GB-T 48208-2026《刚性有机封装基板规范》

1GB/T48208—2026刚性有机封装基板规范相应的检验方法。本文件适用于金属丝键合封装和倒装芯片封装用刚性有机封装基板(以下简称封装基板)。本文件不适用于陶瓷封装基板和挠性封装基板。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于GB/T2036印制电路术语GB/T2423.17环境试验第2部分：试验方法试验Ka:盐雾GB/T2423.22—2012环境试验第2部分：试验方法试验N:温度变化GB/T4588.3印制板的设计和使用GB/T4677—2002印制板测试方法GB/T4721—2021印制电路用刚性覆铜箔层压板通用规则GB/T4937.4—2012半导体器件机械和气候试验方法第4部分：强加速稳态湿热试验GB/T4937.22—2018半导体器件机械和气候试验方法第22部分：键合强度GB/T4937.30—2018半导体器件机械和气候试验方法第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理GB/T5230印制板用电解铜箔GB/T6040—2019红外光谱分析方法通则GB/T6461—2002金属基体上金属和其他无机覆盖层经腐蚀试验后的试样和试件的评级GB/T16921—2005金属覆盖层覆盖层厚度测量X射线光谱法GB/T17359—2023微束分析原子序数不小于11的元素能谱法定量分析GB/T19247.6—2024印制板组装第6部分：球栅阵列(BGA)和盘栅阵列(LGA)焊点空洞的评估要求及测试方法GB26572电器电子产品有害物质限制使用要求GB/T29505—2013硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法GB/T29847—2025印制板用铜箔测试方法GB/T30693—2014塑料薄膜与水接触角的测量GB/T31471印制电路用金属箔通用规范2GB/T33015多层印制板用粘结片通用规则GB/T34018—2017无损检测超声显微检测方法GB/T35005—2018集成电路倒装焊试验方法GB/T39241—2020无损检测超声检测穿透技术SJ/T10309—2016印制板用阻焊剂SJ/T10668电子组装技术术语SJ/T11551高密度互连印制电路用涂树脂铜箔SJ/T11584锡球规范SJ21091—2016印制板外观和尺寸检验方法SJ21092—2016印制板电气性能测试方法SJ21093—2016印制板物理性能测试方法SJ21193印制板离子迁移测试方法及要求SJ/Z21284印制板导通孔保护设计指南SJ21555—2020印制板高速电路信号传输损耗测试方法3术语和定义GB/T2036和SJ/T10668界定的以及下列术语和定义适用于本文件。封装基板packagesubstrate最基本的单颗封装基板产品。由单体按照一定规律重复排布形成的组合体。封装基板上用于金属线键合的区域。预置焊球pre-solderball通过印刷焊膏或植球的方式在封装基板贴晶片区域焊盘上制作的焊球。积层胶膜build-upfilm由改性环氧树脂及填料等混合制成的半固化膜层。布设总图masterdrawing用以描述待制产品的部分或全部的尺寸限制或网格位置的工作文件，包括导电和非导电图形或组件的布局。3通过激光对覆铜箔层压板或介质层进行双面对钻加工，形成的形状像“X”的孔。标引序号说明：图1覆铜箔层压板X型孔示意图镀覆孔platedthroughhole在印制板的内层间，外层间或内外层间的导电图形之间起电气连接作用且其孔壁镀覆有金属的孔。导通孔via一种用于内层连接的金属化镀覆孔，但并不用来插入元件引线或其他增强材料。微导通孔microvia积层导通孔build-upvia孔深度(x)与孔径(y)比不大于1,且捕获连接盘到目标连接盘距离(同孔深度)不超过0.25mm的盲孔(如图2所示)。4标引序号说明：1——捕获连接盘；2——目标连接盘。图2微导通孔示意图非支撑孔unsupportedhole非支撑槽unsupportslot印制板上无镀层或无其他类型导电增强材料的槽。夹杂物inclusions起泡blister层压板基材的任意层之间或基材与导电箔或保护涂层之间的局部膨胀和分离形式的分层。印制板内基材层间、基材与导电箔之间、敷形涂层与表面之间或者内部其他任何平面间的分离。毛刺burr由诸如钻孔或切削等机械加工而导致的凸于表面的不规则形状的突起或小块。晕圈haloing由于机械加工产生的基材表面上或表面下的破裂或分层，通常表现为孔或其他机械加工部位的周围呈现泛白区域。5金属丝键合封装wirebondingpackage通过金、铜、铝等金属或合金丝，使晶片与封装基板对应焊盘实现互连的封装方倒装芯片封装flipchippackage通过晶片下方凸点与封装基板对应焊盘实现互连的封装方式。焊盘完好区pristineareaofpad矩形焊盘中央宽度的80%乘以长度的80%的范围，或圆形焊盘以焊盘直径的中点为中心，焊盘直径80%以内的范围。封装基板预置焊球后，各焊球和所建立的基准平面之间的距离。异物foreignmaterial能从封装基板外部观察到的布设总图之外的三维金属或非金属材料。从阻焊膜一侧的外缘到同侧阻焊膜最深凹入点间平行于封装基板板面的距离。4应用等级根据客户和/或最终用途的要求，符合本文件的产品分为1级、2级和3级3个应用等级。采购方有责任在其合同或采购文件中规定每种产品的应用等级要求，并且当需要时应指出特定参数的例外要求。具体等级如下。a)1级对应于通用电子产品，包括消费产品，某些计算机和计算机外围设备以及适用于主要要求是完整组件功能的应用的硬件。b)2级对应于专用服务电子产品，包括需要高性能和长寿命且需要不间断服务但非强制性的通信设备，复杂的商用机器和仪器。c)3级对应于高性能电子产品，包括具有持续性能或按需性能的设备；设备的停机时间不能容忍，最终使用环境可能会非常恶劣，并且设备应在需要时运行，如生命支持系统和其他关键5要求5.1一般要求封装基板的一般要求如下：a)封装基板承制方应使用能生产符合本文件要求产品的生产设备、检验设备和检验程序；b)封装基板应符合本文件的规定，并与相关布设总图的设计、结构的要求以及材料的特性相6c)封装基板产品的性能可通过检验成品封装基板、附连测试板或质量一致性测试图形来验证。封装基板的设计应符合布设总图的规定，没有明确要求时，应符合GB/T4588.3的规定，超出该文件要求的部分应由采购方确定。封装基板附连测试板图形的设计、数量、位置和用途应符合合格鉴定用测试图形和布设总图的相关规定，并能反映封装基板中最复杂生产工艺的情况，如微导通孔堆叠结构、最小镀间距等；有插损要求的，应增加插损测试模块；对金属丝键合封装用封装基板应包括用于键合强度测试的模块(或使用成品封装基板);对倒装芯片封装用封装基板应包括用于焊球结合强度测试的模块(或使用成品封装基板);应符合采购文件的规定或供需双方的商定。5.3.1一般要求除另有规定外，应使用能生产出符合本文件要求的成品封装基板的材料。