CN119497906A 基板层叠体的制造方法和基板层叠体 （三井化学株式会社）

2024.12.31PCT/JP2023/0248252023.07.04WO2024/010007JA2024.01.11工序B，使所述第一层叠体的所述第一树脂层与所述第二层叠体的所述第二无机材料层接触而2工序B，使所述第一层叠体的所述第一树脂层与所述第二层叠体的所述第二无机材料工序C，在所述工序B之后，在100℃以上对所述第一层叠体和所述第二层叠体进行加2.根据权利要求1所述的基板层叠体的制造方法，所述第一层叠体在所述第一树脂层所述第二层叠体在所述第二树脂层的表面的一部分和所述第二无机材料层的表面的3.根据权利要求2所述的基板层叠体的制造方法7.根据权利要求1～4中任一项所述的基板层叠体的制造方法，在所述工序B中使所述8.根据权利要求1～4中任一项所述的基板层叠体的制造方法，在所述工序B中使所述第一树脂层与所述第二无机材料层接触之前，所述第一树脂层的固化率为70％以上100%9.根据权利要求1～4中任一项所述的基板层叠体的制造方法，在所述工序B中使所述10.根据权利要求1～4中任一项所述的基板层叠体的制造方法，在所述第一树脂层的11.根据权利要求1～4中任一项所述的基板层叠体的制造方法，所述第一树脂层包含12.根据权利要求1～4中任一项所述的基板层叠体的制造方法，所述第二无机材料层3所述第一层叠体和所述第二层叠体经由所述第一层叠体的所述第一树脂层和所述第14.根据权利要求13所述的基板层叠体，所述第一层叠体在所述第一树脂层的表面的所述第二层叠体在所述第二树脂层的表面的一部分和所述第二无机材料层的表面的4贴合时的接合强度的方面出发，优选对基板的接合面实施等离子体处理、FAB(FastAtom5[0015]工序B，使上述第一层叠体的上述第一树脂层与上述第二层叠体的上述第二无机层的表面的一部分和上述第一无机材料层的表面[0018]上述第二层叠体在上述第二树脂层的表面的一部分和上述第二无机材料层的表[0020]＜4＞根据＜1＞所述的基板层叠体的制造方法，在上述工序C之后，包括以下工[0027]＜11＞根据＜110＞中任一项所述的基板层叠体的制造方法，上述第一树[0028]＜12＞根据＜111＞中任一项所述的基板层叠体的制造方法，上述第二无6[0032]上述第一层叠体和上述第二层叠体经由上述第一层叠体的上述第一树脂层和上[0034]上述第二层叠体在上述第二树脂层的表面的一部分和上述第二无机材料层的表表面活化处理和清洗处理的方法的限制得以抑制的基板层叠体的制造方法以及该制造方7基板的接合面的表面活化处理和清洗处理的方法的限制得以抑制的基板层叠体的制造方[0047]本公开的基板层叠体的制造方法包括准备第一层叠体和第二层叠体的工序A。第333[0051]除此以外，作为第一基板和第二基板的材质，还可以是树脂：聚二甲基硅氧烷8与第一树脂层接触的一侧的面和第二基板的与第二树脂层接触的一侧的面中的至少一者氧处理等臭氧处理等表面处理而分别设置于它们[0064]羟基优选以与第一基板或第二基板中所含的选自由一基板的与第一树脂层接触的一侧的面和第二基板的与第二树脂层接触的一侧的面优选[0065]环氧基可以通过对第一基板和第二基板的表面进行利用环氧硅烷的硅烷偶联等[0066]羧基可以通过对第一基板和第二基板的表面进行利用羧基硅烷的硅烷偶联等表[0067]氨基可以通过对第一基板和第二基板的表面进行利用氨基硅烷的硅烷偶联等表[0068]巯基可以通过对第一基板和第二基板的表面进行利用巯基硅烷的硅烷偶联等表9x[0083]化合物(A)是具有包含伯氮原子和仲氮原子中的至少一者的阳离子性官能团、且2基)中所含的氮原子)、或者仅与3个氢原子和1个除氢原子以外的原(A)为具有硅氧烷键(Si_O键)和氨基的化合物的情况下，重均分子量优选为130以[0094]需要说明的是，在本公开中，重均分子量是指，对于单体以外，通过GPC(Gel剂，使用分析装置ShodexDETRI_101和2种分析柱(东曹制TSKgelG6000PWXL_CP和TSKgelG3000PWXL_CP)以流速1.0mL