CN119487619A 基板处理装置、隔热构造、半导体器件的制造方法以及程序 （株式会社国际电气）

2025.01.06PCT/JP2022/0352392022.09.21WO2024/062572JA2024.03.28水平方向上的内部的上方的截面面积比下方的2配置在所述基板支承部的下方的隔热构造，其包括构成为水所述容器构成为从上方趋向下方在水平方向上的内部的截面面积所述隔热构造还具备在所述容器的内部设置的隔还具有从所述隔热构造的下方向所述处理室供给非活性气体的第二非活性气体供给在与所述隔热构造的上端相比靠下方的处理室的壁所述容器构成为在所述容器的外周侧且被设定在与所述第一排气孔相同的位置或被在所述区域中的所述容器的外侧面的表面设有易于使气体向水所述第一非活性气体供给部朝向所述加热部供相对于所述多个基板分别设置的、朝向所述基板的上表面供相对于所述多个基板分别设置的、将所述处理室与所述排气系3还具备缓冲部，所述缓冲部为供从所述多个第二排气孔各自排气所述基板处理装置还具备在所述区域配置的连接部，所述连接部将所述4[0002]在专利文献1中公开向隔热组件内的上部供给轴吹扫气体、并经由排气孔向隔热气体供给部的说明图。图2的(D)是示出本公开的一方面的第二非活性气体供给部的说明[0017]图4是本公开的一方面的基板处理装置的控制器的概略构成图，是用框图表示控5作为处理气体供给部的气体供给构造212、以及作为处理气体排气部的气体排气构造213。[0027]气体供给构造212在反应管210的侧方设在气体流动方向上游，从气体供给构造气构造213在反应管210的侧方设在气体流动方向下游，反应管210内的气体从气体排气构[0029]在反应管210与气体供给构造212之间的反应管210的上游侧设有对从气体供给构213之间的反应管210的下游侧设有对从反应管210排出的气体的流动进行整流的下游侧整212具有分配从各气体供给管供给的气体的分配部125。在分配部125的下游侧设有喷嘴[0032]分配部125构成为从气体供给管251向多个喷嘴223分别供给气体，从气体供给管6[0036]下游侧整流部215构成为在由作为对基板S进行支承的基板支承部的基板支承用各第二排气孔排气的气体的流量被缓冲部均匀化，能够提高对多个基板S进行处理的均匀7[0044]气体排气构造213为设于反应管210的横向且从基板S的横向将气体排出的横排气底部相比构成在下方、且将下游侧整流部215的空间构成为比上游侧整流部214的空间大，用具300载置的多个基板S的规定的间隔与固定于隔板支承部310的隔板314的上下的间隔[0051]基板支承用具300在铅垂方向(垂直方向)上将多个张例如5张基板S支承于多层。连接有将隔热区域B的环境气体排出的第一排8[0055]在移载室217的内部能够保存在上下方向上驱动基板支承用具300和隔板支承部下，构成为在反应管210内的下方配置有隔热部502，且构成为隔热部502构成设于处理室[0056]上下方向驱动机构部400具备使基板支承用具300与隔板支承部310一并旋转的旋转驱动机构430、相对于隔板支承部310使基板支承用具300相对地在上下方向上驱动的晶[0057]旋转驱动机构430和晶舟上下机构420在基座板402固定于由侧板403支承的作为[0058]在支承部441与支承用具440之间形成有圆环状的空间。在隔热部502的下方的圆[0065]在气体供给管251中的、阀254的下游侧且罐259的上游侧连接有气体供给管25非活性气体供给部255a追加至第一气体供[0067]如图2的(B)所示，在气体供给管261从上游方向起依次设有第二气体源262、9吹扫气体发挥作用也可以将非活性气体源266包含在非活性气体供给部265a内。也可以将非活性气体供给部265a追加至第二气体供[0072]如图2的(C)所示，在气体供给管271从上游方向起依次设有非活性气体源272、体源272供给的非活性气体在将基板支承用具300搬入至处理室201的状态下，作为能够吹扫构成在处理室201的下方配置的隔热区域B的隔热部502内以及隔热部502周边的吹扫气[0074]如图2的(D)所示，在气体供给管701从上游方向起依次设有非活性气体源702、440的周围等的吹扫气体发挥作用。