任何材料的验收和认证，不应视为替代成品封装基板的验收依据。除另有规定外，封装基板用材料的限用物质含量应满足GB26572的要求。在满足封装基板要求的条件下，应最大程度地采用可重复利用、可回收或环保型树脂材料，以有助于清洁生产和降低整个产品生命周期的碳足迹。5.3.2层压板及封装基板用粘结材料除另有规定外，封装基板用刚性覆铜箔和未覆铜箔层压板应符合GB/T4721—2021的相关规定，应满足封装基板平面方向的热膨胀系数要求及对层压板的外观要求等，并应符合采购文件的规定或供需双方的商定。除另有规定外，封装基板用粘结材料(除积层胶膜外)应符合GB/T33015的相关规定，应满足封装基板对粘结片的外观要求，及压合后平面方向的热膨胀系数要求和厚度精度要求等，其中封装基板用积层胶膜还应满足制造过程中的化学镀铜或真空溅射镀铜或离子注入镀铜的结合力要求，并应符合采购文件的规定或供需双方的商定。采购文件应规定适用的介质类型、介质厚度、绝缘特性、覆金属箔类型及覆金属箔厚度(质量)等规格。当有其他要求时，则应在采购文件中对这些要求作出明确规定。5.3.3铜箔除另有规定外，封装基板应使用低轮廓型铜箔，封装基板用铜箔的类型应符合GB/T4721—2021中4.3.3.1的规定，对于未包括在GB/T4721—2021中4.3.3.1的铜箔型号，应符合采购文件的规定或由供需双方商定。除另有规定外，封装基板用铜箔类型外的其他要求应符合GB/T5230和GB/T31471的规定，封装基板用覆树脂铜箔应符合SJ/T11551的规定，应满足封装基板对铜箔的外观要求、厚度精度、轮廓要求等，以及对载体铜箔的要求等，并应符合采购文件的规定或供需双方的商定。厚度小于5μm铜箔应符合采购文件的规定或供需双方的商定。5.3.4阻焊剂除另有规定外，封装基板用液态感光型阻焊剂应按封装基板的应用等级选用SJ/T10309—2016中7GB/T48208—2026对应等级的阻焊剂，应满足封装基板上最小导体宽和导体间距的绝缘性能、附着力及导通孔保护的要求等，并符合采购文件的规定或供需双方的商定。除另有规定外，封装基板用干膜型阻焊剂，应满足封装基板上最小导体宽度和导体间距的绝缘性阻焊剂应能耐受在后期制造过程中的助焊剂、焊过程的处理，以及与封装材料的兼容等。5.3.5导通孔保护材料除另有规定外，封装基板用导通孔保护材料应符合SJ/Z2的规定；使用塞孔树脂时，应满足和孔壁铜的结合力、与化学镀铜或真空溅射镀铜或离子注入镀铜的结合力要求，满足和封装基板材料的膨胀系数匹配要求等；应符合采购文件的规定或供需双方的商定。除另有规定外，封装基板用预置锡球应符合SJ/T11584的规定，标称直径小于100μm的锡球或以非锡基材料为主体的焊球，应符合采购文件的规定或供需双方的商定。5.4外观和尺寸5.4.1基材5.4.1.1基材边缘长度应不超过边缘与最近导体距离的50%或0.50mm,两者取小值，其沿封装基板边缘的长度应不大于2.5mm。对于非金属毛刺，只要不会脱落或不影响封装和功能，则可接收。除另有规定外，按条交付的封装基板的边缘的金属毛刺长度应不大于0.20mm,按单体交付的封装基板的边缘应无金属毛刺。槽的长和宽公差，沿半径方向的长度应小于孔或槽边缘到最近导体间距的50%,且未伤及孔环外图形5.4.1.2表面缺陷5.4.1.2.1一般要求封装基板应无局部基材破损或穿孔。局部出现因树脂团聚或基材粗糙导致的介质层色差可接收。或其他有损基材性能的可见缺陷)满足下列要求时，则可接收：a)缺陷未使单体外相邻导电图形之间跨接；b)缺陷未使相邻导电图形之间的间距减小到小于规定的最小间距要求。5.4.1.2.2露纤维、露织物或纤维断裂除另有规定外，单体外表面增强材料露纤维、露织物或纤维断裂应未延伸到单体内；对1级、2级用封装基板，单体内表面增强材料露纤维、露织物或纤维断裂未使相邻导电图形之间的间距减小到小于规定的最小间距要求，则可接收；对3级用封装基板，则不应接收。85.4.1.2.3表面凹坑和空洞除另有规定外，单体外基材表面的凹坑和空洞应未延伸到单体内；单体内基材表面，对3级用封装应无凹坑或空洞；对1级、2级用封装基板满足下列要求时，则可接收：a)最大深度不大于2μm;b)未使导电图形之间跨接。5.4.1.2.4显布纹除另有规定外，显布纹可接收。除另有规定外，单体外基材表面的异物不应延伸到单体内；单体内基材表面的非金属异物不应桥接相邻的导体，未使相邻导体之间的间距减小到小于规定的最小间距要求；单体内基材表面不应有金属异物。5.4.1.3表面下缺陷5.4.1.3.1一般要求内；因材料本身特性引起的基材色差(如局部树脂聚集引起的介质层颜色加深),可接收，其他原因导致的色差不应接收。5.4.1.3.2外来夹杂物除另有规定外，封装基板单体外不挥发、不移动的外来夹杂物应未延伸到单体内；单体内金属丝键a)外来夹杂物是半透明的；b)外来夹杂物未使相邻导电图形之间的间距减小到小于规定的最小间距要求。5.4.1.3.3白斑和微裂纹除另有规定外，封装基板单体外的白斑和微裂纹应未延伸到单体内，单体内不应有白斑和微裂纹。5.4.2.1一般要求除另有规定外，封装基板、鉴定检验用试样及每套质量一致性检验用测试图形(与单个附连测试板对应)均应当作标记，以保证封装基板、鉴定检验用试样、质量一致性检验用测试图形之间和制造历史的可追溯性，并可识别供应商(商标等)。应采用与生产导电图形相同的工艺制作蚀刻标记，或使用激光标记装置，在用于标记的金属区域或阻焊区域上制作出日期代码、条形码或二维码等标记。使用日期代码时，其格式应由采购方决定或供需双方商定，以实现对生产操作完成日期的可追溯性。蚀刻标记应当视为电路的电气元件，且不应降低电气间距的要求。所有标记均应符合相关文件的规定。所有标记均应能与后续加工使用的材料及部件相兼容，能经受封装基板制造、封装、组装和使用过程中的焊剂、清洗溶液和熔融焊料的基板的性能。所有标记在物理性能、化学性能或环境性能检验中应清晰可辨，且在任何情况下均不影响GB/T48208—20269封装基板的性能。5.4.2.2蚀刻标记除另有规定外，蚀刻标记(字符型、圆型、T字型、十字型等)应a)标记应清晰可辨；b)标记应不违反最小电气间隙的要求；5.4.2.3激光标记按采购文件或布设总图的要求，激光标记的方式应是不打穿阻焊的不露铜方式，或打穿阻焊露铜的方式，或打穿阻焊后铜面镀覆镍金的方式，或金面激光打黑的方式等。激光加工的条形码、二维码标记应能正确读取。除另有规定外，条形码或二维码标记出现涂污、模5.4.3导电图形5.4.3.1导电图形与基材粘结交收态下，导电图形与基材之间不应出现任何剥离和起翘。5.4.3.2导体最终表面镀层或涂层5.4.3.2.1导体表面最终镀层或涂层的覆盖性除另有规定外，导电图形表面镀涂层应符合下列规定及表1规定(封装基板的区域划分按附录A):a)导电图形的垂直边缘允许不完全被镍金镀涂层覆盖；b)导电图形表面应无镀涂层的起翘或分离；c)导电图形表面的焊料或镀层应无晶须；表1导体表面最终镀层或涂层的覆盖性区域键合区10倍放大镜下观测，无露镍、露铜和露基材倒装晶片放置区(未预置焊球)10倍放大镜下观测，无露镍、露铜和露基材倒装晶片放置区(已预置焊球)焊盘上无未预置焊球、预置焊球不完整或预置焊球偏10倍放大镜下观测，无露镍、露铜和露基材胶口、背面静电释放(ESD)金属区、背面焊盘区等或蚀刻标记面积的10%,对3级用封装基板不大于焊盘GB/T48208—20265.4.3.2.2导体表面最终镀层或涂层的划伤除另有规定外，导体表面最终镀层或涂层在外部硬物质机械力(刮、擦、划)作用下所造成的导体表面划伤应按表2判定，封装基板的区域划分应符合附录A的要求。