电子技术基础（第四版）

掌握基本概念、基本电路、基本分析方法、基本实验技能；具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力，将所学知识用于本专业的能力。课程学习目的本课程是入门性质的技术基础课《电子技术基础》半导体基础知识二极管的工作原理、分析方法三极管的工作原理、分析方法场效应管的工作原理、分析方法基本放大器差分放大器集成运算放大器负反馈放大器功率放大器器件放大器模拟电路部分数字电路部分数字电路基础组合逻辑电路时序逻辑电路本课程的主要内容建立新概念，确立新的分析方法。重点在于课堂听讲，再加预习、复习。注重实验环节，先理论分析，后实践，然后再对实验的结果进行分析。认真作业。本课程的学习方法常用半导体器件1.1半导体基础知识1.2半导体二极管及其特性1.3二极管应用电路1.1半导体基础知识什么是半导体？①半导体的电阻率随着温度的升高而下降，即温度升高，半导体的导电能力增强。导电能力介于导体和绝缘体之间半导体有何特点？②半导体的导电能力随着光照强度的增强而增强。③半导体的导电能力受掺入杂质的影响显著，即在半导体材料中掺入微量杂质（特定的元素），电阻率下降，导电能力增强。热敏特性掺杂特性光敏特性物体根据其导电能力（电阻率）分半导体绝缘体导体典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。硅原子284锗原子

218

4

本征半导体的共价键结构1.本征半导体

本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体。共价键共用电子对+4表示除去价电子后的原子共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，常温下很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。

这一现象称为本征激发，也称热激发。

当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有少数电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。自由电子

+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴

自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。

可见本征激发同时产生电子空穴对。

外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。

自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程（与本征激发相反的现象）——复合

自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴电子空穴对动画自由电子带负电荷电子流载流子空穴带正电荷空穴流1、本征半导体的电子空穴成对出现，且数量少；2、半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电；3.本征半导体导电能力弱，并与温度、光照等有关。

结论2.杂质半导体

在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的半导体称为杂质半导体。1.

N型半导体（主要载流子为电子，电子型半导体）

在本征半导体中掺入三价杂质元素，例如硼，镓等，称为P型半导体。

2.

P型半导体（主要载流子为空穴，空穴型半导体）

在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，砷等，称为N型半导体。

目的：提高半导体的导电性能。掺杂是为了改变半导体中的自由电子浓度或空穴浓度。2.杂质半导体

在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的半导体称为杂质半导体。1.

N型半导体（主要载流子为电子，电子型半导体）

在本征半导体中掺入三价杂质元素，例如硼，镓等，称为P型半导体。

2.

P型半导体（主要载流子为空穴，空穴型半导体）

在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，砷等，称为N型半导体。

目的：提高半导体的导电性能。掺杂是为了改变半导体中的自由电子浓度或空穴浓度。N型+5+4+4+4+4+4电子数>

空穴数电子为多数载流子(多子)空穴为少数载流子(少子)P型+3+4+4+4+4+4空穴数>

电子数空穴

—

多子电子

—

少子磷原子自由电子空穴硼原子硅原子硅原子失去电子成为正离子得到电子成为负离子N型+5+4+4+4+4+4电子数>

空穴数电子为多数载流子(多子)空穴为少数载流子(少子)P型+3+4+4+4+4+4空穴数>

电子数空穴

—

多子电子

—

少子磷原子自由电子空穴硼原子硅原子硅原子失去电子成为正离子得到电子成为负离子杂质半导体的示意图++++++++++++N型半导体多子—电子少子—空穴－－－－－－－－－－－－P型半导体多子—空穴少子－电子少子浓度——与温度有关多子浓度——与温度无关负离子正离子内电场E

因多子浓度差

形成内电场

多子的扩散

由杂质离子形成空间电荷区

PN结合空间电荷区多子扩散电流少子漂移电流耗尽层（阻挡层）扩散和漂移达到动态平衡：

扩散电流＝漂移电流总电流＝0动画3、PN结的形成

在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。1.外加正向电压(正向偏置)

——电源正极接P区，负极接N区P区N区内电场+

UR外电场2.外加反向电压（反向偏置)

——电源正极接N区，负极接P区P区N区

+UR内电场外电场IR外电场的方向与内电场方向相反外电场削弱内电场→阻挡层变窄→扩散运动＞漂移运动→多子扩散形成的正向电流大正向电流外电场的方向与内电场方向相同。外电场加强内电场→阻挡层变宽→漂移运动＞扩散运动→少子漂移形成的反向电流小IF

在一定的温度下，由本征激发产生的少子浓度是一定的，故IR基本上与外加反压的大小无关，所以称为反向饱和电流。但IR与温度有关。

动画PN结的单向导电性

PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通；

PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。

由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。1.2半导体二极管及其特性二极管：一个PN结就是一个二极管。单向导电：二极管正极接电源正极，负极接电源负极时电流可以通过。反之电流不能通过。符号：半导体二极管的类型

按使用的半导体材料不同分为硅管Si锗管Ge1.晶体二极管的结构2.晶体二极管的伏安特性

硅：0.6－0.8V

锗：

0.2－0.3V(1)正向特性反向饱和电流（很小，μA级）(2)反向特性死区电压击穿电压UBR实验曲线uEiVmAuEiVuA正向特性反向特性反向击穿导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

总之，二极管的伏安特性具有以下特点：

（1）二极管具有单向导电性；（2）二极管的伏安特性具有非线性；（3）二极管的伏安特性与温度有关。

硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。

若|VBR|≥7V时,主要是雪崩击穿；若|VBR|≤4V时,主要是齐纳击穿。3.反向击穿特性

当反向电压超过某一数值时，反向电流将急剧增加，这种现象称为击穿现象。此时的电压称为反向击穿电压。雪崩击穿一般发生在掺杂浓度较低、外加电压又较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较低的PN结，空间电荷区宽度较宽，发生碰撞电离的机会较多。齐纳击穿一般发生在掺杂浓度较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较高的PN结，空间电荷区的电荷密度很大，宽度较窄，只要加不大的反向电压，就能建立起很强的电场，发生齐纳击穿。两者区别：PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于5-6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5-6V时的击穿以雪崩击穿为主。1）静态分析例1：求VDD=10V时，二极管的电流ID、电压VD

