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文档简介

1、半导体物理测试点的归纳一个1.钻石1)结构特征：A.由同种原子组成的复合晶格。它的复合晶格是由面心立方的两个子晶格沿其空间对角线位移1/4长度而形成的B.它属于面心晶系，具有立方对称性和共价键合四面体。C.配位数为4，低且稳定。(配位数：最近邻原子的数量)晶体晶胞中有4 8*1/8 6*1/2=8个原子。2)代表性半导体：碳、硅、锗和其他第四族元素半导体大多属于这种结构。2.闪锌矿1)结构特征：A.共价占优势，立方对称；B.晶胞结构类似于金刚石结构，但它是双原子复合晶格；c是共价键晶体，但它有不同的离子性质。2)代表性半导体：GaAs和其他三或五族元素化合物属于这种结构。3.电子共享运动：当原

2、子结合成晶体时，轨道重叠。外层轨道重叠很大，电子可以从一个原子移动到另一个原子，所以电子可以在整个晶体中移动，这被称为电子的共享运动。4.布洛赫波：晶体中电子运动的基本方程是：k是波矢量，uk(x)是与晶格周期相同的周期函数，5.布里渊区：禁带出现在k=n/2a，即布里渊区的边界。允许区出现在以下区域：第一布里渊区：-1/2a0当施加的电压增加到使表面上的电子浓度与体内的空穴浓度相当时，表面上的电子对电导有很大贡献，这被称为强反转。同时，电子浓度小的状态称为弱反转五、1.欧姆接触定义：它是由半导体和金属接触形成的电子抗阻挡层和空穴抗阻挡层，不产生明显的附加阻抗，也不改变半导体中载流子浓度条件：

3、2.整流接触定义：金属半导体接触的阻挡层具有pn结的伏安特性，即具有整流功能。条件：3.电子(空穴)阻挡层和反阻挡层n型半导体Wm ws:然后EFMup=b1，然后RH 0。高电阻半导体(即氮和磷的差别不是太大)半导体：B2NP，B1，相对湿度0磷半导体低温时，p n，pnb2，rh0当温度上升时，当p=nb2，RH=0温升p nb2，相对湿度0。七，1.固有吸收极限Hv是导致内在吸收的最低光子能量。当低于v或高于波长时，不能产生固有吸收，固有吸收是特定波长v(或特定角频率)的吸收系数显著降低。2.光伏效应当用适当的波长照射非均匀半导体(PN结)时，由于内置场的作用，结两侧的光生载流子受到电场的影响，并向相反的方向运动：P区电子通过PN结进入N区，N区空穴通过PN结进入P区，从而使P端的电势增加，N端的电势降低，从而在pn结两端产生光生电动势，即3.自发辐射无外界因素时原子自发从激发态返回基态的光子发射过程；同频、同相、任意传播方向和偏振态。4.受激光辐射在光辐射的作用下，受激原子从激发态辐射到基态。激发光波与激

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