表2导电图形最终镀层或涂层的划伤区域键合区10倍放大镜下观测，无划伤露镍、露铜和露基材倒装晶片放置区(未预置焊球)10倍放大镜下观测，划伤未露铜、露基材和造成线路弯曲受损倒装晶片放置区(已预置焊球)1)划伤未露铜和露基材，且未超过焊盘或蚀刻标记面积的20%;2)划伤未露基材，划伤露铜长度未超过0.1mm,且未超过焊盘或蚀刻标记面积的10%;3)刷磨造成的刷痕未露铜和露基材，且与正注胶口、背面ESD金属区划伤未造成注胶口、背面ESD金属区贯穿，且未超过注胶口或背白光下30cm目视，划伤未露镍、露铜和露基材，划伤长度不大于2.50mm,宽度不5.4.3.2.3导体表面最终镀层或涂层异物除另有规定外，单体外导体表面最终镀层或涂层异物应未延伸到单体内，高度不大于15μm,单体内则应满足以下要求：a)键合区、晶片放置区(未预置焊球)、蚀刻标记表面应无异物；b)板边连接器连接盘上的异物尺寸不大于0.25mm,高度不大于10μm,每个单体不多于5处；c)注胶口、背面ESD金属区的异物尺寸不大于1.27mm,高度不大于15μm,面积不大于注胶口或背面ESD金属区面积的20%;d)其他区域焊盘或蚀刻标记上的异物未跨接相邻导体，未使相邻导体之间的间距减小到小于规定的最小间距要求，尺寸不大于50μm,高度不大于15μm和不高于阻焊膜，两者取小值，面积不大于导体面积的10%。5.4.3.2.4导体表面最终镀层或涂层渗镀除另有规定外，单体外导体表面最终镀层或涂层渗镀应未延伸到单体内，单体内则不应桥接相邻的导体，未使相邻导体之间的间距减小到小于规定的最小间距要求。5.4.3.2.5导体表面最终镀层或涂层的变色和污染除另有规定外，导体表面最终镀层或涂层的变色或污染应按表3判定，封装基板的区域划分应符合附录A的要求。GB/T48208—2026表3导体表面最终镀涂层或涂层的变色或污染区域键合区倒装晶片放置区(未预置焊球)、正面其他焊盘区、背面焊盘区、注胶口、背面ESD金属区、厚度合格、键合拉力、可焊性合格，可接收；2)对1级、2级用封装基板，金面变色或污染面积不应超倒装晶片放置区(已预置焊球)1)焊球表面污染不超过15%焊盘面积；倒装晶片放置区(未预置焊球)、正面其他焊盘区、背面焊盘区、注胶口、背面ESD金属区、蚀刻标记1)有机可焊性保护膜不应呈蓝色、黑色或紫色；2)有机可焊性保护膜呈均匀黄色、土黄色或红色，可焊性测试合格；3)因导体粗糙度导致的有机可焊性保护膜色差可接收；4)因树脂填塞盖覆电镀镀覆孔或电镀填塞镀覆孔凹陷或凸性保护膜色差可接收；5)对1级、2级用封装基板，局部有机可焊性保护膜盘或蚀刻标记面积的10%,对3级用封装基板，不应超过焊盘面积的5%;6)因再流焊受热导致的有机可焊性保护膜局部透光倒装晶片放置区(未预置焊球)、正面其他焊盘区、背面焊盘区、注胶口、背面ESD金属区、蚀刻标记1)化学浸锡层在接收态时，对1级、2级用封装基板，变色或污染面积不应超过焊盘或蚀刻标记面积的10%,对3级用封装基板，不应超过焊盘或蚀刻标记面积的5%;2)化学浸锡层在一次再流焊后，锡面未呈现黄色或灰色，焊盘上和周围无锡所有区域，争议时以限样(实物、照片)仲裁。5.4.3.2.6未填塞镀覆孔的镀层或最终镀涂层空洞除另有规定外，3级用封装基板未填塞镀覆孔不允许有镀层或最终涂层空洞，1级、2级用封装基板未填塞镀覆孔的镀层或最终镀涂层空洞应符合下列规定：a)镀层或最终镀涂层空洞不超过一个；b)有镀层或最终镀涂层空洞的孔数量不超过孔总数的5%;c)任何镀层或最终镀涂层空洞的尺寸不大于孔长的5%;d)不存在大于90°的环状空洞。5.4.3.2.7金属丝键合连接盘的表面粗糙度金属丝键合连接盘的表面粗糙度应满足采购文件或布设总图的要求，没有明确要求时，应由供需双GB/T48208—20265.4.3.3导电图形缺陷5.4.3.3.1一般要求导电图形应无断裂、裂缝或撕裂。倒装芯片放置区、正面其他焊盘区、背面焊盘区应无在10倍放大镜下可见的裂痕或崩缺。除另有规定外，导电图形上的任何缺陷或缺陷组合(如边缘粗糙、缺口、针孔或露基材的划痕)使导体宽度的减少，应满足表8的要求。除另有规定外，接地层或电源层允许有未暴露基材的划痕；金属丝键合区和倒装晶片放置区(未预置焊球)焊盘外的导电图形允许有划痕，但其深度应不大于导电图形总厚度的20%。5.4.3.3.3压痕或凹陷除另有规定外，导体图形上压痕或凹陷应未露镍或露铜，允许有电测试探针压痕，接地层允许有未使金属箔表面撕裂的压痕，其他区域的压痕或凹陷应按表4判定，封装基板的区域划分应符合附录A表4导电图形上的压痕或凹陷区域键合区重要区在10倍放大镜下无电测试探针压痕以外的压痕或凹陷；非重要区压痕或凹倒装晶片放置区(未预置焊球)压痕或凹陷面积不大于焊盘面积的10%,倒装晶片放置区(已预置焊球)正面其他焊盘区、背面焊盘区、属区压痕或凹陷面积不大于焊盘面积的10%,深度不大于10gm,尺寸不大压痕或凹陷深度不大于5μm,尺寸不大于0.50mm,且*所有区域，刷磨导致的局部凹陷痕迹不计算直径和面积百分比，但凹陷深度不大于3μ除另有规定外，导电图形的凸起应按表5判定，封装基板的区域划分应符合附录A的要求。表5导电图形的凸起区域要求“键合区倒装晶片放置区(未预置焊球)凸起高度不大于10μm,凸起面积不大于焊盘面积的10%倒装晶片放置区(已预置焊球)表5导电图形的凸起(续)区域正面其他焊盘区、背面焊盘区、凸起高度不大于15μm且不高于阻焊表面，凸起面积不大于焊盘或蚀刻标记面积对于3级用封装基板，无凸起；对于1级、2级用封装基板10μm,凸起尺寸不大于0.25mm,凸起面积不大于连接盘面积的10%注胶口、背面ESD金属区凸起高度不大于15μm所有区域，刷痕导致的局部凸起痕迹不计算直径和面积百分比，但应满足凸起高度的要5.4.3.3.5针孔或缺口除另有规定外，导电图形上的针孔或缺口应按表6判定，封装基板的区域划分应符合附录A的表6导电图形的针孔或缺口区域键合区重要区无针孔或缺口；非重要区针孔或缺口使键合连接盘宽度正面其他焊盘区和背面焊盘区、倒装晶片放置区(未预置焊球)、线路上的针孔或缺口符合5.4.4.1的规定；焊盘完好区内和蚀刻标记的中心处的无针孔或缺口；焊盘完好区外针孔或缺口不大于焊盘直径的20%或焊盘边长的20%;蚀刻标记非中心处的针孔或缺口不大于标记直倒装晶片放置区(已预置焊球)不适用对于3级用封装基板，无针孔或缺口；对于1级、2级用封装基板接盘长方向的长度不大于0.50mm,沿连接盘宽方向的长度10%,且单体内未超过3处在单体内针孔或缺口不大于1mm;在单体外针孔或注胶口、背面ESD金属区在单体内允许针孔或缺口不大于20%注胶口宽度；在单体外5.4.3.3.6残留金属除另有规定外，孤立的残留金属或蚀刻不净的残铜，应满足表7的要求，封装基板的区域划分应符合附录A的要求。