚀和沉积设备的工艺难度及边K表6：逻辑芯片的工艺目标差异和工艺差距对比维度存储（DRAM/3DNAND/HBM）逻辑（Foundry，如台积电）工艺目标单位面积存更多bit，成本更低单位面积算力更强，速度更快核心矛盾增加存储单元层数将晶体管做小工艺重心重复性、阵列一致性、堆叠层数、良率控制制程收缩技术路线 平面微缩（DRAM）→三维堆叠（3DNAND）→前道+封装（HBM）

平面微缩（7nm→5nm→3nm→2nmGAA）掩膜层数：70~100掩膜层数：70~100＜DRAM(1c/1d先进节点)60+张3DNAND(256层+)约35张HBM(单DRAM60+张)光刻工艺差距——掩膜层数7nmDRAM掩膜层数：EUV

DRAM(1b/1c)：约20-30次刻蚀步骤HBM(单die)：同DRAM+TSV刻蚀步骤比普通DRAM ＞多40+3DNAND(128层+)：单晶圆超过100次

逻辑芯片(FinFET)：5道刻蚀步骤逻辑芯片(GAA3nm/2nm)：9道刻蚀步骤沉积工艺差距 192层3DNAND约500~600次沉积 ＞ 120-160次HBM:15-20次CMP