值。解：1.理想模型正向偏置时：管压降为0，电阻也为0。反向偏置时：电流为0，电阻为∞。2.恒压降模型当二极管导通后，其管压降认为是恒定的，且不随电流变化，典型值0.7V。二极管的应用例2

：求整流电路的输出波形。解：2）整流电路导通截止导通截止例3:

ui=6sinωtV时，输出u0的波形。解:ui=6sinωtV（理想模型）

3Vvit06V3）限幅电路练习1:电路如图所示，分析ui大于或者小于多少伏二极管才有可能导通？设：二极管导通电压为0.7V。解：二极管的负极电压为+5V。二极管导通的条件是正偏。且二极管正端电压UP大于二极管负端电压UN的0.7V。由此可知：UD+5V=0.7+5V=5.7V因此当ui大于5.7V后二极管才可能导通练习2:判断二极管导通还是截止？方法：1、从电路中断开二极管

2、判断二极管两端电位的高低如果VP>VN则二极管导通，否则截止。由此可知：二极管截止1.3二极管的应用电路1、稳压二极管O在反向击穿区，流过稳压管的电流发生很大变化，两端电压基本不变。符号2、发光二极管LED（LightEmittingDiode）发光原理：PN结采用特殊结构，正向导通时，由于空穴与自由电子复合而释放出能量，发出一定波长的光。3、光电二极管

普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流；光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光。光电二极管是在反向电压作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，本节小结半导体的特性：热敏特性、光敏特性、掺杂特性；杂质半导体：P型半导体和N型半导体；PN结的特征：单向导电性；晶体二极管的特性曲线及其应用。30直流稳压电源1.直流稳压电源的组成2.串联反馈式稳压电路31§1直流稳压电源的组成

在电子电路及设备中，一般都需要稳定的直流电源供电。本章所介绍的直流电源为单相小功率电源，它能将频率为50Hz，有效值为220V的单相交流电压转换成为幅值稳定，输出电流为几十毫安以下的直流电压。32电源变压器:将交流电网电压u1变为合适的交流电压u2。整流电路滤波电路稳压电路u1u2u3u4uo整流电路滤波电路稳压电路整流电路:将交流电压u2变为脉动的直流电压u3。滤波电路:将脉动直流电压u3转变为平滑的直流电压u4。稳压电路:清除电网波动及负载变化的影响,保持输出电压

uo的稳定。一、直流稳压电源的组成和功能33整流电路的任务：把交流电压转变为直流脉动的电压。二、直流稳压电源的各部分工作原理

常见的小功率整流电路，有单相半波、全波、桥式等。

为分析简单起见，把二极管当作理想元件处理，即二极管的正向导通电阻为零，反向电阻为无穷大。1、整流电路341）、单相半波整流电路的工作原理u2>0时，二极管导通。iLu1u2aTbDRLuo忽略二极管正向压降：

uo=u2u1u2aTbDRLuoiL=0u2<0时，二极管截止,输出电流为0。uo=035uo输出电压波形：u1u2aTbDRLuoiL结论：

单相半波整流电路的特点：

1.简单易行，所用二极管数量少；

2.输出电压低，交流分量大，效率低。

3.因此该电路仅适用于整流电流较小，对脉动要求不高的场合。362）、单相桥式整流电路桥式整流电路+-u2正半周时电流通路u1u2TD4D2D1D3RLuo（1）工作原理37桥式整流电路-+u0u1u2TD4D2D1D3RLu2负半周时电流通路（1）工作原理38u2>0时D1,D3导通D2,D4截止电流通路:A

D1

RL

D3

Bu2<0时D2,D4导通D1,D3截止电流通路:B

D2

RL

D4

A输出是脉动的直流电压！u2桥式整流电路输出波形及二极管上电压波形uou2D4D2D1D3RLuoAB392、滤波电路滤波电路的结构特点:电容与负载RL并联，或电感与负载RL串联。交流电压脉动直流电压整流滤波直流电压原理：利用储能元件电容两端的电压(或通过电感中的电流)不能突变的特性,滤掉整流电路输出电压中的交流成份，保留其直流成份，达到平滑输出电压波形的目的。401）、电容滤波电路以单向桥式整流电容滤波为例进行分析，其电路如图所示。（1）滤波原理桥式整流电容滤波电路au1u2u1bD4D2D1D3RLuoSC+–41（1）

RL未接入时(忽略整流电路内阻)u2tuot设t1时刻接通电源t1整流电路为电容充电充电结束没有电容时的输出波形au1u2u1bD4D2D1D3RLuoSC+–42(2)RL接入（且RLC较大）时(忽略整流电路内阻)u2tuot电容通过RL放电，在整流电路电压小于电容电压时，二极管截止，整流电路不为电容充电，uo会逐渐下降。au1u2u1bD4D2D1D3RLuoSC+–432）、电感滤波电路结构:

在桥式整流电路与负载间串入一电感L就构成了电感滤波电路。电感滤波电路u2u1RLLuo44（1）滤波原理对直流分量:

XL=0相当于短路,电压大部分降在RL上。对谐波分量:

f

越高，XL越大,电压大部分降在XL上。因此，在输出端得到比较平滑的直流电压。Uo=0.9U2当忽略电感线圈的直流电阻时，输出平均电压约为：u2u1RLLuo45（2）电感滤波的特点整流管导电角较大，峰值电流很小，输出特性比较平坦，适用于低电压大电流(RL较小)的场合。缺点是电感铁芯笨重，体积大，易引起电磁干扰。u2u1RLLuo46§2串联反馈式稳压电路整流滤波电路输出电压不稳定的主要原因：·负载变化；·电网电压波动。一、稳压二极管稳压电路稳压二极管471、硅稳压管的伏安特性O在反向击穿区，流过稳压管的电流发生很大变化，两端电压基本不变。482、硅稳压管稳压电路电路组成和工作原理1.UI

