电力电子技术-第一章-功率半导体器件分解.ppt

1、1,电力电子技术,南华大学电气工程学院 吴荣燕 讲师 Email: 办公室：电气学院四楼电子教研室（413）,绪论、器件,3,教材：,绪论、器件,4,1、内容,第一部分 功率半导体器件,第二部分 功率半导体器件的驱动与保护,第三部分 交流-直流（AC-DC）变换,第四部分 直流-直流（DC-DC）变换,第五部分 直流-交流（DC-AC）变换,第六部分 交流-交流（AC-AC）变换,第七部分 PWM控制技术,绪论、器件,5,绪论、器件,6,2、应用 （1）开关电源 （2）能量转换 调速 （3）过程控制 自动化、机器人 （4）运输 电力机车、电车、地铁、磁浮列车 （5）感应加热 （6）高压直流输电

2、、风力发电、太阳能发电 （7）民用 空调、电梯、办公设备、手机,绪论、器件,7,3、相关学科,绪论、器件,8,5、课程说明 电力电子技术： 电力电子器件(器件原理、设计、制造) 电力电子电路(基本电路构成、原理、设计) 电力电子装置及系统(调速系统、感应加热、直流输电等) 要求：各类变流装置的基本原理、控制方法、设计计算、,注意：波形、相位。,主要技术经济指标。,成绩：考试（闭卷）、平时（课后作业题应掌握）。,绪论、器件,9,第一章功率半导体器件,绪论、器件,10, 功率半导体器件的分类: 1、按可控性分类 （1）不控型器件 （2）半控型器件 （3）全控型器件 2、按驱动信号类型分类 （1）电

3、流驱动型 （2）电压驱动型,绪论、器件,11,1-2 大功率二极管 一、 大功率二极管的结构,大功率二极管的内部结构与外部构成与晶闸管基本相同，只是少了一个可控的门极。,反向恢复时间 trr： 普通25S 快速 200-500nS,与普通二极管相比有延迟导通、关断现象。,关断时会出现瞬时反向电流和瞬时反向过电压。,绪论、器件,12,二、大功率二极管的伏安特性,绪论、器件,13,三、大功率二极管的开通、关断特性,绪论、器件,14,四、大功率二极管的主要参数 、额定电流 IF 正向平均电流 、额定电压 URRM 反向重复峰值电压 、反向漏电流 反向不重复平均电流IRS，反向重复平均电流IRR 、正

4、向平均电压UF,五、大功率二极管的型号 ZP电流电压/100 通态电压等级 ,绪论、器件,15,六、输入整流管的选择,隔离式开关电源一般采用由整流管构成的整流桥，亦可直接选用成品整流桥完成桥式整流。 近年来，以大管芯、小封装为特点的各种塑料封装硅整流管大量上市。它们的体积小、性能优良、价格低廉。 典型产品有1N40011N4007（1A）、1N53911N5399（1.5A）、1N54001N5408（3A）。,绪论、器件,16,由四只硅整流管接成桥路形式，再用塑料封装而成。广泛应用于开关电源的整流电路。硅整流桥有4个引出端，其中交流输入端、直流输出端各两个。硅整流桥的最大整流电流平均值分0.

5、5A、1A、1.5A、2A、3A、4A、5A、6A、8A、10A、15A、25A、35A、40A等规格。最高反向工作电压有50V、100V、200V、400V、800V、1000V等规格。 美国威世（VISHAY）半导体公司生产的3KBP005M3KBP08M。,绪论、器件,17,如何检测整流二极管,？,利用数字万用表的二极管档来检测,二极管正向压降UF为0.550.7V（硅管），或者是0.150.3V（锗管）。,绪论、器件,18,整流桥的检测和使用,需要注意在市场上出售的廉价硅整流桥中，有的产品在管壳上标注的交流，直流标记位置不准，少数产品甚至发生错位90度的现象。直接接入电路中会把整流桥烧

6、掉，甚至会把变压器都会烧掉！因此，在用产品之前一定要检测！,绪论、器件,19,按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性 能，特别是反向恢复特性的不同，介绍几种常用的电力二极管。 普通二极管（General Purpose Diode） 又称整流二极管（Rectifier Diode），多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中。 其反向恢复时间较长，一般在5s以上 。 其正向电流定额和反向电压定额可以达到很高。,绪论、器件,20,快恢复二极管（Fast Recovery DiodeFRD） 恢复过程很短，特别是反向恢复过程很短（一 般在5s以下） 。 快恢复外延二极管 （Fast Recov

7、ery Epitaxial DiodesFRED） ，采用外延型P-i-N结构 ，其 反向恢复时间更短（可低于50ns），正向压降也很 低（0.9V左右）。 从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等 级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则 在100ns以下，甚至达到2030ns。,绪论、器件,21,快恢复及超快恢复二极管的选择,20A以下的快恢复二极管及超快恢复二极管大多采用TO-220封装。从内部结构看，可分成单管、对管两种。对管内部包含两只快恢复二极管或超快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。几十安的快恢复、超快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装，更