表7残留金属区域键合区GB/T48208—2026表7残留金属(续)区域倒装晶片放置区(未预置焊球)无残留金属倒装晶片放置区(已预置焊球)无残留金属正面其他焊盘区或背面焊盘区、1)焊盘间无阻焊坝时，无残留金属；2)焊盘间有阻焊坝时，残留金属使焊盘间距的减小，对正面或背面线路区残留金属使导体间距的减小，对于3级用封装基板，不大于30%,对于1级、2级用注胶口、背面ESD金属区、切割道、附边区残留金属使导体间距的减小，对于3级用封装基板，不大于30%,对于1级、2级用工艺引线蚀刻后5.4.4导体宽度和间距5.4.4.1导体宽度除另有规定外，键合连接盘、正面和背面其他焊盘、蚀刻标记的尺寸测量以焊盘或蚀刻标记的顶部为准，导线宽度的测量以导线底部为准，导电图形的缺陷如边缘粗糙、缺口、体图形宽度的减少应符合下列规定及表8的规定：b)键合连接盘、正面和背面其他焊盘、蚀刻标记、导线两边缺陷合并后使宽度的变化应满足表8的要求。表8导体宽度与尺寸公差要求导体宽度W(设计值)公差要求(与设计值比)1级、2级用封装基板3级用封装基板5.4.4.2导体间距除另有规定外，导体间距的测量以导体底部为准，对于3级用封装基板，导电图形之间的孤立突出、GB/T48208—2026相对突出、相邻突出使导体间距的减小应不超过规定间距的30%,1级、2级用封装基板应不超过规定间距的50%。5.4.4.3外层环宽除另有规定外，允许孔边与焊盘边缘相切，但不应破环；对于1级、2级用封装基板，焊盘与导线连接处的环宽应不小于布设总图中最小导线宽度的50%;对于3级用封装基板，焊盘与导线连接处的环宽应不小于布设总图中最小导线宽度的70%。5.4.5阻焊膜5.4.5.1覆盖性露铜处上金或上锡。除另有规定外，阻焊膜覆盖缺陷(例如起泡、跳印和空洞)应满足下列要求。a)阻焊膜缺陷未使两相邻导电图形裸露；在包含平行导线的区域，阻焊膜完全覆盖了任何相邻的两条绝缘导线，除非其中一条导线是测试点或为了后续操作有意不覆盖阻焊膜的区域。b)阻焊膜完全覆盖了要求用阻焊剂掩盖或填充的导通孔，覆盖导通孔的干膜型阻焊无空洞。c)单体内非电路区允许存在阻焊麻点或空洞，但满足阻焊膜附着力的要求；电路区阻焊膜覆盖区域无露铜或露基材，单体外露铜或露基材不应影响基板功能区。d)阻焊膜与封装基板基材以及导电图形边缘无可见的吸管状阻焊浮空。e)定位孔阻焊膜的裂痕或崩缺不影响孔径和位置公差；边轨区阻焊膜裂痕或崩缺(从板边向板内方向)不大于1.0mm,且未延伸到单体内。f)单体交付的板边阻焊膜崩缺未使导体裸露，沿板边方向长度不大于2.50mm,向板内方向延伸的尺寸不大于0.38mm,且未延伸到最靠近板边的焊盘或镀覆孔。除另有规定外，阻焊膜在外力(刮、擦、划等)作用下所造成的划伤应满足以下要求：a)单体内的阻焊膜划伤未露铜或露基材，宽度不大于0.25mm,长度不大于2.54mm;b)单体内或单体外阻焊膜表面摩擦或剐蹭痕迹的深度不大于3μm,宽度不大于30μm;c)单体外边轨区阻焊膜划伤未露铜或露基材。5.4.5.3重合度5.4.5.3.1一般要求除另有规定外，阻焊重合度应满足以下要求：a)阻焊偏移未覆盖任何布设总图上供封装或组装测试用的蚀刻标记、测试点等导电图形；b)阻焊偏移未使被阻焊覆盖的导电图形金属露出。5.4.5.3.2矩形或多边形表面安装连接盘阻焊限定的矩形或多边形连接盘，阻焊偏移未破出焊盘，非阻焊限定的矩形或多边形的连接盘(含板边连接器连接盘),不准许阻焊膜侵入连接盘的任一边。GB/T48208—20265.4.5.3.3镀覆孔或非支撑孔除另有规定外，镀覆孔或非支撑孔的阻焊重合度应符合下列规定，如图3所示。a)阻焊图形与镀覆孔或非支撑孔连接盘的错位，阻焊膜错位未上盘，如图3a)所示；阻焊图形的错位使外层环宽的减小未低于规定的最小环宽要求，如图3b)所示；阻焊图形的错位使外层环宽的减小低于规定的最小环宽要求，则不应接收，如图3c)所示。b)允许阻焊膜进入非焊接或压接的镀覆孔内，但不应进入焊接或压接的镀覆孔内。a)可接收b)可接收c)不应接收标引序号说明：1—-阻焊膜边缘；2——连接盘；3——镀覆孔。图3镀覆孔的阻焊图形重合度示意图5.4.5.3.4圆形表面安装连接盘除另有规定外，圆形表面安装连接盘的阻焊重合度应符合下列规定：a)阻焊膜限定的连接盘，如图4a)所示，阻焊偏移未破出焊盘；b)非阻焊膜限定的连接盘，如图4b)所示，阻焊偏移未侵入连接盘；c)阻焊膜限定和非阻焊膜限定连接盘的阻焊膜偏移量不大于30μm;d)覆盖在连接盘与镀覆孔连接的导线上的阻焊坝，如图4c)所示，应未脱落。a)可接收b)不应接收c)可接收标引序号说明：2——连接盘；3——阻焊坝。图4阻焊膜限定的连接盘5.4.5.4阻焊膜厚度除另有规定外，按6.2.1的规定检验后，封装基板在阻焊限定或非阻焊限定焊盘处的高度应高于焊盘，导体图形上A处(导体表面)和B处(导体拐角)的阻焊膜厚度最大不应超过30μm,最小应不小于4μm,测量位置如图5所示。其他测量位置与厚度要求由供需双方商定。标引序号说明：1——导体；3——基材。图5阻焊膜厚度的测量5.4.5.5阻焊膜的侧蚀和残足阻焊膜的侧蚀和残足的测量如图6所示。除另有规定外，阻焊膜侧蚀和残足应满足以下要求：a)导体上的阻焊膜侧蚀或残足不大于10μm,基材上的阻焊膜侧蚀或残足不大于20μm;b)阻焊膜侧蚀未导致应覆盖的阻焊限定焊盘导体底部露铜；c)双侧阻焊膜侧蚀未导致阻焊膜底部贯穿脱落或浮空。a)阻焊限定焊盘的阻焊膜侧蚀和残足b)非阻焊限定焊盘的阻焊膜侧蚀和残足标引序号(符号)说明：1——阻焊膜；2——导体；f₁——残足；图6阻焊膜侧蚀和残足的测量示意图5.4.5.6阻焊膜的变色或污染除另有规定外，在满足阻焊膜厚度的要求时，单体外的阻焊膜变色或污染可接收；单体内阻焊膜下铜面擦伤或擦花造成的阻焊膜变色，不应接收；单体内的以下变色或污染可接收：a)已固化阻焊膜下面金属表面的变色；b)因阻焊膜厚度或铜镀层厚度差异导致的阻焊膜变色；c)由于导通孔填充凹陷造成的线路或导通孔处的阻焊膜颜色差异；d)由于阻焊膜上无深度的水痕、滚轮印迹、阻焊膜压印痕迹或其他痕迹引起的变色；e)阻焊膜变色或污染未桥接两个相邻焊盘；f)晶片放置区的阻焊膜变色或污染，尺寸不大于0.50mm,面积不大于该区域的5%;g)晶片放置区外的阻焊膜变色或污染，尺寸不大于1.27mm;h)变色或污染面积累计未超过单体面积的10%。5.4.5.7阻焊膜的残留除另有规定外，蚀刻标记、晶片放置区和键合区焊盘上应无阻焊膜残留；正面其他焊盘和背面其他焊盘表面的阻焊膜残留不应侵占焊盘的完好区；对矩形表面安装连接盘，完好区外的阻焊残留尺寸不大于焊盘长或宽的10%;对圆形表面安装连接盘，完好区外的阻焊残留尺寸不大于焊盘直径的10%。5.4.5.8阻焊膜的凹陷除另有规定外，非阻焊塞孔处的阻焊膜凹陷应符合以下规定：a)晶片放置区的阻焊膜凹陷，对1级、2级用封装基板，尺寸不大于1.27mm,对3级用封装基b)其他区域的阻焊膜凹陷，尺寸不大于1.27mm;c)深度不大于15μm,未因为阻焊膜凹陷产生露铜或露基材。5.4.5.9阻焊膜的凸起除另有规定外，非阻焊塞孔处的阻焊膜凸起应符合以下规定。