不变，RL

减小RLILIRUOIZ基本不变2.RL不变，UI升高UIUOIZURUO=UI-

UR基本不变UOUOIRURUOUO=UI-

UR稳压管稳压电路的特点：

电路最简单，但是带负载能力差，一般只提供基准电压，不作为电源使用。49§6.3.1串联型稳压电路一、串联型稳压电路的结构这种稳压电路的主要回路是起调整作用的晶体管VT与负载RL串联，故称为串联型稳压电路。50二、工作原理达到稳压的目的UF与基准电压UREF相比较，其差值电压，经比较放大电路放大51电源变压器:将交流电网电压u1变为合适的交流电压u2。整流电路滤波电路稳压电路u1u2u3u4uo整流电路:将交流电压u2变为脉动的直流电压u3。滤波电路:将脉动直流电压u3转变为平滑的直流电压u4。稳压电路:清除电网波动及负载变化的影响,保持输出电压uo的稳定。本章小结

三极管放大电路分析应用2.1半导体三极管2.2放大电路的性能指标2.3共发射极放大电路2.4静态工作点稳定的放大电路2.5共集电极和共基极放大电路2.6多级放大电路2.7反馈放大电路复习半导体的特性：热敏特性、光敏特性、掺杂特性；杂质半导体：P型半导体和N型半导体；PN结的特征：单向导电性（即正向导通，反向截止）；晶体二极管的特性曲线及其应用。2.1

半导体三极管

半导体三极管又称为双极型三极管（BipolarJunctionTransistor,简称BJT）。BJT是由两个PN结组成的。它的基本功能是具有电流放大作用。一.BJT的结构NNP发射极E基极B集电极C发射结集电结—

基区—

发射区—

集电区emitterbasecollectorNPN型ECBPPNEBCECBPNP型符号1.三极管放大的条件内部条件发射区掺杂浓度高（有效地发射载流子）基区薄且掺杂浓度低（有效地传输载流子）集电结面积大（有效地收集载流子）外部条件发射结正偏(加正向电压，一般<1V)集电结反偏(加反向电压，一般几伏～几十伏）满足放大条件的三种电路uiuoCEBECBuiuoECBuiuo共发射极共集电极共基极二.BJT的放大原理NNPEBCECB共发射极接法（NPN管）c区b区e区

三极管在工作时要加上适当的直流偏置电压。+UCE

－＋UBE－＋UCB－由VBB保证由VCC、

VBB保证UCB=UCE-UBE>0

NPN型：PNP型：3个电极的电位关系：发射结正向偏置集电结反向偏置

①发射区向基区注入电子

因为发射结正偏，所以发射区多数载流子电子不断通过发射结向基区扩散，形成发射极电流IE

。

②电子在基区的扩散和复合发射区的电子注入基区后，少部分与基区空穴复合，并由基极电源VBB向基区提供空穴，形成基极电流IB。大部分扩散到了集电区的边缘。2．BJT内部的载流子传输过程IEIBIC③集电区收集扩散过来的电子

因为集电结反偏，使扩散到集电结边缘的电子很快地到达集电区，形成集电极电流IC

。3、BJT中的电流分配关系

当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：共发射极直流电流放大系数共发射极交流电流放大系数IEIBICICBO三.BJT的伏安特性曲线（共发射极接法）1、输入特性曲线

iB=f(uBE)

uCE=常数（1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联，与二极管特性相似。（3）uCE≥1V再增加时，曲线右移很不明显。 （2）当uCE=1V时，集电结已进入反偏状态，集电结收集电子能力加强，所以基区复合减少，在同一uBE

电压下，iB

减小。特性曲线右移动。输入回路输出回路RCVCCiBIERB+uBE

+uCE

VBBCEBiC+

+

+

iBRB+uBE

VBB+

VBB+

现以iB=60uA一条加以说明。

（1）当uCE=0

V时，因集电极无收集作用，iC=0。（2）随着uCE↑，集电区收集载流子的能力迅速增强→Ic

↑

（3）当uCE

超过某一数值而使集电结反偏以后，收集电子的能力足够强。这时，发射到基区的电子全被集电极收集，形成iC。所以uCE再增加，iC基本保持不变，曲线比较平坦，略有上翘。同理，可作出iB=其他值的曲线。

2、输出特性曲线

iC=f(uCE)

iB=常数

输出特性曲线可以分为三个区域:

饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE

uBE

条件：发射结正偏，集电结也正偏。

截止区—iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。条件：发射结和集电结都反偏放大区——

饱和区放大区截止区条件：发射结正偏，集电结反偏。特点：曲线基本平行等距。

特点：1)iC

iB2)临界饱和：3)

UCES=0.3V(硅管)

0.1V(锗管)uCE

=uBE例题1：测得电路中几个三极管各极对地电位如图所示，试判断它们各工作在什么区（放大区、饱和区或截止区）。0V5V0.7VT1Si-1V-1.2VT2Ge-6V2V2.7VT3Si2.3V-5.3V-6VT4Si0(a)(b)(c)(d)解：(a)

T1管为NPN型，由于UBE=0.7>0V，发射结为正偏；而UBC=-4.3V<0，集电结为反偏，故工作在放大区。(b)

T2管为PNP型，由于UBE=-0.2<0V，发射结为正偏；而UBC=4.8V>0，集电结为反偏，故工作在放大区。(c)

T3管为NPN型，由于UBE=0.7>0V，发射结为正偏；而UBC=0.4>0，集电结也正偏，故工作在饱和区。(d)

T4管为NPN型，由于UBE=-0.7<0V，发射结为反偏；而UBC=-6V<0，集电结也为反偏，故工作在截止区。例题2:放大电路中，测得几个三极管的三个电极的电位U1、U2、U3分别为下列各组数值，判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？确定其e、b、c。（1）U1＝3.3V、U2＝2.6V、U3＝12V找基极。放大状态，基极电位为中间值。找射极。与基极相差0.7或0.2V的为发射极NPNUB>UEPNPUB<UE

