CN119486229A 一种碳化硅沟槽型功率器件及其制备方法 （旭矽半导体(上海)有限公司）_第1页
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文档简介

沟槽内设有低介电常数材料作为器件的源极与低介电常数材料所在的区域可以先于栅极达到2器件的栅极沟槽位于所述外延结构的中心；所述外延结构的两端均设有一个所述源极沟源极，覆盖所述第二氧化物介质层，并与两个所述源极沟在所述源极沟槽内淀积低介电常数材料，作为器件的源极与所述外延结构的接触区继续利用湿法刻蚀工艺对当前的源极沟槽向下进行刻蚀，使得3在所述N外延层的上表面、所述栅极沟槽的底部及侧壁通过热氧工艺生成一层氧化去除所述栅极沟槽外的多晶硅和氧化物；其中，所述栅极继续利用湿法刻蚀工艺对当前的源极沟槽向下进行刻蚀，使得在刻蚀完成的源极沟槽内淀积低介电常数材料，使得所述低介电常数材料与相邻的P4[0001]本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅沟槽型功率器件及其制备方[0002]第三代半导体碳化硅(SiC)在高温、高耐压以及承受大电流等多个方面具备明显述源极沟槽比上部的所述源极沟槽更宽且更靠近所述外5利用干法刻蚀工艺刻蚀所述栅极沟槽两侧的N一外延层，形成两个初始的源极沟6783的侧壁氧化生成一层二氧化硅，该层二氧化硅和栅极沟槽3底部的低介电常数材料相接[0039](2)继续利用湿法刻蚀工艺对当前的源极沟槽向下进行刻蚀，使得刻蚀完成的源时的耗尽区电场被源极沟槽10下部中的低介电常数材料11阻挡，不会扩展到栅极沟槽3底9[0053]具体的，采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺或等离子体增强化学气相沉积[0067]本发明实施例提供的制备方法，通过在碳化硅沟槽型功率器件中制备源极沟槽并淀积低介电常数材料11的工艺简单，不需要考虑与其他掺杂工艺步骤之间的相互影响，描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特

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