a)晶片放置区的阻焊膜凸起，对1级、2级用封装基板，高度不大于10μm,尺寸不大于0.50mm;对3级用封装基板，阻焊膜不凸起。b)其他区域的阻焊膜凸起，高度不大于15μm;尺寸不大于1.27mm。c)未因为阻焊膜的凸起，使板厚超出公差。5.4.5.10阻焊膜的高度差除另有规定外，阻焊膜的高度差应符合以下规定：a)液态感光型阻焊剂未压平工艺，阻焊塞孔处的高度差不大于25μm,其他区域不大于15μm;b)液态感光型阻焊剂压平工艺，阻焊塞孔处的高度差不大于10μm,其他区域不大于7μm;c)干膜型阻焊剂，阻焊膜的高度差不大于5μm。5.4.5.11阻焊膜异物除另有规定外，阻焊膜表面的异物应符合以下规定：a)异物为非金属异物；b)单体内的异物未桥接任何相邻的导体；c)晶片放置区的阻焊膜异物不多于一处，高度不大于10μm,尺寸不大于0.50mm,面积不大于该区域的5%;d)单体内晶片放置区外的阻焊膜异物，高度不大于15μm,尺寸不大于1.27mm;e)单体外的阻焊膜异物未延伸到单体内。5.4.5.12阻焊膜裂纹除另有规定外，单体外的阻焊膜裂纹应未延伸到单体内，单体内的阻焊膜裂纹应符合以下规定：a)未导致露基材或导体；b)未跨接任何相邻的导体；c)未使相邻导电图形之间的间距减小到小于规定的最小间距要求；d)裂纹的尺寸不大于0.50mm;e)裂纹未延伸到镀覆孔或预置焊球焊盘。5.4.5.13阻焊膜气泡除另有规定外，单体外的阻焊膜气泡应未延伸到单体内，单体内的阻焊膜气泡应符合以下规定：a)未导致露基材或导体；b)未跨接任何相邻的导体；c)未使相邻导电图形之间的间距减小到小于规定的最小间距要求；d)直径不大于0.25mm。5.4.6预置焊球除另有规定外，封装基板上的所有焊球应符合以下规定：a)焊球表面无异物；b)无焊球缺失，焊球缺损或裂痕未超出焊球直径的50%;c)有压平要求的焊球表面已压平，其尺寸符合5.4.8.10.2中的规定；d)任意两个相邻焊球的偏移或突出未使焊球间距减小超过50%;e)焊球上表面允许存在测试针痕；GB/T48208—2026f)焊球垂直方向上的划伤未裸露焊盘和未超过焊球高度的50%;g)焊球平面方向上的划伤未裸露焊盘和未超过焊球上表面面积的50%。5.4.7非支撑孔和非支撑槽除另有规定外，3级用封装基板的非支撑孔和非支撑槽内无任何异物，1级、2级用封装基板的非支撑孔和非支撑槽内异物应符合以下规定：a)无导电异物进入非支撑孔和非支撑槽孔；b)非导电异物进入非支撑孔和非支撑槽孔，满足孔径或槽公差要求。5.4.8尺寸要求5.4.8.1一般要求封装基板尺寸(包括外形、厚度、孔、槽等)应符合采购文件或布设总图中尺寸及公差的规定。5.4.8.2导体图形位置度除另有规定外，封装基板上所有基准点(或称光学定位点、对位点)之间的间距、焊盘中心到板边的间距应满足表9的要求。按条交付的，成品尺寸按条的尺寸，按单体交付的，成品尺寸按单体尺寸。表9导体图形位置度1级、2级用封装基板3级用封装基板120mm<尺寸≤190mm190mm<尺寸5.4.8.3导体图形表面高度差除另有规定外，封装基板上导体图形的表面高度差应满足表10的要求，封装基板的区域划分应符合附录A的要求。表10导体图形表面高度差区域高度差要求b键合区重要区低于正常表面不大于3μm,且高出正倒装晶片放置区(未预置焊球)倒装晶片放置区(已预置焊球)见5.4.8.10.2正面其他焊盘区、背面焊盘区、注胶口、背面ESD金属区1级、2级用封装基板高出或低于正常表面不大于15μm,3级用封装基板高出或对于3级用封装基板，不高于正面表面；对于1级、2级用封装基适用于所有异常(包括凹陷、凸起、外来物、褶皱、划伤等所有区域，仲裁通过三维测量仪器(轮廓仪)或切片测量实际高度5.4.8.4孔位置度除另有规定外，封装基板上任意两个孔(镀覆孔、非支撑孔或非支撑槽)之间的中心距位置度公差，对1级、2级用封装基板为±75μm,对3级用封装基板为±50μm。5.4.8.5镀覆孔和非支撑孔尺寸封装基板上镀覆孔和非支撑孔的尺寸应符合采购文件或布设总图的规定。除另有规定外，镀覆孔内结瘤和镀层粗糙使孔径的减小应不小于规定的最小孔径要求，镀覆孔或非支撑孔的孔径公差为5.4.8.6非支撑槽尺寸封装基板上非支撑槽的尺寸应符合采购文件或布设总图规定。除另有规定外，非支撑槽内毛刺等使槽尺寸的减小应不小于规定的最小槽尺寸要求，其长方向的尺寸公差为±100μm,宽方向的尺寸公5.4.8.7阻焊开窗尺寸公差除另有规定外，阻焊开窗尺寸公差应满足表11的要求。表11阻焊开窗尺寸公差单位为微米阻焊开窗(设计值)公差阻焊开窗≤100150≥阻焊开窗>100阻焊开窗>300封装基板成品板厚应当符合采购文件或布设总图的规定，除另有规定外，板厚小于1.0mm时，板厚公差为±15%,板厚不小于1.0mm时，板厚公差为±10%。5.4.8.9外形尺寸除另有规定外，按条交付的封装基板的外形尺寸公差为±100μm,按单体交付的封装基板的外形5.4.8.10预置焊球5.4.8.10.1预置焊球的直径公差除另有规定外，晶片放置区圆形预置焊球的投影直径或椭圆形预置焊球的长轴和短轴的投影尺寸公差为±15μm,如图7a)和图7b)所示。GB/T48208—2026a)圆形凸点b)椭圆形凸点标引符号说明：图7预置焊球直径的测量位置要求5.4.8.10.2预置焊球的尺寸除另有规定外，按6.1.2.9的规定检验时，焊球空洞的投影总面积与焊球投影面积比应不大于15%,封装基板上的晶片放置区预置焊球(如图8)应满足表12的要求。表12预置焊球的尺寸单位为微米节距(D₁)要求(D₂)预置焊球顶部直径(D₂)预置焊球高度(H)预置焊球共面性(△H)a)焊球的节距、共面性b)焊球的顶部直径、高度标引序号(符号)说明：1——焊盘；2——基材；3——阻焊；D₁——焊球节距；D₂——预置焊球顶部直径；H——预置焊球高度。图8预置焊球尺寸测试示意图5.5结构完整性5.5.1层间介质厚度封装基板层间的最小介质厚度应符合采购文件或布设总图的规定，测量时以介质层两侧导体最靠近的部分(峰对峰)为基准，如图9所示。除另有规定外，介质片的张数应由供应商选择以保证最小介质层厚度，不同厚度粘结片或积层胶膜压合后的介质层厚度公差应符合表13的规定，芯板的介质层厚度公差应满足GB/T4721—2021中C/M级的要求。具有传输线阻抗设计的产品应在采购文件中规定相应的要求。表13层间介质层厚度与公差单位为微米介质层厚度设计值(D)1级、2级用封装基板介质层厚度公差3级用封装基板介质层厚度公差士8士8GB/T48208—2026标引序号(符号)说明：2——介质层；D——介质层厚度。图9层间介质厚度的测量5.5.2内、外层导电图形厚度除另有规定外，内、外层导电图形的厚度和公差应符合表14的规定，测量时以铜层两侧轮廓中间位置为基准，如图10所示。表14内、外层导电图形的厚度和公差单位为微米标称厚度(D)1级、2级用封装基板厚度公差最小厚度厚度公差最小厚度7733标引序号(符号)说明：2——导电图形；图10导电图形最小厚度测量示意图5.5.3导体最终镀层或涂层5.5.3.1导电图形最终镀层或涂层的厚度除另有规定外，应满足表15的要求，表中有两种厚度规格的，按供需双方的商定选择。