（2）U1＝3.2V、U2＝3V、U3＝12V（3）U1＝6.4V、U2＝11.3V、U3＝12V（4）U1＝8V、U2＝11.8V、U3＝12V例题3：输出特性曲线如图所示求：UCE1时基极电流为80～40uA的（A～B区间）电流放大倍数β。解：基极电流为IB=80和40uA时，做uCE的平行线。集电极电流IC≈7.5~3mA

三极管放大电路分析应用2.1半导体三极管2.2放大电路的性能指标2.3共发射极放大电路2.4静态工作点稳定的放大电路2.5共集电极和共基极放大电路2.6多级放大电路2.7反馈放大电路2.2放大电路的性能指标

一.放大的基本概念

放大——把微弱的电信号的幅度放大。一个微弱的电信号通过放大器后，输出电压或电流的幅值得到了放大，但它随时间变化的规律不能变，即不失真。二.放大电路的主要技术指标1.放大倍数——表示放大器的放大能力，定义为输出信号与输入信号的比值。

（1）电压放大倍数定义为:（2）电流放大倍数定义为:

为了衡量放大器性能的优劣，给放大器规定了几项性能指标：放大倍数（增益）、输入电阻、输出电阻、通频带和非线性失真系数等。2.输入电阻Ri——从放大电路输入端看进去的等效电阻Ri=ui/ii一般来说，

Ri越大越好。（1）Ri越大，ii就越小，从信号源索取的电流越小，即对信号源的影响越小。（2）当信号源有内阻时，

Ri越大，

ui就越接近uS。-----相当于信号源的负载电阻

输出电阻的定义：3.输出电阻RO——从放大电路输出端看进去的等效电阻

放大电路对其负载而言，相当于信号源，我们可以将它等效为戴维南等效电路，这个戴维南等效电路的内阻就是输出电阻。

输出电阻表明放大电路带负载的能力。一般来说，RO越小越好。RO越小，负载电阻RL的变化对输出电压UO的影响越小，放大电路带负载的能力越强。2.3共发射极放大电路三极管放大电路有三种形式共射放大器共基放大器共集放大器以共射放大器为例讲解工作原理

三极管有三个电极，它在组成放大电路时便有三种连接方式，即放大电路的三种组态：共发射极、共集电极和共基极组态放大电路。共射放大电路：输入电压ui和输出电压uo以发射极为公共参考点特点：输入ui为交流小信号；三极管各极信号交直流叠加；输出较大的交流信号uo

。三极管工作在交直混合信号++一、共发射极放大电路的组成集电极电源为电路提供能量。并保证集电结反偏。集电极电阻RC将变化的电流转变为变化的电压。共发射极放大电路各元件的作用:放大元件iC=iB，工作在放大区，要保证发射结正偏，集电结反偏。基极电源与基极电阻Rb

使发射结正偏，并提供适当的静态IB和UBE++耦合电容：电解电容，有极性，不可反接。大小为10

F~50

F作用：隔直通交隔离输入输出与电路直流的联系，同时能使信号顺利输入输出。二、放大电路的分析方法放大电路分析静态分析动态分析估算法图解法微变等效电路法图解法计算机仿真直流信号交流信号

静态：输入信号为零（ui=0）时，放大电路的工作状态，也称直流工作状态；可用估算法和图解法进行分析。

动态：输入信号不为零时，放大电路的工作状态，也称交流工作状态；可用图解法和小信号模型法分析。其主要性能指标为Au

、Ri、Ro

。

电路处于静态时，三极管各电极的电流、电压在特性曲线上确定为一点，称为静态工作点，常称为Q点。一般用IB、IC、和UCE

（或IBQ、ICQ、和UCEQ

）表示。

综合考虑电路的静态分析结果与动态分析结果，即得电路的实际工作情况二、放大电路的分析方法

由于(IB,UBE)和(IC,UCE)分别对应于输入、输出特性曲线上的一个点，所以称为静态工作点（Q点）。QIBQIBUBEUBEQQUCEQICQICUCEIBQ输入特性曲线输出特性曲线直流通路和交流通路放大电路中各点的电压或电流都是在静态直流上附加了小的交流信号。

直流通路：在直流电源作用下直流电流流经的通路，用于研究静态工作点。对于直流通路，1.电容视为开路；2.电感线圈视为短路（即忽略线圈电阻）；3.信号源视为短路，但应保留其内阻。

交流通路：在输入信号作用下交流信号流经的通路，用于研究动态参数。对于交流通路，1.容量大的电容（如耦合电容）视为短路；2.无内阻的直流电源（如+VCC）视为短路。例：对直流信号（只有+VCC）开路开路Rb+VCCRcC1C2T直流通路Rb+VCCRc++对交流信号(输入信号ui)短路短路置零Rb+VCCRcC1C2TRbRcRLuiuo交流通路++Rb称为基极偏置电阻，IB称为基极偏置电流。用估算法分析放大器的静态工作点（IBQ、UBEQ、ICQ、UCEQ）ICQ=

IBQ固定偏置放大电路IBQ+UBEQ-ICQ+UCEQ_UBEQ0.7V

一般硅管导通压降0.7V1、静态工作点的估算输出回路输出特性直流负载线Q由静态工作点Q

确定的ICQ、UCEQ

为静态值。uCE=VCC-iCRc2、静态工作点的图解法iCuCEuo可输出的最大不失真信号3、为什么设置静态工作点？ibQ合适的静态工作点能保证输出电压幅度最大且不失真0µA40µA80µA60µA100µA20µAiCuCEuoQ点过低→信号进入截止区波形顶部失真，称为截止失真信号波形0µA40µA80µA60µA100µA20µAiCuCEuoQ点过高→信号进入饱和区波形底部失真，称为饱和失真信号波形截止失真和饱和失真统称“非线性失真”