DRAM:<13次3DNAND:30-40次

25-35次300-500300-500HBM:600-1200次DRAM:200-400清洗工艺差距——清洗次数Rapidus，AppliedMaterials，Micron，TechInsights，SemiAnalysis，MarketIntelo，IndexBoxDRAM，HBMTSV40-55μm且有望进一步微缩），以确保极小间距下的可靠电气导通与机械连接。同时，为DRAMDieBaseDie775μm30-35μm。综上，深孔刻蚀、铜填充、微凸块制备、超薄减薄及高精HBM表7：HBM比常规DRAM设备增加的工艺工艺名称HBM核心差异常规DRAM为什么不同TSV制造芯片打垂直铜孔没有要上下层导电3D堆叠键合12层芯片叠一起单片封装要3D高容量晶圆减薄磨到50μm厚775μm原厚叠12层不超标BaseDie底层放逻辑芯片没有管超宽总线Micro-bump双面微型焊点标准大焊球层间机械+电连2.5D封装硅中介层并排直接焊PCB紧邻GPU低延迟KGD测试堆叠前严格筛选普通测试一片坏全报废LamResearch，TrendForce，SemiEngineering，SemiconductorDigest，国信证券经济研究所整理表8：存储与逻辑芯片在不同环节上，设备价值量结构的差异设备环节逻辑 DRAM 3DNAND(3nmGAA) (1c/1d) (256层光刻(Lithography)逻辑>DRAM>NAND刻蚀(Etch)NAND≫逻辑≈DRAM薄膜沉积(Deposition)NAND>DRAM≈逻辑量测/检测(Metrology/Inspection)三者相近，NAND略高清洗(Cleaning)NAND>DRAM≈逻辑CMP(ChemicalMechanicalPlanarization)NAND>DRAM≈逻辑热处理/掺杂(Thermal/IonImplant)逻辑>DRAM>NANDSEMI，NineScrolls，TechInsights，北方华创年报量测检测设备是半导体前道制造中保障芯片良率的核心设备。在前道晶圆制造设备投资结构中工艺过程量检测设备价值量占比约10~11左右是仅次于薄膜沉3DNAND40010nmHBMCoWoSQYResearch20251,14520321,415.9（CAGR）为3.1。而该环节长期由KLA等海外巨头垄断（2023年其全球市占率高达55.8，国内厂商合计份额不足5），随着存储原厂Capex上调与先进封装扩产，国产化率极低的格局为本土设备商打开了最具确定性的替代空间。CMPNAND30-35的价值量占比，成为3DNAND高深宽比结构加工及DRAM、HBM制造3DNAND400CMP3DNAND300DRAM投资建议：关注低国产化率环节的细分龙头机械行业半导体公司概览AI先进封装持续扩产；另一方面，3DNANDHBMChiplet等技术演进，使晶圆制造和封装测试环节的工序数量、检测频次与精度要求同步提高。因此，半导体设备需求不仅受益于产能扩张，也有望受益于单位产能设备价值量的持续提升。国产替代仍是国内半导体设备产业中长期较具确定性的主线。当前国产化正由单点设备验证逐步迈向批量采购和产线级导入，产业机会也由设备整机向核心零部表9：机械行业半导体公司概览2025年2025年归公司名半导体领域半导体具体产品收入母净利润（亿元）（亿元）精测电子 前道设备-量测 膜厚、OCD、电子束、缺陷检测、老化测试等量检测 33.5 0.82设备赛腾股份前道设备-量测晶圆缺陷检测、量测及半导体自动化设备33.94.85天准科技前道设备-量测晶圆缺陷检测、关键尺寸量测、机器视觉设备17.90.76蓝英装备前道设备-清洗晶圆、光刻胶/掩膜版及零部件精密清洗系统12.0-1.41汇成真空前道设备-PVDPVD真空镀膜设备及配套工艺服务4.70.22强一股份后道测试耗材-探针卡2D/2.5DMEMS膜探针卡10.13.95精智达后道测试设备-测试机DRAM/HBM测试机、老化测试设备、探针卡等11.30.69华兴源创后道测试设备-测试机SoC/SiP测试机、芯片测试设备及治具22.40.80博杰股份后道测试设备-测试配套芯片温测、测试治具、自动化测试及精密组装设备18.41.46矽电股份后道测试设备-探针台12/8/6分选机及AOI设备4.20.53新益昌后道封装设备-固晶固晶机、焊线前后道配套设备7.3-1.27深科达后道封装设备-固晶固晶机、封装测试设备及自动化设备6.70.24芯碁微装后道封装设备-光刻WLP先进封装直写光刻设备、IC载板设备、PCBLDI14.12.90罗博特科后道封装设备-硅光封装ficonTEC高精度耦合、贴装和硅光封装设备9.5-0.66光力科技后道封装设备-划片/切割晶圆划片机、切割设备、精密空气主轴及刀片6.70.40德龙激光后道封装设备-划片/切割晶圆/芯片激光切割、钻孔、划线及SiC加工设备7.90.26英诺激光 后道封装设备-划片/切割 晶圆、SiC、先进封装激光切割/钻孔/改质设备 5.1 0.48矩子科技后道封装设备-检测AOI、微组装检测、Post-dicingX-Ray检测7.70.90日联科技后道封装设备-检测先进封装/半导体X-Ray检测设备与射线源10.81.76快克智能后道封装设备-精密组装微组装、焊接、点胶、封装及检测自动化设备10.81.38三佳科技后道封装设备-塑封/切筋塑封压机、切筋成型系统、封装模具3.80.08正帆科技半导体厂务-工艺介质系统高纯特气与化学品输送系统、气柜、工艺系统及MRO49.21.36新莱应材半导体零部件超高纯管路、阀门、管件、腔体及真空系统部件30.01.75汉钟精机半导体零部件干式真空泵、真空泵组29.34.69固高科技 半导体零部件 运动控制器伺服驱动器精密运动控制系统晶圆 5.5 0.63搬运控制阿为特 半导体零部件 精密机械零部件、腔体及结构件加工 2.9 0.04公司公告AIHBM等前沿技术的迭代深刻改变了半导体设备的价值分布格局。面对这一历史性机遇，那些深耕核心工艺、卡位关键节点的本土设备企业，正加速跨越验证门槛，迎来市场份额跃升的黄金窗口。结合产业链的深度剖析与各环节景气度的边际变化，我们认为具备高技术壁垒与强成长弹性的细分龙头将充分受益于本轮红利。基于此，我们关注在量测检测、成品测试及薄膜沉积等核心赛道中表现突出的精测电子、矽电股份、强一股份、联讯仪器、汉钟精机、精智达以、光力科技及汇成真空。精测电子：国内稀缺的泛半导体检测设备平台型龙头20231.5020240.98（14nm2025图精测电子营业收入及增速 图精测电子净利润及增速公司告、Wind、 公司告、Wind、图精测电子毛利率和净利率 图精测电子年度四费费用率公司告、Wind、 公司告、Wind、公司已形成“膜厚+OCD+电子束+明暗场光学检测”的完整前道布局，该板块收入占半导体业务比例超九成。在主力产品端，膜厚、OCD7nm6.5125.3328nm14nm1.35图24：精测电子产品拓展图谱公司公告HBM2.5D/3DBumping、ChipletAI算力核心增量环节。此外，全球量测市场国产替代空间广阔，公司底层“光机电算软”核心技术的横向复用大幅摊薄研发边际成本，全矩阵解决方案深度绑定晶OCD、电子束及明暗场光学检KLA矽电股份：国内探针台龙头，率先实现国产12英寸晶圆探针台产业化国内探针台设备龙头，短期业绩受下游资本开支放缓影响。矽电股份长期聚焦半导体探针测试设备，产品覆盖晶圆探针台、晶粒探针台，并向分选机、曝光机和AOI检测设备延伸。2025年公司实现营业收入4.19亿元，同比下降17.52；归母净利润0.53亿元同比下降42.50其中晶圆探针台收入1.82亿元整体保持相对稳定；晶粒探针台收入1.54亿元，同比下降45.28，是当期业绩承压的主要原因。随着下游客户资本开支逐步恢复，公司产品结构优化有望带动经营改善。1212412图矽电股份营业收入及增速 图矽电股份净利润及增速公司告、Wind、 公司告、Wind、图矽电股份毛利率和净利率 图矽电股份年度四费费用率公司告、Wind、 公司告、Wind、高研发投入推动产品线向数字IC、化合物半导体及测试自动化持续拓展。2025年公司研发投入0.64亿元，占营业收入的15.37。目前12英寸数字IC测试探针台、12IC6/8发。若新产品顺利完成验证并实现批量交付，公司有望由单一探针台厂商逐步升级为覆盖更多晶圆测试环节的设备供应商。图29：矽电股份产品：以晶圆/晶粒探针台为核心，向检测、分选与曝光设备延伸公司官网强一股份：高端探针卡国产替代领军者高端探针卡国产替代领军者，产品放量推动业绩保持高增长。强一股份专注于晶2D/2.5DMEMS2025年公司实现营业收入10.12亿元同比增长57.81归母净利润3.95亿元，同比增长69.43；主营业务毛利率达到65.08。收入增长2DMEMS图强一股份营业收入及增速 图强一股份净利润及增速公司告、Wind、 公司告、Wind、图强一股份毛利率和净利率 图强一股份年度四费费用率公司告、Wind、 公司告、Wind、MEMS公司MEMS2024的统计中均位列全球探针卡厂商第六位；截至2025400家，覆盖芯片设计、晶圆制造及封装测试等产业链环节。完整的产品矩阵、本地化服务和快速响应能力，有助于公司在高端晶圆测试耗材领域持续提升份额。2DMEMS级。2DMEMS2.5DMEMSFlashDRAMHBM110GHz图34：强一股份产品覆盖各类探针卡公司公告联讯仪器：国内半导体测试设备与高速通信测试仪器领先供应商司收润比半图联讯仪器营业收入及增速 图联讯仪器净利润及增速公司告、Wind、 公司告、Wind、图联讯仪器毛利率和