表15导电图形最终镀层或涂层的厚度单位为微米电镀镍金(软金)键合连接盘和电镀镍金(硬金)键合连接盘和(不含键合连接盘)键合连接盘和5.5.3.2镍、钯镀层中的磷含量除另有规定外，化学镀镍/浸金的镍镀层中磷含量应控制在6%～14%(质量百分比)。化学镀GB/T48208—2026镍/化学镀钯/浸金的镍镀层中的磷含量应控制在5%～12%(质量百分比),钯镀层中的磷含量应控制在5%～12%(质量百分比)。5.5.3.3镀覆孔的孔铜厚度除另有规定外，非镀铜填充的2层和大于2层的镀覆孔(含微导通孔、埋孔、盲孔)的铜镀层(包括孔壁、拐角)厚度应分别符合表16和表17的规定。镀覆孔经树脂填充和盖覆电镀后，如图11所示。任何铜镀层(包括孔壁、拐角)厚度小于规定的最小铜厚应认为是空洞，该空洞被导电图形表面镀层或涂层材料覆盖后(如在孔壁镀镍金之后)的情况仍应认为是空洞。玻璃纤维突出可能导致局部区域铜厚度较薄，但也应符合最小厚度的规定，测试应从玻璃纤维突出的末端到孔壁。标引序号说明：1——包覆铜；2——盖覆铜电镀层；3——包覆铜镀层；4——介质层；5——填充树脂。图11镀覆孔填充树脂后示意图表162层镀覆孔的铜镀层厚度单位为微米1级用封装基板85555当要求外层完成铜厚不大于5μm时，应采用镀铜填塞导通孔的方表17大于2层镀覆孔的铜镀层厚度单位为微米1级用封装基板2级用封装基板表17大于2层镀覆孔的铜镀层厚度(续)单位为微米1级用封装基板5555“当要求外层完成铜厚不大于5μm时，应采用镀铜填塞导通孔的方式。5.5.3.4包覆铜镀层除另有规定外，包覆铜镀层从填塞的镀覆孔、微导通孔或埋孔到任何电镀结构的表面是连续的，最小包覆铜镀层厚度应符合表16和表17的规定。有环宽要求时，包覆铜镀层应至少延伸出25μm,由于加工处理(研磨、蚀刻、整平等)减少了表面包覆铜镀层，造成包覆铜镀层不足是不准许的，如图12和图13所示。标引序号说明：1——基底铜箔；2——包覆铜镀层；3——盖覆铜镀层；4———不小于规定的包覆铜镀层厚度；5——填充树脂；6——镀覆孔镀层；7——介质。图12可接收的包覆铜镀层GB/T48208—2026标引序号说明：2——盖覆铜镀层；3——镀覆孔镀层；4——填充树脂；5——介质。图13不应接收的包覆铜镀层5.5.3.5盖覆铜镀层除另有规定外，最小盖覆铜镀层厚度应符合表16的规定。当采购文件中规定盖覆铜电镀塞孔时，盖覆铜镀层从填塞的镀覆孔到任何电镀结构的表面是连续的，不应有盖覆铜镀层空洞；单体内盖覆铜镀层与填塞材料之间不应有分离，但盖覆铜镀层与底部镀层之间应无分离。盖覆铜镀层凹陷和凸起应符合5.4.8.3的规定，如图14和图15所示。GB/T48208—20261标引序号说明：11——平整的盖覆铜镀层；5——介质；7——填充树脂；8——盖覆铜镀层凸起；9——基底铜箔；10——凸起的盖覆铜镀层；11——盖覆铜镀层凹陷。图14可接收的盖覆铜镀层1标引序号说明：11———盖覆铜镀层分离；2——盖覆铜镀层空洞；3——介质；4——镀覆孔镀层；5——填充树脂；6--—盖覆铜镀层过薄；7——基底铜箔；图15不应接收的盖覆铜镀层5.5.3.6孔壁镀层分离除另有规定外，镀覆孔壁镀层界面之间、孔壁镀层与内层之间应无任何分离或污染。5.5.3.7孔壁与基材的分离除另有规定外，镀覆孔孔壁和基材间应无分离。5.5.3.8金属裂缝任何表面镀涂层和内层导体应无裂缝，任何孔壁镀层和拐角镀层上都应无裂缝，外层基铜的裂缝不延伸到镀层铜则可接收。5.5.4阻焊或树脂塞孔5.5.4.1阻焊塞孔除另有规定外，封装基板中使用阻焊填塞的导通孔或盲孔应满足以下要求：a)允许塞孔空洞，但不可有裂缝延伸至孔口，塞孔的凹陷应满足5.4.5.8的要求，塞孔的凸起应满足5.4.5.9的要求；b)通孔或盲孔中应填充不低于70%的填充材料。5.5.4.2树脂塞孔除另有规定外，封装基板中使用树脂填塞的通孔、盲孔或埋孔应满足以下要求：a)允许塞孔空洞，但不可有裂缝延伸至孔口，塞孔的凹陷或凸起应符合5.4.8.3的规定；b)通孔、盲孔孔中应填充不低于70%的填充材料，埋孔中应填塞不低于95%的层压树脂、绝缘胶膜或类似的树脂填充材料。5.5.5镀铜填塞导通孔5.5.5.1镀铜填塞导通孔的填充当采购文件指定镀铜填塞导通孔时，导通孔应完全被铜填充。除另有规定外，镀铜填塞导通孔中的空洞应满足以下要求(可接收的镀铜填塞空洞示意图如图16和图17所示，不应接收的镀铜填塞微导通孔如图18所示):a)对1级、2级用封装基板，被完全密封且空洞横断面总面积不超过镀铜填塞导通孔横断面面积的30%,对3级用封装基板，则不超过25%;b)与空洞相邻的铜镀层的最小厚度不小于10μm,且不包括盖覆电镀层厚度。标引序号说明：1——电镀铜层；2——空洞。图16可接收的镀铜填塞导通孔GB/T48208—2026a)有盖覆电镀的铜填塞微导通孔b)无盖覆电镀的铜填塞微导通孔标引序号说明：1——盖覆铜镀层；2——镀覆铜；3——基材；4——内层导体；5——空洞。图17可接收的电镀铜填塞导通孔a)有盖覆电镀的铜填塞微导通孔b)无盖覆电镀的铜填塞微导通孔标引序号说明：2——镀覆铜；3——基材；4——内层导体；5——空洞。图18不应接收的电镀铜填塞导通孔5.5.5.2镀铜填塞X型孔的直径除另有规定外，通过镀铜填塞的X型孔直径满足以下要求时，可接收，如图19所示。a)孔口直径(D₁和D₂)偏差(与设计值比)不超过±20μm;b)腰部最小处的直径不小于30μm;c)腰部最小处的直径与孔口直径(D₁和D₂取大值)的比值不小于50%。GB/T48208—2026标引序号(符号)说明：1——电镀铜；D₁——上孔口直径；D₂——下孔口直径；d—腰部最小处直径。图19镀铜填塞X型孔5.5.6微导通孔5.5.6.1微导通孔的孔径与公差除另有规定外，微导通孔的孔径应符合表18的规定，孔径测量如图20所示。表18微导通孔的孔径与公差设计孔径(A)孔径公差(与设计值比)孔底直径(B)/孔口孔径(A)标引符号说明：A——微导通孔孔口直径；B——微导通孔孔底直径。图20微导通孔孔径测量示意图5.5.6.2微导通孔到目标连接盘微导通孔到目标连接盘应无裂纹和破环现象，如图21a)和图21b)所示。GB/T48208—2026a)可接收b)不应接收标引序号说明：1——盖覆铜镀层；2——铜箔；3——目标连接盘；4——内层导体；5——基材；6——空洞。图21目标连接盘处孔破坏5.5.6.3微导通孔与目标连接盘的接触尺寸除另有规定外，对于激光钻孔形成的微导通孔，微导通孔与目标连接盘的接触尺寸及接触面的夹杂物应满足表19的要求，如图22所示。标引序号说明：1——捕获连接盘孔径；2——接触面；3——铜箔；4——目标连接盘；5——基材。图22微导通孔与目标连接盘的接触面表19微导通孔与目标连接盘的接触尺寸1级、2级用封装基板3级用封装基板表19微导通孔与目标连接盘的接触尺寸(续)1级、2级用封装基板1个，不超过捕获连接盘中5.5.6.4微导通孔目标连接盘的渗透除另有规定外，1级、2级用封装基板的微导通孔目标连接盘渗透不应使目标连接盘下的介质层厚度低于5.5.1的要求，如图23所示，3级用封装基板则不应出现渗透。