/min检测折射率，将聚乙二醇/聚环氧乙烷作为标准[0102]这些聚亚烷基亚胺衍生物可以通过使用上述聚亚烷基亚胺通常进行的方法来制聚亚烷基亚胺反应来提高聚亚烷基亚胺的支化度而得的单体与骨架中具有多个仲氮原子的聚亚烷基亚胺反应，将上述多个仲氮原子中的至少1个伯氮原子的聚亚烷基亚胺反应，将上述多个伯氮原子中的至少1个用含有阳离子性官能(4(甲氧基二甲基甲硅烷基)苯基)苯甲酰胺、3,5二氨基N(4(三乙氧基甲硅烷基)苯[0131]化合物(A)具有伯氨基或仲氨基，因此通过与可存在于第一基板和第二基板的表[0136]如上所述，化合物(A)具有包含伯氮原子和仲氮原子中的至少一者的阳离子性官[0139]本公开中，第一树脂层中或第二树脂层中的来源于化合物(A)的成分的含量没有[0144]交联剂(B)是分子内具有1个以上6个以下的X为氢原子的一C(4个以下的C(＝O)OH基的化合物，进一步优选为分子内具有2个或3个C(＝O)OH基的化合[0145]交联剂(B)是重均分子量为200以上2000以下的化合物。交联剂(B)的重均分子量[0149]作为交联剂(B)在分子内所具有的环结构，例如优选为选自由环丁烷环、环戊烷[0151]交联剂(B)优选在分子内具有氟原子，更优选在分子内具有1个以上6个以下的氟3个以下的酯键的化合物，更优选为分子内含有2个以下的羧基且含有2个以下的酯键的化四甲基二硅氧烷、4,4’_(乙炔_1,2_二基)二邻苯二甲酸(4,4’_(Ethyne_1,2_diyl)基))双(氧基))二邻苯二甲酸(4,4'_((oxybis(4,1_phenylene))bis(oxy))diphthalic[0157]作为上述羧酸酯化合物的具体例，可举出上述羧酸化合物的具体例中的至少1个)2。[0162]经半酯化的化合物例如可以通过将上述羧酸化合物的酐[0163]本公开中，第一树脂层中和第二树脂层中的来源于交联剂(B)的成分的含量没有物(A)的物质中的全部氮原子的数量的比率((_(C＝O)_Y)/N)各自独立地优选为0.1以上[0165]工序A可以在第一基板和第二基板中的至少一者的表面上赋予包含树脂材料的树[0167]作为极性溶剂(D)的沸点，从通过形成第一树脂层和第二树脂层时的加热来使极性溶剂(D)挥发，减少第一树脂层中和第二树脂层中的残留溶剂的量的方面出发，优选为比来源于化合物(A)中的氨基的铵离子与来源于交联剂(B)中的羧基的羧酸根离子的相互酸(C1)中的羧基的数量相对于化合物(A)中的全部氮原子的数量的比率(COOH/N)优选为互作用比来源于化合物(A)中的氨基的铵离子与来源于交联剂(B)中的羧基的羧酸根离子碱(C2)中的氮原子的数量相对于交联剂(B)中的羧基的数量的比率(N/COOH)优选为0.5以[0177]包含树脂材料的树脂组合物可以包含极性溶剂(D)以外的溶剂，例如可举出正己脂材料的膜厚根据第一树脂层和第二树脂层的预期厚度适[0188]优选将赋予到第一基板的一个表面和第二基板的一个表面的树脂材料在100℃~450℃加热而使其固化。℃,更优选为180℃~400℃,进一步优选为180℃~250℃,特别优选为180℃~200℃。[0198]关于树脂材料是否发生了固化，例如利用FT_IR(傅立叶变换红外分光法)测定特[0205]将树脂材料固化而成的第一树脂层和第二树脂层中的至少一者优选具有硅氧烷[0206]将树脂材料固化而成的第一树脂层和第二树脂层优选钠和钾的含量分别以元素抑制产生晶体管的工作不良等半导体装置的电[0208]树脂层的表面的硅量可以通过利用X射线光电子分光装置(XPS)的原子比测定来素的合计量设为100％时的窄谱的峰强度测[0209]第一树脂层和第二树脂层的厚度各自独立地优选为0.001μm～8.0μm，更优选为[0210]在第一树脂层的表面的一部分和第二树脂层的表面的一部分设置有电极的情况机材料层、其他层等的接合强度以及抑制第一树脂层和第二树脂层的厚度偏差的方面考够在第一树脂层的表面形成化学键的官能团，更优选具有选自由硅烷醇基(Si_OH基)、氨[0215]关于树脂层的表面是否具有Si_OH基，可以通过利用飞行时间型二次离子质谱法(TOF_SIMS)对树脂层进行表面分析来评价。