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文档简介
.,1,实验总纲,实验目的:建立PECVD基本参数实验方法:在SiO2表面上正光阻,曝光显影后,用BOE去光阻,最后用台阶仪测量深度,计算得出速率。,.,2,实验步骤,首先设定实验参数,.,3,按设定的参数沉积SiO2,测量致密性,然后拿去曝光显影。BOE蚀刻后,去掉光阻,可以用台阶仪测量高度了。测量和搜集数据。,.,4,经计算得出PECVD的沉积速率是5.10A/s,.,5,蚀刻芯片,使用清腔气体蚀刻上有SiO2的芯片,以判别该器台的蚀刻速率,更好的掌握清腔的时间。,.,6,首先设定实验参数,.,7,把之前的芯片放进去,然后启动清腔程序,最后测量高度。用原来的高度减去蚀刻后的高度,就能得出蚀刻的高度。,经计算得清腔气体蚀刻SiO2速率是2.52A。,.,8,实验完毕,2010.08.02,
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