渗透面积不应评价为微导通孔与目标连接盘接触尺寸的减少。标引序号说明：1——微导通孔；2——铜箔；3——基材；7——渗透处介质层厚度。图23微导通孔与目标连接盘的渗透5.5.6.5微导通孔与目标连接盘间的微空洞除另有规定外，微导通孔与目标连接盘间的微空洞未使微导通孔与目标连接盘接触尺寸减小到小5.5.7内层重合度除另有规定外，若封装基板或质量符合性测试电路的内层环宽符合5.5.10的规定，即满足内层重合度的要求。当对相邻层和内层任意层有层间重合度要求时，除另有规定外，相邻层层间偏移应不大于40μm,内层任意层层间偏移应不大于50μm。5.5.8基材分层、空洞和裂缝除另有规定外，使用超声波检验或显微剖切检验时，5.5.9树脂凹缩除另有规定外，交收态封装基板的孔壁应无树脂凹缩；热应力(见6.6.2)、温度冲击(见6.6.3)和耐无铅再流(见6.6.8)试验后，从孔壁测量得到的最大树脂凹缩深度应不大于30μm,且在被评定镀覆孔的任何一边上的树脂凹缩不大于该边基材累积厚度(被评定的介质层厚度的总和)的40%。5.5.10内层环宽5.5.11连接盘起翘交收态封装基板不应有任何连接盘起翘。热应力(见6.6.2)或温度冲击(见6.6.3)试验后，也不应有任何连接盘起翘。除另有规定外，镀覆孔凹蚀应满足5.5.13的要求；当发生负凹蚀时，负凹蚀深度“5”应不大于标引序号说明：1——铜镀层；2——钻孔孔壁；3——负凹蚀深度；4——内层连接盘。图24负凹蚀示意图5.5.13去钻污导通孔应是清洁的、无树脂钻污。除另有规定外，去钻污使孔壁径向除去的材料应不大于15μm,随机的撕裂或钻凿造成的径向去除的深度应不大于30μm,不应按去钻污进行评定和拒收。除另有规定外，若未使导电图形间距小于布设总图规定的最小绝缘间距，允许有从铜镀层向基材延伸的芯吸与去钻污之和不大于30μm。除另有规定外，封装基板内层导体的钉头应不超过内层铜层实测厚度的1.5倍。GB/T48208—20265.5.16孔和镀层的其他缺陷若镀覆孔内的结瘤、镀层褶皱、镀层夹杂物或增强材料突出等缺陷未使孔径和铜镀层厚度减少到低于规定的最小要求时是可接收的。5.6化学性能5.6.1清洁度除另有规定外，1级和2级用封装基板，内层棕化后、阻焊前和成品封装基板(表面处理为有机可焊性保护膜的成品除外)的离子污染度应不大于1.0μg/cm²(氯化钠当量),3级用封装基板应不大于0.75μg/cm²(氯化钠当量)。5.6.2铜镀层特性5.6.2.1伸长率1级、2级用封装基板铜镀层的最小伸长率应不小于12%;3级用封装基板的铜镀层的最小伸长率应不小于18%。5.6.2.2抗拉强度1级、2级用封装基板铜镀层的最小抗拉强度应不小于2.5×10⁴N/cm²。3级用封装基板铜镀层抗拉强度应不小于2.76×10⁴N/cm²。5.6.3耐溶剂性5.6.4抗盐雾腐蚀对板边连接器焊盘按6.3.4的要求进行24h试验后，每个试样选择均匀分布的4个测试位置，根据GB/T6461—2002的要求进行试样评级，除另有规定外，腐蚀评级应不小于8级。5.7物理性能5.7.1标记附着力蚀刻标记的附着力按5.7.2.2的要求，激光打穿阻焊露铜方式的标记附着力按5.7.2.1的要求，激光打穿阻焊后铜面镀覆镍金方式的标记附着力按5.7.2.2的要求，金面激光打黑方式的标记附着力按5.7.2.2的要求，激光不打穿阻焊的不露铜方式的标记附着力按5.7.3.1的要求。5.7.2金属镀涂层附着力5.7.2.1铜镀层附着力按6.4.2试验后，除镀层增宽、镀层突沿或镀屑外，应无部分导电图形或铜镀层保护层(镀层或涂层)从封装基板测试试样脱离的现象。3级用封装基板不允许有镀层突沿脱落。5.7.2.2镍金和镍钯金镀层附着力按6.4.2试验后，电镀镍金镀层、化学镀镍/浸金或化学镀镍/化学镀钯/浸金镀层不可有金层、钯层GB/T48208—2026或镍层从封装基板测试试样脱离的现象。5.7.3阻焊膜的物理性能5.7.3.1阻焊膜的附着力按6.4.3.1的规定进行试验，交收态和热应力后的封装基板基材表面及铜表面的阻焊膜无分层、脱落。5.7.3.2阻焊膜的硬度按6.4.3.2试验后，除另有规定外，阻焊膜的铅笔硬度应不低于3H。5.7.3.3阻焊膜的固化度按6.4.3.3试验后，除另有规定外，阻焊膜的热固化度和光固化度应为80%～100%。5.7.3.4阻焊膜的接触角按6.4.3.4试验后，除另有规定外，采用去离子水或AR级乙二醇测量阻焊膜的接触角时，接触角应5.7.3.5阻焊膜的表面能按6.4.3.5试验后，除另有规定外，采用去离子水或AR级乙二醇测量阻焊膜的表面能时，表面能应不小于30mN/m,且不大于60mN/m。按6.4.4试验后，除另有规定外，按条交付的封装基板的翘曲高度应符合表20的规定，按单体交付的封装基板的翘曲高度应符合表21的规定，未预置焊球的晶片放置区的平整度应不大于30μm。表20按条交付的封装基板的翘曲高度单位为毫米1级用封装基板表21按单体交付的封装基板的翘曲高度1级用封装基板GB/T48208—20265.7.5可焊性5.7.5.1一般要求化学镀镍浸金或化学镀镍镀钯浸金的镀层在可焊性测试后不应出现黑盘。按6.6.8一次无铅再流后，有机可焊性保护膜可焊性应满足5.7.5.2的要求。5.7.5.2表面可焊性按6.4.5试验后，每个焊盘表面应至少有95%的面积润湿，允许出现小针孔、半润湿或麻点等轻微缺陷，但这些缺陷不应集中在一个区域，如图25所示。评估区域内不得出现不润湿和基材金属裸露等现象。采用仲裁方法试验后，每个焊盘表面应无缩锡，且至少有95%面积润湿。a)良好的润湿b)较小面积的半润湿c)完全半润湿d)不润湿图25表面可焊性试验结果示意图5.7.6表面剥离强度按6.4.6试验后，除另有规定外，覆箔层压的封装基板在试验后，铜箔经电镀到不小于35μm后，表面导体的最小剥离强度应不小于0.60N/mm;通过在基材上真空溅射沉积铜或化学沉积铜工艺(均可通过电镀加厚)形成的厚度不小于35μm的表面导体的最小剥离强度应符合采购文件的规定，或由供需双方商定。5.7.7金属丝键合强度5.7.7.1金属丝键合拉力按6.4.7.1规定试验后，除另有规定外，键合拉力应符合表22的规定。拉力测试后有5种失效模式断开位置(如图26所示),金属间化合物处断开(A)、在球颈处断开(B)、在引线的其他位置断开(C)、在引线的颈缩点处断开(D)、焊盘上断开后无残留金(E),其中A和E这两种模式不应接收。GB/T48208—2026图26金属丝键合失效模式表22金属丝的键合拉力5.7.7.2金属丝键合剪切力按6.4.7.2规定试验后，除另有规定外，第一键合点在封装基板焊盘上的金属丝键合的剪切力应符合表23的规定。表23金属丝的键合剪切力一一一5.7.8焊球结合强度5.7.8.1焊球剪切力按6.4.8.1规定进行试验时，封装基板焊盘上的预置焊球(焊球直径：焊盘直径=1～1.2)的剪切力应符合表24的规定。试验后，失效模式中如表25,失效模式1和失效模式2可接收，失效模式3和失效模式4不应接收。