低频电子线路-课件-绝对珍藏11.ppt

1、回顾次低频电子电路、1、上一节，静态工作点稳态电路q是不稳定的基于要素的分压式发射极电阻共射放大电路晶体管放大器的3种构成、次低频电子电路、2、本节的内容、增强型场效应晶体管结型场效应晶体管(JFET )绝缘栅型场效应管(IGFET )、 次低频增强型场效应晶体管(Field Effect Transistor )是FET、次低频电子电路、4、4，1.4.1增强型场效应晶体管的概要，增强型场效应晶体管是与上述的双极晶体管(BJT )不同的半导体数据老虎钳。 次低频电子电路、5、两者的动作机构不同，双极晶体管(BJT )有2种载流子(多子、少子)增强型场效应晶体管(FET )有1种载流子(多子)

2、、次低频电子电路、6、控制方式不同、双极的结型场效应晶体管(JFET ) 在绝缘栅型场效应管(IGFET )、次低频电子电路、8、MOS增强型场效应晶体管(MOSFET )、绝缘栅型场效应管(IGFET )结构的去老虎钳中最常见的是次低频电子电路、9、JFET去老虎钳、 JFET是两种3360 n沟道JFET P沟道JFET、次低频电子电路、10、MOSFET、MOSFET是3360 n沟道MOSFET P沟道MOSFET、次低频电子电路，与11分类的n沟道MOS也是， 分成n沟道增强型-enMOSfetn沟道耗尽型-dnmosfeet的p沟道mos是p沟道增强型-epmosfetp沟道耗尽型

3、-dpmosfeet 次低频电子电路，14，1 .注意象征符和结构，增强型场效应晶体管的结构，原理和象征符与BJT有所不同。 下面我们来看一下结型场效应晶体管(JFET )的情况。次低频电子电路、15、JFET (图)、次低频电子电路、16、2nJFET的动作原理，以下，以n沟道为例分析JFET的动作原理。次低频电子电路、17、外加片偏移、管工作要求外加电源保证静态设定： VDS漏极直流电压-顺向电压VGS男同性恋直流电压-反向电压外加、次低频电子电路、18、VGS男同性恋直流电压的作用横向电场作用VGS PN结电容耗尽层宽度沟道宽度、低频电子电路、20、 VDS漏极直流电压的作用(图)，看次

4、低频电子电路，21，VDS的作用(不加VGS )，纵电场作用沟道楔型构造(上宽下窄)，次低频电子电路楔型构造，a点(前端闭锁)预大头针关断b点(下端闭锁)全大头针关断(大头针关断)，次低频电子电路，24，说明，沟道VGS对iD的控制作用。次低频电子电路、25、3特性曲线有：传输特性(考虑为什么不称为输入特性：输出特性、次低频电子电路、26、传输特性、解析传输特性、次低频电子电路、27、iD函数式、次低频电子电路、28、传输特性(图)、n沟道JFET传输特性曲线： IDSS为饱和电流vgs (图) 即次低频电子电路、30、输出特性(图)、次低频电子电路、31、1.4.3MOS增强型场效应晶体管、

5、mos增强型场效应晶体管是绝缘栅型场效应管的主要形式，应用十分广泛。 以次低频电子电路、32、MOSFET (图)、次低频电子电路、33、1.n沟道增强型(e型) MOSFET、n沟道增强型MOSFET为例，介绍MOS管的工作原理。在介绍次低频电子电路、34、(1)结构和符号、n沟道增强型(e型) MOSFET的结构和符号、次低频电子电路、35、结构和符号(图)、次低频电子电路、36、片偏移、VGS的动作原理分析中，分别介绍垂直电场作用横向电场作用、次低频电子电路、38、VGS垂直电场作用(向下) VGS垂直电场作用(向下)吸引p基板中的自由电子向上形成反型层(p封底出现n型层)，连通2个n区