交流通路——在输入信号ui作用下交流量所流经的通路，用于分析动态参数。短路短路置零交流通路的画法：将直流电压源短路，将电容短路。4、放大电路的动态分析（1）共发射极放大电路的微变等效电路思路：将非线性的BJT等效成一个线性电路条件：1、设静态工作点一定在放大区，无非线性失真2、只对交流小信号等效三极管的微变等效电路首先考察输入回路iBuBE当信号很小时，将输入特性在小范围内近似线性。

uBEiB对输入的小交流信号而言，三极管BE间等效于电阻rbe。考察输出回路

输出端相当于一个受ib控制的电流源。iCuCEQ△ib△ic画出三极管等效电路：rbe的计算：

画出放大电路的微变等效电路将交流通道中的三极管用微变等效电路代替目的将电子问题化为受控源电路的问题来解决becbec（2）共发射极放大电路动态参数的估算①画出放大器的微变等效电路1）画出放大器的交流通路2）将交流通路转换成微变等效电路②电压放大倍数的计算：

负号表示输入与输出反相；负载电阻越小，放大倍数越小。③输入电阻Ri的计算：根据输入电阻的定义：所以：④输出电阻Ro的计算：根据定义：+-0例1：共射放大电路如图所示。设：VCC＝12V，Rb=300kΩ,Rc=3kΩ,RL=3kΩ,BJT的b

=60。求：1、试求电路的静态工作点Q。

2、估算电路的电压放大倍数、输入电阻Ri和输出电阻Ro。

3.若输出电压的波形出现如下失真，是截止还是饱和失真？应调节哪个元件？如何调节？解：1、求静态工作点+UBEQ－ICQ+UCEQ-

IBQ2、求Au、Ri、RoRi=rbe//Rb≈rbe=761ΩRo=Rc=3kΩ画微变等效电路

3.若输出电压的波形出现如下失真，是截止还是饱和失真？应调节哪个元件？如何调节？解：为截止失真。静态工作点低应减小Rb

三极管放大电路分析应用2.1半导体三极管2.2放大电路的性能指标2.3共发射极放大电路2.4静态工作点稳定的放大电路2.5共集电极和共基极放大电路2.6多级放大电路2.7反馈放大电路

固定偏置放大电路，静态工作点由晶体管参数UBE、

和ICEO决定，而这三个参数会随温度变化而变化。Q变UBE

ICEO变T变IC变2.4静态工作点稳定的放大电路iBuBE25ºC50ºCTUBEIBIC温度对UBE的影响T

、ICEOICiCuCEQQ´温度上升时，输出特性曲线上移，造成Q点上移温度对

值及ICEO的影响总之：TIC

常采用分压式偏置电路来稳定静态工作点。电路见下页。为此，需要改进偏置电路，当温度升高时,能够自动减少IB，IBIC，从而抑制Q点的变化。保持Q点基本稳定。静态工作点稳定的放大电路基极分压偏置式放大电路BE选I1=（5~10）IB∴I1

I2静态工作点稳定过程：

UBE=UB-UE=UB-IE

Re认为UB比较稳定TUBEICICIEUEIB由输入特性曲线I1I2IBICIE电容开路,画出直流通道基极分压偏置式放大电路静态工作点估算:IBQ=ICQ/

UCEQ=VCC-ICQRC-IEQReICQ

IEQ

=（UBQ-UBEQ）/Re

BC1RcRb2+VCCC2RL+

+++

+CeuoRb1ReiBiCiEiRuiRcRb2+VCCRL+

+

uiuoRb1Re动态参数的估算rbe

ebcRcRL+

Rb2Rb1+

例1：基极分压式放大器，各参数如下：Rb1=100k

，Rb2=33k

，Re=2.5k

，RC=5k

，RL=5k

，=60。VCC=15V

求：（1）估算静态工作点；（2）电压放大倍数、输入电阻、输出电阻；（3）若信号源有RS=1k

的内阻，电压放大倍数将变为多少？解：(1)估算静态工作点=（3315）/（100+33）=3.7VICQ

IEQ=(UBQ-UBEQ)/Re

=(3.7-0.7)/2.5=1.2mAIBQ=ICQ/=1.2/60=20AUCEQ=VCC-ICQRc-IEQRe=12-1.2(5+2.5)=6V(2)

电压放大倍数、输入电阻、输出电阻=100+61

(26/1.2)=1422

=1.42k

Ri=

Rb1//Rb2//rbe=100//33//1.42≈1.42k

Ro=

Rc=5k

Au=-

RL’//rbe=-60(5//5)/1.42=-106(3)信号源有RS=1k

的内阻时，电压放大倍数为Aus

三极管放大电路分析应用2.1半导体三极管2.2放大电路的性能指标2.3共发射极放大电路2.4静态工作点稳定的放大电路2.5共集电极和共基极放大电路2.6多级放大电路2.7反馈放大电路上次课内容回顾共射极放大器固定偏置放大电路iEiB+uBE-+uCE-iC基极分压偏置式放大电路B上次课内容回顾用估算法求静态工作点+UBEQ－ICQ+UCEQ-

IBQICQ=

IBQIBQ=ICQ/

UCEQ=VCC-ICQRC-IEQReICQ

IEQ

=（UBQ-UBEQ）/Re

上次课内容回顾电容短路,直流电源短路，画出交流通道12上次课内容回顾用三极管的微变等效电路代替三极管，画出放大电路的微变等效电路，并计算电压放大倍数Au

、输入电阻Ri

、输出电阻RoRi≈

rbeRo=RCRL=RC//RL若没接RL，称为空载，那么

RL=RC（1）结构：2.5共集电极放大电路交流通路Ui作用：b→地输入回路Uo取出：e→地输出回路公共端集电极C接地（2）直流通道及静态工作点分析：

IBIEUBEUCEIC+-+-（3）动态分析①交流通道及微变等效电路②电压放大倍数：2、uO与ui同相位，输出电压跟随输入电压，故又称电压跟随器讨论1、所以③输入电阻Ri共集电极放大电路的输入电阻比共发射极放大电路大得多④输出电阻Ro

共集电极放大电路的输出电阻比共发射极放大电路小得多射极输出器的特点：Au

1

输入输出同相；输入电阻很大；输出电阻小。

射极输出器的用途1、放在多级放大器的输入端，提高整个放大器的输入电阻。2、放在多级放大器的输出端，减小整个放大器的输出电阻，提高带负载能力。3、放在两级之间，起缓冲作用。（1）结构：2.5共基电极放大电路的分析交流通路Ui作用：e→地输入回路Uo取出：c→地输出回路公共端基极b接地（2）直流通道及静态工作点分析：

