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文档简介

1、多数载流子： n型半导体中的电子和p型半导体中的空穴.少数载流子： p型半导体中的电子和n型半导体中的空穴.空间电荷区域：络离子化施主和络离子化受主带电的电荷存在的区域。 表面空间电荷层：表面和内层发生电子授受关系，在表面附近形成表面空间电荷层。 电子耗尽层：空间电荷层中多数载流子浓度比内部少。 电子积累层：空间电荷层的少数载流子浓度比内部少。 反型层：空间电荷层中的少数载流子成为多数载流子。 光伏效应：1)将能量在禁带宽度以上的光子照射到p-n结上2)p、n区域都产生电子空穴对，产生非平衡载流子3 )非平衡载流子破坏本来的热平衡4 )由于非平衡载流子内置电场的作用，n区域的空穴向p区域扩散，

2、p区域的电子向n区域扩散(3)欧姆联系性也被称为非整流联系性。 定义：没有明显的附加阻抗，并且半导体内部的平衡载流子浓度没有显着变化。 在电气方面，理想欧姆接触的接触电阻必须比半导体样品和去老虎钳小，当电流流动时，欧姆接触的电压降必须远小于样品和去老虎钳本身的电压降，该接触不影响去老虎钳的电流-电压特性。 重要性：欧姆联系性设计与制造中的重要问题之一，在超高频率和大功率损耗老虎钳中。 实现的方法：对于Si、Ge、GaAs等重要半导体材料，一般表面态密度较高。 势垒的形成与金属的功函数没有多大关系，不能通过选择金属材料的方法得到欧姆接触。 目前在实际生产中，主要是利用量子隧道原理来实现的。 再掺

3、杂的p-n结产生显着的隧道电流。 当金属与半导体接触时，如果半导体的掺杂大头针浓度高，则势垒区域的宽度变薄。 隧道电流超过了热电子发射电流。 减小接触电阻。 Mn、On-、p、n、表面空间电荷层：金属中，自由电子密度高，表面电荷基本分布在原子层的厚度范围，与金属相比，半导体载流子密度低，因此电荷必须分布在一定厚度的表面层，该带电的表面层是表面空间电荷层。 表面电位：表面空间电荷层两端的电位差。 表面电位的正负规定：表面电位比内部高时，其值为正，反之为负。 例如，一般具有氧化性的分子(例如氧分子)从n型半导体和p型半导体捕获电子而带负电，引起半导体表面的负吸附。 还原型瓦斯气体引起半导体表面的正电吸附。 1/2O2(g) ne Oad n- Oad :吸附分子温度对吸附络离子形态的影响：低温高温o21/2 o4- o2- o2-

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