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文档简介

1、,1、N型硅的杂质电离能D=0.045ev（掺磷），求： （1）它吸收的长波限？ （最大响应波长） （2）若半导体的长波限为14m，求杂质的电离能？,2、0.5 lm的光均匀照射到面积为4cm2的光敏面上，问光敏面的照度为多少？,3、一只波长为632.8nm的He-Ne激光器（该波长视见函数为V()=0.265）所发射 通量为e()=5mW，若投射到屏幕上的光斑直径为0.1m，求光照度是多少？,4、硅的禁带宽度Eg = 1.1ev，当掺入少量杂质磷（ D=0.045ev ）后，产生一 杂质能级。分别求出该杂质半导体的本征吸收与杂质吸收的长波限。,5、若光电探测器件在10-6W/m2的辐射照度下

2、，其输出端的信噪比S/N=10，若其 光敏面积为2mm2，试求其噪声等效功率NEP。,6、有一硅光电二极管，其光敏面积为2mm2，在室温下测得输出光电流为15A (一般硅光电二极管的灵敏度SI=0.5 A/ W)，其散粒噪声与热噪声的总噪声 电流为3nA。若测量系统的带宽f = 1Hz时，试求探测率D与比探测率D* ?,7、某光电探测器件的光敏面直径为0.5cm，比探测率D* = 1011cmHz1/2/W，将它 用于f = 5KHz的光电仪器系统中，问它能探测的最小辐射功率为多少？,8、某光电倍增管PMT的阳极灵敏度Sa = 100A/lm，其阳极输出电流要求限制在 100A内。问其阴极面上最大允许的光通 量为多少？,9、若PMT的阳极灵敏度Sa = 10A/lm ，阴极灵敏度Sk = 20A/lm ，其倍增极为 11级。若各极由同一材料制成，其电子收集效率为1，问各倍增极的二次电子 发射系数为多少？,10、已知某PMT的光阴极面积为2cm2，阴极灵敏度Sk = 20A/lm ，放大倍数M= 105，阳极额定电流为Ia 200A，试求允许的最大光照度Em = ？,11、某光敏电阻的暗电阻为600K

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