IBIEUBEUCEIC+-+-直流通路与分压式偏置电路完全相同IBQ=ICQ/

UCEQ=VCC-ICQRC-IEQReICQ

IEQ

=（UBQ-UBEQ）/Re

（3）动态分析①交流通道及微变等效电路②电压放大倍数：共基电路的电压增益在数值上与共射电路相同，且输出电压与输入电压同相。讨论③输入电阻Ri可见，共基电极放大电路的输入电阻比共发射极放大电路小得多④输出电阻Ro

共基极放大电路的输出电阻与共发射极放大电路相同共基电路的应用场合较少，多用于高频和宽频带放大电路中02.6多级放大电路

为获得足够大的放大倍数,需将单级放大器串接,组成多级放大器。第一级第二级第n-1级第n级输入输出耦合耦合方式：(1)直接耦合(2)阻容耦合(3)变压器耦合(4)光电耦合对耦合电路要求：

动态:

传送信号

减少压降损失

静态：保证各级Q点设置

波形不失真

组成多级放大电路的每一个单级电路称为一级，级与级之间为传递信号而产生的连接方式称为级间耦合方式。一、直接耦合

能够放大变化缓慢的信号，便于集成化，Q点相互影响，存在零点漂移现象。二、阻容耦合

不能放大变化缓慢的信号，低频特性差，不能集成化。Q点相互独立。多级阻容耦合放大器的级联Rb1RC1C1C2Rb2Ce1Re1uiRb3+VCCRC2C3C4Rb4Ce2Re2RLuo

多级阻容耦合放大器的分析•

由于电容的隔直作用，各级放大器的静态工作点相互独立，分别估算。•

前一级的输出电压是后一级的输入电压。•

总电压放大倍数=各级放大倍数的乘积。•

总输入电阻Ri即为第一级的输入电阻Ri1。•

总输出电阻即为最后一级的输出电阻。

多级阻容耦合放大器的分析1.电压放大倍数（以两级为例）注意：在算前级放大倍数时，要把后级的输入阻抗作为前级的负载！扩展到n级：2.输入电阻3.输出电阻Ri=Ri1（最前级）Ro=R02（最后级）多级阻容耦合放大器的微变等效电路Ri=Ri1RoRi2uo1ui2前一级的输出电压是后一级的输入电压后一级的输入电阻是前一级的负载电阻。Rb1RC1C1C2Rb2Ce1Re1uiRb3+VCCRC2C3C4Rb4Ce2Re2RLuo=多级阻容耦合放大器的微变等效电路多级阻容耦合放大器的电压放大倍数、输入电阻、输出电阻的计算Ri2第二级的输入电阻

Ri=

Ri1=Rb1//Rb2//rbe1Au1=

uo1

ui=-

1RC1//Ri2rbe1第一级的微变等效电路多级阻容耦合放大器的电压放大倍数、输入电阻、输出电阻的计算

Ri2=

Rb3//Rb4//rbe2

Ro=

RC2第二级的微变等效电路Au2

=

uo

ui2=-

2RC2//RLrbe2ui2=uo1总电压放大倍数Au为正，输入输出同相总放大倍数等于各级放大倍数的乘积代入数值计算:Ri=

Ri1=

Rb1//Rb2//rbe1

=100//33//1.62=1.62k

Ri2=

Rb3//Rb4//rbe2=100//33//1.62=1.62k

Ro=

RC2

=5k

两级单管放大器级联,可提高电压放大倍数;但输入电阻仍很小,输出电阻仍很大。Rb1=Rb3=100k

Rb2=Rb4=33k

Re1=Re2=2.5k

RC1=RC2

=5k

RL=5k

1=2=60rbe1=rbe2=1.62KΩ小结1．基本放大电路的组成。BJT加上合适的偏置电路（偏置电路保证BJT工作在放大区）。2．交流与直流。正常工作时，放大电路处于交直流共存的状态。为了分析方便，常将两者分开讨论。直流通路：交流电压源短路，电容开路。静态分析交流通路：直流电压源短路，电容短路。动态分析3．三种分析方法。（1）估算法（直流模型等效电路法）——估算Q。（2）图解法——分析Q（Q的位置是否合适）；分析动态（最大不失真输出电压）。（3）微变等效电路法——分析动态（电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等）。

4．晶体三极管放大电路的三种组态。（1）共射——AU较大，Ri、Ro适中，常用作电压放大。（2）共集——AU≈1，Ri大、Ro小，适用于信号跟随、信号隔离等。（3）共基——AU较大，Ri小，频带宽，适用于放大高频信号。5．多级放大器。耦合方式：阻容耦合、直接耦合、变压器耦合、光电耦合。电压放大倍数：Au=Au1×Au2×……×Aun

1421.反馈——指在电子系统中，把放大电路的输出量（电压或电流）的一部分或全部，通过电路网络回送到输入回路，达到调节输入量（电压或电流）的连接形式。2.7.1反馈的基本概念放大器反馈电路输入信号输出信号反馈信号控制信号§2.7反馈放大电路正向传输——信号从输入端到输出端的传输反向传输——信号从输出端到输入端的传输1431、有无反馈的判断

若放大电路中存在将输出回路与输入回路相连接的通路，并由此影响了放大电路的净输入，则表明电路存在反馈通路，电路引入了反馈；否则，电路中便没有反馈。负反馈的分类及其判断uiRbRc+VCC+-+-uoC2C1RLiciBiE++反馈网络的判断:与输入输出回路都有联系的网络144有无反馈的判断1452.负反馈与正反馈