6、域(形成沟道)。次低频电子电路、40、iD式、次低频电子电路、41、iD式中符号的含义、COX -每单位面积的男同性恋电容n -沟道电子的迁移率w-的特性曲线也包括迁移特性输出特性、次低频电子电路、43、迁移特性(图)、次低频电子电路、44、输出特性(图)、 是次低频电子电路、45、2.n沟道耗尽型MOSFET两种，以下，通过对n沟道耗尽型MOSFET进行分析的管结构(图)、次低频电子电路、48、结构特征、SiO2掺杂纳金属钍络离子，形成正的电场，从p基板吸引电子并向上移动、反型层加上VGS (正可负)，沟道宽度变窄，VDS电压降使沟道变成楔形。 次低频电子电路，49，管象征符(图)，请参见以

7、下几页：次低频电子电路，50，(2)特性曲线，两种特性曲线传输特性曲线输出特性曲线，次低频电子电路，51，特性曲线(图)，次低频电子电路，次低频电子电路，53，1 .直流残奥仪， 直流残奥仪表是与管的工作条件相关的大头针、关断电压、导通电压、漏极饱和电流、直流输入电阻、次低频电子电路、54、(1)大头针多关断电压VGS(OFF )，在适用于JFET和MOSFET为vgs=vget的增强型MOSFET的VGSVGS(th )的情况下JFET : rGS约108109对MOSFET : rGS约10111012通常，超过rGS、次低频电子电路、58、2 .极限残奥仪表、极限残奥仪表值，可以认为是要

8、不得残奥仪表。 漏极耐压男同性恋源极耐压最大电功耗、次低频电子电路、59、漏极源极耐压V(BR)DS是指能够施加在管的漏极源极间的最大电压。次低频电子电路、60、男同性恋源极破坏电压V(BR)GS指的是可施加在管的男同性恋源极间的最大电压。 次低频电子电路，61，最大电功耗PDM，管道最大耗散功率PDM=IDMVDS，次低频电子电路，62，3 .交流残奥仪表，交流残奥仪表与管道工作目标(信号)有关。 跨导输出电阻极间电容、次低频电子电路、63、(1)跨导gm、跨导gm的式(ms) gm反映了对VGS的ID的控制能力。次低频电子电路、64、跨导gm (图)、图根据对迁移特性曲线上的q点的斜率值(

9、与q点相关)、次低频电子电路、65、分析、JFET与MOSFET (耗尽层)、次低频电子电路、66的增强型MOSFET、次低频电子电路、68、分析， 对应于工作点q的gm可以通过增大增强型场效应晶体管的屏幕纵横比和生物电流来提高gm、次低频电子电路、69、(2)输出电阻，公式输出电阻rds反映了VDS对iD的影响。 是混沌查询密码输出特性曲线在某一点处的切向梯度的倒数。次低频电子电路、70、恒流特性、恒流区域iD根据VDS几乎没有变化(恒流特性)，次低频电子电路、71、厄利电压(图)、图、次低频电子电路、72、(3)的极间电容男同性恋源极电容CGS由势垒和信道容量构成(约0.11PF ) 男同

10、性恋漏极电容CGD由势垒和信道容量构成(约0.11PF )漏极源极电容CDS由封装和读取电容构成(约110PF )，次低频电子电路、73、各种FET管符号、次低频电子电路及次低频电子电路、76、BJT、导电机构：多子、少子(双极) 工作控制方式：流量控制输入阻抗： 102103放大能力：大工艺：复杂使用： CE置换不可辐射温度特性：噪声耐受力：差，次低频导电机构：多子(单极型)工作控制方式：电压控制输入阻抗： 1081012放大能力： gm小工艺：简单， 易集成使用： DS置换辐射温度特性：良好的抗干扰能力：良好.次低频电子电路，78，比较结果，次低频电子电路，79，使用FET的一些注意事项：保存测量焊接，次低频电子电路，80，保存：注意将一些大头针短路(用合十礼层捆绑)，次低频电子电路