够以使反应管210内的压力成为规定的压力(真空度)的方式进行气部280构成为具有与反应管210的处理室201连通的第二排气管281，经由第二排气管281二排气管281上的阀282的上游侧合流的方将向隔热区域B供给的非活性气体以及隔热区域B的环用非活性气体吹扫隔热区域B来抑制反应副产物的附着，一边抑制对因非活性气体引起的用副加热器513，对与基板S的边缘侧相比温度易于下降的基板S的中心附近进行加热。因[0085]支承部441和支承用具440呈同心圆状地贯穿容器510的底面中心。另外，在容器[0088]支承部441与支承用具440之间的圆环状的空间被用作供非活性气体流动的非活热部502的下方的气体供给管701供给的非活性气体从第一排气部508经由处理室201内的[0092]图4示出控制器600的概略。控制器600构成为具备CPU(CentralProcessing部总线605与CPU601交换数据。基板处理装置10内的数据的收发通过也作为CPU601的一个[0095]需要说明的是，工艺制程以使控制器600执行后述的基板处理工序中的各顺序而[0097]CPU601构成为读取并执行来自存储装置603的控制程序，并且根据来自输入输出基板处理装置10的各部分的动作由控制器6在铅垂方向上层叠了多个基板S的状态下在处理室20气体的罐259向气体供给管251内供给第一气体，在经过规定时间之后关闭阀275而停止向可以打开阀258，经由气体供给管255向气体供给管251内流入N2气体等的非活性气体。另以下，加热器211的温度被设定为使基板S的温度例如为100～1500℃的范围内的温度而在400℃~800℃的期间内进行加热的这种温度。的副加热器513供给，经由容器510的下方的开孔部511从容器510外在基座凸缘401的上表内的副加热器513供给，经由容器510的下方的开孔部511从容器510外在基座凸缘401的上[0136]进行规定次数(n次、n为1以上的整数)按顺序不同时进行上述步骤S100～步骤[0137]在上述步骤S100以及步骤S102中，向处理室201供给的第一气体与第二气体分别[0138]另外，在对搬入至处理室201的基板S进行了加热的状态下向处理室201交替供给和反应副产物。此时，从构成设于处理室201的下方的隔热区域B的隔热部502内与隔热部502的下方供给非活性气体，并且从与隔热部502的侧方连接的第一排气管504排出非活性在水平方向上形成有气体的主流即可，只要在不对多个基板的均匀处理造成影响的范围[0152]隔热部705具有中空圆筒形状的容器710a、以及在容器710a的下方配置的中空圆于滞留在供副加热器513配置的容器710a内，向处理区域A供给的处理气体不易流入容器[0154]另外，容器710b的外侧面与反应管210的内侧面的间隔构成为比容器710a的外侧在被设定为与第一排气孔处于相同位置或者比705内，能够使向支承用具440的周围供给的非活性气体在容器710b的外侧面与反应管210的内侧面之间的空间内大致水平方向地流动。而且，在与隔热部705的上端相比位于下方的、容器710b的与容器710a的连接部的台阶部的侧方的反应管210的壁面上，在与多个槽外周的、包含与排气孔503对应的高度在内的高度范围的空间形成为比其上方的空间宽。热区域B供给的非活性气体变得不易流入处理区与在增大基板S的表面与隔板801的间隔的情况下，基板S的表面中的处理气体的浓度分布[0164]在第4方面中，反应管210与形成处理室201的内管210a、内管210a呈同心圆状设的、供隔热部902的容器910b配置的高度位置的整面形成有作为第一排气孔的开孔部904。向流动。在作为容器910a与容器910b的连接部的台阶部的、容器910b的侧方设有开孔部体不向处理区域A流动，从容器910b的侧方经由开孔部904向水平方向流动而从排气孔244理室201交替供给第一气体和第二气体并且向隔热区域B供给非活性气体的情况进行了说明了使用具有热墙型的处理炉的基板处理装置而形成膜的例子。本公开不限于上述方面，也能够适当地应用于使用具有冷墙型的处理炉的基板处理装置形成膜