表24焊球的剪切力或拉力一一表25焊球剪切失效模式1韧性/脆性混合断裂，主要失效模式(>50234断裂发生在焊料/金属间化合物界面或金属间化合物/基底金属界面韧性/脆性混合断裂，主要失效模式(>505.7.8.2焊球拉脱强度封装基板焊盘上的预置焊球按6.4.8.2规定试验时，最小焊球拉脱力应符合表24的规定。试验后，表26失效模式中，失效模式1和失效模式2可接收，失效模式3和失效模式4不应接收。试验GB/T48208—2026表26焊球拉脱失效模式1韧性/脆性混合断裂，主要失效模式(>50234断裂发生在焊料/金属间化合物界面或金属间化合物/基底金属界面韧性/脆性混合断裂，主要失效模式(>505.8电气性能5.8.1连通性按6.5.1规定检验时，除另有规定外，封装基板所有导线网络电阻应不大于20Ω。5.8.2绝缘性按6.5.2规定检验时，相互隔离的导电图形之间的绝缘电阻应符合采购文件的规定，除另有规定外，封装基板的绝缘电阻应大于20MΩ。5.8.3互连电阻按6.5.3规定检验时，四线四端子互连电阻值应符合采购文件或布设总图的规定。5.8.4特性阻抗按6.5.4规定检验时，特性阻抗的最小值、最大值和平均值都应符合布设总图的规定。5.8.5插入损耗按6.5.5规定检验时，封装基板的插入损耗在指定频点处都应满足采购文件或布设总图的要求。当插入损耗附连测试板与板内走线的插入损耗测试结果存在差异时，以板内走线的测试结果为准。5.9环境性能5.9.1试验前预处理按6.6.1规定试验后，封装基板或附连测试板应满足以下要求：要求，阻焊膜和导电图形镀涂层的变色应满足供需双方的商定；b)按6.5.1和6.5.2的规定进行连通性和绝缘性检验，无新增的连通性和绝缘性失效；c)按6.1.2.7规定进行超声波检验，满足5.5.8的要求；d)按6.2.1规定进行显微剖切和检验(需要继续进行其他环境性能检验的样品除外),满足5.5.5.9.2热应力按6.6.2规定试验后，封装基板试样应满足以下要求：5.5.11的要求；和5.5.11的要求。5.9.3温度冲击先按6.6.1规定对封装基板或附连测试板试样做预处理，恢复后，再按6.6.3规定试验，除另有规定外，经受500次温度循环，第一次和最后一次高温下测量的电阻变化率应不大于10%。试验后还应满足以下要求：b)按6.5.1和6.5.2的规定进行连通性和绝缘性检验，无新增的连通性和绝缘性失效；c)按6.1.2.7规定超声波检验，满足5.5.8的要求；5.5.11的要求。5.9.4无偏置高加速温湿测试先按6.6.1规定对封装基板或附连测试板试样做预处理试验，恢复后，再按6.6.4规定试验，试验后应满足以下要求：b)按6.5.1和6.5.2的规定进行连通性和绝缘性检验，无新增的连通性和绝缘性失效；c)按6.1.2.7规定进行超声波检验，满足5.5.8的要求；5.5.11的要求。5.9.5高加速温湿测试按6.6.1规定预处理试验后，恢复后，对封装基板的附连测试板按布设总图或采购文件要求的电压，按6.6.5规定测试，未明确规定电压时，可由供需双方根据导体图形的最小间距在3V～10V间商b)在2h～48h内测试绝缘电阻，绝缘电阻不小于1MQ;c)按6.1.2.7规定进行超声波检验，满足5.5.8的要求；和5.5.11的要求，无线路间铜迁移等。GB/T48208—20265.9.6高温存储测试除另有规定外，按6.6.6规定试验后，封装基板试样应满足以下要求：求，阻焊膜和导电图形镀涂层的变色满足供需双方的商定；b)按6.5.1和6.5.2规定进行连通性和绝缘性检验，无新增的连通性和绝缘性失效；c)按6.1.2.7规定进行超声波检验，满足5.5.8的要求；和5.5.11的要求。5.9.7耐离子迁移测试对耐离子迁移附连测试板按6.6.7的规定试验后，除另有规定外，按以下要求判定：a)96h静置后绝缘电阻R₁≤10MΩ,即判定样本失效；b)最终测试绝缘电阻R₂<100MΩ,或者在测试过程中有记录到3次或以上R₂<100MΩ,即判定样本失效。5.9.8耐无铅再流测试除另有规定外，对1级、2级用封装基板按6.6.8规定做6次无铅再流，对3级用封装基板按6.6.8规定做9次无铅再流后，应满足以下要求：求，阻焊膜和导电图形镀涂层的变色符合供需双方的商定；b)检验测试前后的互连电阻，电阻变化率小于10%;c)按6.1.2.7规定进行超声波检验，满足5.5.8的要求；和5.5.11的要求。5.9.9温度循环测试先按6.6.1规定对封装基板或附连测试板试样做预处理，恢复后，再按6.6.9规定试验，除另有规定外，500次温度循环，第一次和最后一次高温下测量的电阻变化率应不大于10%。试验后还应满足以下b)按6.5.1和6.5.2的规定进行连通性和绝缘性检验，无新增的连通性和绝缘性失效；c)按6.2.2规定超声波检验，满足5.5.8的要求；5.5.11的要求。5.10其他要求5.10.1产品状态信息文档产品状态信息文档是将一条基板上合格单元与不合格单元的数量及位置信息通过字符展现排列出来的文本文档，封装基板条的产品状态信息文档的提供、内容及格式应由供需双方商定。封装基板生产GB/T48208—2026商提供给采购方的产品状态信息文档，至少应满足以下要求：a)文档名称应与条的唯一识别编码一致，一个文档代表一条封装基板的以下基本信息：封装基板加工的批次信息、在制板编码信息、条编码信息、采购方产品编码信息、合位置的坐标信息；b)产品状态信息文档中的数据信息应与封装基板实物板的信息一致；c)产品状态信息文档中数据的起始原点及方向符合供需双方的商定。5.10.2允许的不合格单元数量除另有规定外，按条交付的1级、2级金属丝键合封装用封装基板中允许的不合格单元应不超过条中单体总数量的30%,3级应不超过20%。按拼版交付的倒装芯片封装用封装基板中允许的不合格单元数量由供需双方商定。6检验方法6.1外观和尺寸6.1.1外观应按SJ21091—2016中4.4对封装基板的基材、标记、导电图形、导体宽度和间距、阻焊膜、预置焊球、非支撑孔和非支撑槽进行目检。若在常规10倍～15倍放大倍率下无法确定缺陷，可采用更大放大倍率的放大镜，具体放大倍率由供需双方商定。除另有规定外，仲裁检验应在30倍放大倍率下进行。6.1.1.2自动光学检查或自动成品外观检验可采用自动光学检查设备或自动外观检查设备对封装基板的基材、标记、导电图形、导体宽度和间如果每个成品单元/条内的信号线通过设计或基板制造工艺的电镀引线连接在一起，则连通性和绝缘性应通过自动光学检查设备和/或自动成品外观检查设备检验。6.1.2尺寸6.1.2.1一般方法应按SJ21091—2016中5.4对封装基板的导体图形位置度、孔位置度、镀覆孔和非支撑孔尺寸、非要求时，应采用满足精度要求的测量工具，如带十字标识线和刻度的光学仪器、金或采用3D测量仪编程进行自动化测量等。封装基板的全板厚度应使用精度至少为0.005mm的千分尺、板厚测量仪进行检验。有板边连接器的板厚测量应从连接器部位的最终镀涂层表面到反面的最终镀涂层表面。无板边连接器的板厚测量位置应按采购文件或布设总图的要求选择，取单体内封装基板四角和中心位置至少五点的测量结果平均值作为封装基板全板厚度。无明确要求时，应从正面导体图形上的阻焊层到背面导体图形上的阻焊层。GB/T48208—20266.1.2.3金属丝键合连接盘表面粗