负反馈——反馈信号削弱输入信号的作用，从而使放大器的放大倍数降低。正反馈——反馈信号增强输入信号的作用，从而使放大器的放大倍数提高。反馈极性的判断瞬时极性法：

规定电路输入信号在某一时刻对地的极性，并以此为依据，逐级判断电路中各相关点电流的流向和电位的极性，从而得到输出信号的极性；根据输出信号的极性判断出反馈信号的极性；若反馈信号使基本放大电路的净输入信号增大，则说明引入了正反馈；若反馈信号使基本放大电路的净输入信号减小，则说明引入了负反馈。三极管中频区的相位关系b－c：反相（共射）b－e：同相（共集）e－c：同相（共基）动画规律：若反馈信号和输入信号接在同一端点，极性相反为负反馈，极性相同为正反馈。负反馈(+)(-)若反馈信号和输入信号接在不同端点，极性相同为负反馈，极性相反为正反馈。负反馈(+)(+)正反馈(+)(+)正反馈(+)(-)147正反馈判断下列反馈是正反馈还是负反馈？瞬时极性法负反馈148结论！！！反馈引到非输入端，极性相同，构成负反馈；极性相反，构成正反馈。反馈引到输入端，极性相同，构成正反馈；极性相反，构成负反馈。正反馈负反馈正反馈正反馈150直流反馈——若电路将直流量反馈到输入回路，则称直流反馈。3.直流反馈与交流反馈交流反馈——若电路将交流量反馈到输入回路，则称交流反馈。交直流反馈——若反馈环路内,直流分量和交流分量均可以流通,则该反馈环既可以产生直流反馈,又可以产生交流反馈。151交流反馈与直流反馈的判断方法交流反馈：反馈只对交流信号起作用。直流反馈：反馈只对直流起作用。

若在反馈网络中串接隔直电容，则可以隔断直流，此时反馈只对交流起作用。

在起反馈作用的电阻两端并联旁路电容，可以使其只对直流起作用。有的反馈只对交流信号起作用；有的反馈只对直流信号起作用；有的反馈对交、直流信号均起作用。1523.直流反馈与交流反馈直流反馈交直流反馈ic☆直流反馈稳定静态工作点☆交流反馈改善电路性能153增加隔直电容C后，Rf只对交流起反馈作用。+–C1RB1RC1RB21RB22RC2RE2CEC3C2+VCCuoui+–T1T2RfRE1C154增加旁路电容C后，Rf只对直流起反馈作用。C+–C1RB1RC1RB21RB22RC2RE2CEC3C2+VCCuoui+–T1T2RfRE1155

四、负反馈放大电路的四种基本组态求和环节（输入端）采样环节（输出端）组态的概念：1.从采样环节看，反馈量是采样输出电压还是采样输出电流。2.从求和环节看，反馈量和输入量是以电压方式叠加还是以电流方式叠加。电压反馈电流反馈四种组态：电压串联；电压并联；电流串联；电流并联并联反馈串联反馈156

若采样点（输出端）和电压输出端处在三极管的同一个电极上,则为电压反馈；否则是电流反馈。判定方法之一——据定义判断

将反馈放大器的输出端对交流短路,若其反馈信号随之消失,则为电压反馈,否则为电流反馈。(电压反馈)(电流反馈)判定方法之二——按电路结构判定！1、电压反馈和电流反馈（输出端）157规律：若输出信号与反馈信号接在同一个输出端，则为电压反馈。若输出信号与反馈信号接在不同的输出端，则为电流反馈。反馈信号与输入信号接在同一端电压反馈反馈信号与输入信号接在不同端电流反馈158

根据反馈信号在输入端与输入信号比较形式的不同，可以分为串联反馈和并联反馈。串联反馈：反馈信号与输入信号串联，即反馈电压信号与输入信号电压比较。并联反馈：反馈信号与输入信号并联，即反馈信号电流与输入信号电流比较。2、串联反馈和并联反馈（输入端）iifibufuiube159

从电路结构上判断：若反馈回非输入端则为串联反馈；反馈回输入端则为并联反馈。串联反馈和并联反馈的判定

从定义判断：反馈量和输入两翼电压形式叠加为串联反馈；以电流形式叠加为并联反馈。！串联反馈并联反馈160负反馈交流反馈直流反馈电压串联负反馈电压并联负反馈电流串联负反馈电流并联负反馈稳定静态工作点负反馈的分类小结161★反馈组态的判断分析步骤：2.是否负反馈？瞬时极性法4.是负反馈！那么是何种类型的负反馈？（判断反馈的组态）1.找出反馈网络（电阻）。3.是交流反馈还是直流反馈？一、反馈类型的判断162+–C1RB1RC1RB21RB22RC2RE2CEC3C2+VCCuoui+–T1T2RfRE1+-－++负反馈瞬时极性法电压串联负反馈。交直流反馈163例：判断Rf是否负反馈，若是，判断反馈的组态。电流反馈并联反馈瞬时极性法+--负反馈

电流并联负反馈。对直流也起作用，可以稳定静态工作点。uouiiiBiFuFRE2RfRE1RC1RC2+VCCiE2164基本放大电路A反馈网络F放大：迭加：A称为开环放大倍数+–

反馈：Af称为闭环放大倍数Af=Xo/Xi输出信号输入信号反馈信号净输入信号F称为反馈系数

负反馈放大电路的方框图负反馈放大器§2.7.2负反馈对放大电路的分析165负反馈放大器的一般关系闭环放大倍数：开环放大倍数：反馈系数：迭加：1+AF—反馈深度，反映了反馈对放大电路影响的程度。为深度负反馈166

提高电压增益的稳定性

减少非线性失真

扩展通频带

改变输入电阻和输出电阻

在放大器中引入负反馈

降低了放大倍数

使放大器的性能得以改善：§2.7.3负反馈对放大电路的分析1671.提高放大倍数的稳定性闭环时则有反馈时，增益的的稳定性比无反馈时提高了（1+AF)倍另一方面:在深度负反馈条件下Af的相对变化量A的相对变化量

在深度负反馈的情况下，放大倍数只与反馈网络有关。168例题：某一放大电路的开环放大倍数A＝1000，当引入负反馈放大倍数稳定性提高到原来的100倍，求（1）反馈系数；（2）闭环放大倍数；（3）A变化10％的闭环放大倍数的相对变化量。解：∴反馈系数为：闭环放大倍数为：A变化10％的闭环放大倍数及其相对变化量2.负反馈对输入电阻的影响(1)串联负反馈使输入电阻增加（1+AF)倍