具体而言，可以使用作为TOF_SIMS的PHInanoTOFII(ULVAC_PHI株式会社)，根据有无质荷比(m/Z)45的峰来评价树脂层的表面是否和第二无机材料层可以各自独立地包含选自由[0224]第一层叠体可以在第一树脂层的表面的一部分和第一无机材料层的表面的一部[0225]可以从第一层叠体中的第一树脂层侧的面朝向第一无机材料层侧的面设置贯通形成电极，也可以在形成第一无机材料层之后在形成有第一无机材料层的面上形成电极。于金属研磨的配合有过氧化氢和二氧化硅的浆料等。在使用等离子体干式蚀刻的情况下，进行电极表面的氧化物的还原处理。作为还原处理方法，有在甲酸等酸气氛中以100℃~知的方法在基板的形成有树脂层的面或基板的形成有无机材料层的面上形成用于形成电[0236]第一层叠体和第二层叠体可以是根据需要通过进行切割加工而被单片化的层叠[0238]本公开的基板层叠体的制造方法包括使第一层叠体的第一树脂层与第二层叠体[0239]工序B是在后述的工序C中经由第一树脂层和第二无机材料层将第一层叠体和第二层叠体接合时成为期望的位置关系的方式使第一层于第一树脂层侧的电极与设置于第二无机材料层的电极接触的方式使第一层叠体和第二[0241]在工序B中使第一树脂层与第二无机材料层接触之前，第一树脂层的固化率优选[0242]第一树脂层的固化率更优选为80％以上，进一步优选为85％以上，特别优选为[0243]另外，第二树脂层的固化率的优选范围与第一树脂层的固化率的优选范围同成的组中的至少一种的树脂层(第一树脂层和第二树脂层中的至少一者)的固化率更优选料层接触之前的第一树脂层的特定的键和结构的峰强度)/(在工序C中以300℃加热1小时后的第一树脂层的特定的键和结构的峰强度)]×100[0249]对于上述峰强度的增加率而言，存在多个产生峰强度增[0250]在工序B中使第一树脂层与第二无机材料层接触之前，第一树脂层在23℃时的复序B中使第一树脂层与第二无机材料层接触时形成的空隙在工序C中被第一树脂层吸收而复合弹性模量的优选范围同样。第二树脂层在23℃时的复合弹性模量可以为与其他层(例[0253]树脂层在23℃时的复合弹算求出在23℃时的复合弹性模量。νs分别表示试[0258]在工序B中使第一树脂层与第二无机材料层接触之前，第一树脂层的表面粗糙度[0260]树脂层的表面粗糙度可以通过利用扫描型探针显微镜(SPM)的形态观察来评价。[0261]本公开的基板层叠体的制造方法可以在上述工序B之前包括以下记载的各种工[0262]本公开的基板层叠体的制造方法可以在工序B之前包括对第二无机材料层实施表设置表面保护层的工序。设置表面保护层的工序优选在上述清洗工序之前且工序B之前进[0271]本公开的基板层叠体的制造方法可以在工序B之后且工序C之前包括将第一层叠体和第二层叠体临时固定的工序。第一层叠体和第二层叠体的临时固定优选在室温以上49434950.的方法，通过刀片插入试验求出。在临时固定的层叠体的接合界面插入厚度[0277]本公开的基板层叠体的制造方法在工序B之后包括在100℃以上对第一层叠体和[0278]将第一层叠体与第二层叠体接合时的压力没有特别限制，优选绝对压力为大于[0281]工序C中，优选在使第一树脂层与第二无机材料层接触的状态下在100℃~450℃[0283]上述温度优选为100℃~400℃,更优选为130℃~350℃,更优选为150℃~300℃,进一步优选为150℃~250℃,特别优选为150℃~200℃。[0284]在工序B中以设置于第一树脂层侧的电极与设置于第二无机材料层的电极接触的[0290]本公开的基板层叠体的制造方法在工序C之后可以包括如下工序：从第一无机材形成贯通第一层叠体和第二层叠体的电极。在工序C中得到的基板层叠体中未形成电极的[0295]本公开的基板层叠体的制造方法中，可以在工序C之后根据需要对基板层叠体的[0304]以下，使用图1a～图1h以及图2a～图2i对基板层叠体的制造方法的例子进行说备具备贯通的电极4且表面经平坦化的晶片3。在晶片3的表面形成有氧化膜等无机材料层