无反馈时：

有反馈时：深度负反馈：理解：串联负反馈相当于在输入回路中串联了一个电阻，故输入电阻增加。(2)并联负反馈使输入电阻减小（1+AF）倍

无反馈时：

有反馈时：第3章放大电路中的反馈深度负反馈：Rif理解：并联负反馈相当于在输入回路中并联了一条支路，故输入电阻减小。1713.负反馈对输出电阻的影响

电压负反馈→稳定输出电压→恒压源→输出电阻减小。(1)电压负反馈使输出电阻减小（1+AF)倍

电流负反馈→稳定输出电流→恒流源→输出电阻增大。(2)电流负反馈使输出电阻提高（1+AF)倍第3章放大电路中的反馈AFRoRofAFRoRof

串联负反馈使输入电阻增加（1＋AF）倍；并联负反馈使输入电阻减小（1+AF）倍；电压负反馈使输出电阻减小（1+AF）倍；电流负反馈使输出电阻增加（1＋AF）倍。

总之：1724.减少非线性失真uf加入负反馈无负反馈FufAuiuo+–uiduo大小略大略小略小略大uiA接近正弦波改善了波形失真失真173引入负反馈的一般规则※稳定静态工作点，应该引入直流负反馈。※改善电路的动态特性，应该引入交流负反馈。※根据信号源的性质引入串联反馈或者并联反馈。※根据负载对放大电路输出量的要求，即负载对其信号源的要求，决定引入电压负反馈还是电流负反馈。※根据四种组态反馈电路的功能，在需要进行信号变换的时候，选择合适的组态。174（1）要求RL变化时输出电压基本不变；（2）要求输入端向信号源索取的电流尽可能小；（3）要求信号源为电流源时，输出电压稳定；（4）要求输入电阻大，且输出电流变化尽可能小。电压并联负反馈；1和3连接。电流串联负反馈；2和4连接

电压并联负反馈；1和3连接

电流串联负反馈；2和4连接

175本章小结负反馈的判断：瞬时极性法三极管中频区的相位关系b－c：反相（共射）b－e：同相（共集）e－c：同相（共基）结论！！！反馈引到非输入端，极性相同，构成负反馈；极性相反，构成正反馈。反馈引到输入端，极性相同，构成正反馈；极性相反，构成负反馈。负反馈(+)(-)正反馈(+)(+)负反馈(+)(+)正反馈(+)(-)176负反馈交流反馈直流反馈电压串联负反馈电压并联负反馈电流串联负反馈电流并联负反馈稳定静态工作点负反馈的分类小结规律：若输出信号与反馈信号接在同一个输出端，则为电压反馈。若输出信号与反馈信号接在不同的输出端，则为电流反馈。

从电路结构上判断：若反馈回非输入端则为串联反馈；反馈回输入端则为并联反馈。177负反馈的作用一、稳定放大倍数二、对输入输出电阻的影响三、改善非线性失真四、扩展通频带178电路如图所示，它的最大越级反馈可从T的集电极或发射极引出，接到T1的发射极或基极，于是共有四种接法（1和3、1和4、2和3、2和4相接）。试判断这四种接法各为什么组态的反馈？是正反馈还是负反馈？用瞬时极性法标出各反馈端的极性后判断：1和3：电压并联负反馈。2和3：电压串联正反馈。2和4：电流串联负反馈。

1和4：电流并联正反馈。场效应管放大电路分析应用

晶体三极管是一种电流控制元件(iB~iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道N沟道P沟道FET分类：

绝缘栅场效应管结型场效应管

场效应管（FieldEffectTransistor简称FET）是一种电压控制器件(UGS~iD)，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。

FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。3.1结型场效应管P＋P＋N型半导体N沟道GDS用扩散的方法制作两个P区N型半导体的中间为导电沟道从N型半导体两端引出两个电极，作为源极S和漏极D从两个P区引出电极，作为栅极G耗尽层1.结构与符号二、工作原理

N沟道结型场效应管用改变UGS大小来控制漏极电流ID的。GDSNN型沟道栅极源极漏极P+P+耗尽层

*在栅极和源极之间加反向电压(即uGS＜0)，耗尽层会变宽，导电沟道宽度减小，使沟道本身的电阻值增大，漏极电流ID减小，反之，漏极ID电流将增加。

*耗尽层的宽度改变主要在沟道区。动画特性曲线（1）输出特性曲线场效应管的输出特性是指当栅源电压uGS为某一定值时，漏极电流iD与漏源电压uDS之间的关系，即分为3个区域，即可变电阻区、恒流区和夹断区，分别类似于三极管的饱和区、放大区和截止区。

下图为N沟道JFET的转移特性曲线。uGS＝0时的iD称为饱和漏电流，用IDSS表示。

uGS

越大，iD越小，直观地反映了uGS对iD的控制作用。（2）转移特性曲线场效应管的转移特性是指当漏源电压uDS为某一定值时，漏极电流iD与栅源电压uGS的关系，即夹断电压UGS,off二.绝缘栅型场效应管

由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称MOS场效应管。特点：输入电阻可达109

以上。类型N沟道P沟道增强型耗尽型UGS=0时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管；UGS=0时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。N沟道P沟道P型衬底N+N+用扩散的方法制作两个N区在硅片表面生一层薄SiO2绝缘层用金属铝引出源极S和漏极D在绝缘层上喷金属铝引出栅极G耗尽层S—

源极SourceG—

栅极Gate

D—

漏极Drain1.增强型N沟道MOS管的结构和符号衬底BSDG

符号中的箭头表示从P区（衬底）指向N区（N沟道），虚线表示增强型。

在栅极电压作用下，漏区和源区之间形成导电沟道。在漏极电压作用下，源区电子沿导电沟道行进到漏区，产生自漏极流向源极的电流。改变栅极电压，控制导电沟道的导电能力，使漏极电流发生变化。2.增强型MOS管的基本工作原理：动画特性曲线N沟道增强型MOS管的输出特性曲线和转移特性曲线分别如图（a）、（b）所示。（a）输出特性（b）转移特性N沟道增强型MOS管的输出特性曲线也分为可变电阻区、恒流区和夹断区。由于u