8、大容量（几百到几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装。,绪论、器件,22,绪论、器件,23,肖特基二极管（Schottky Barrier DiodeSBD） 属于多子器件，金属和半导体接触形成得势垒为基础的二极管。 优点在于：反向恢复时间很短（1040ns），正向恢 复过程中也不会有明显的电压过冲；在反向耐压较低的情 况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管；因此， 其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率 高。 弱点在于：当所能承受的反向耐压提高时其正向压降 也会高得不能满足要求，因此多用于200V以下的低压场 合；反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不 能忽略，而且必

9、须更严格地限制其工作温度。,绪论、器件,24,肖特基二极管的选择,绪论、器件,25,1-3 晶闸管,一、晶闸管的结构,结构:分为管芯及散热器两大部分。,方式: 分为螺栓型与平板型两种。,绪论、器件,26,螺栓型：散热效果差，用于200以下容量的元件,平板型：散热效果好，用于200以上的元件,a）自冷 b）风冷 c）水冷,绪论、器件,27,内部结构：四层（P-N-P-N）三端（A、K、G）,绪论、器件,28,二、晶闸管的工作原理 特点：正向阻断 反向阻断 1、 导通条件：正向阳极电压，正向门极电压。 关断条件：必须使阳极电流降低到某一数值之下（约几十毫安）。,2、 内部物理过程：,晶体管的集电极

10、电流为另一只晶体管的基极电流形成正反馈,绪论、器件,29,晶闸管的工作原理 按照晶体管工作原理，可列出如下方程：,图2-8 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 a) 双晶体管模型 b) 工作原理,式中1和2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。,绪论、器件,30,由以上式（2-1）（2-4）可得,(2-5),晶体管的特性是：在低发射极电流下 是很小的，而当 发射极电流建立起来之后， 迅速增大。 在晶体管阻断状态下， IG=0 ，而1+2是很小的。由上式 可看出，此时流过晶闸管的漏电流只是稍大于两个晶体管 漏电流之和。 如果注入触发电流使各个

11、晶体管的发射极电流增大以致 1+2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA（阳极电流）将 趋近于无穷大，从而实现器件饱和导通。 由于外电路负载的限制，IA实际上会维持有限值。,绪论、器件,31,除门极触发外其他几种可能导通的情况 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 阳极电压上升率du/dt过高 结温较高 光触发 这些情况除了光触发由于可以保证控制电路与 主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中 之外，其它都因不易控制而难以应用于实践。只 有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。,绪论、器件,32,静态特性 正常工作时的特性 当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通 。

12、 当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通 。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门极触发电流是否还存在，晶闸管都保持导通 。 若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。,绪论、器件,33,三、 晶闸管的特性,1、晶闸管的阳极伏安特性, 正向阻断高阻区 负阻区 正向导通低阻区 反向阻断高阻区,晶闸管的伏安特性 正向特性 当IG=0时，如果在器件两端施加正向电压，则晶闸管处于正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过。 如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通 。 随着门极电流幅

13、值的增大，正向转折电压降低，晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态，IH称为维持电流。,绪论、器件,34,2、门极伏安特性,确保触发：Ig IGT, Ug UGT 加反压 10，防止误触发,门极峰值功率,门极正向峰电压,门极正向峰电流,门极平均功率,绪论、器件,35,3、 晶闸管的开关特性,动态特性 开通过程 由于晶闸管内部的正反馈 过程需要时间，再加上外电路 电感的限制，晶闸管受到触发 后，其阳极电流的增长不可能 是瞬时的。 延迟时间td (0.51.5s) 上升时间tr (0.53s) 开通时间tgt=t

14、d+tr 延迟时间随门极电流的增 大而减小,上升时间除反映晶 闸管本身特性外，还受到外电 路电感的严重影响。提高阳极 电压,延迟时间和上升时间都 可显著缩短。,绪论、器件,36,关断过程 由于外电路电感的存在，原处 于导通状态的晶闸管当外加电压突 然由正向变为反向时，其阳极电流 在衰减时必然也是有过渡过程的。 反向阻断恢复时间trr 正向阻断恢复时间tgr 关断时间tq=trr+tgr 关断时间约几百微秒。 在正向阻断恢复时间内如果重 新对晶闸管施加正向电压，晶闸管 会重新正向导通，而不是受门极电 流控制而导通。,绪论、器件,37,四、 晶闸管的主要参数,1、额定电压UR,选用器件时 UR=(

15、2 3)UTM,正反向重复峰值电压,取UDRM和URRM中较小值，取整,1000V以下（100V一个等级），10003000V（200V一个等级）,UDRM = 0.8UDSM，URRM = 0.8 URSM,绪论、器件,38,2、通态平均电流（额定电流）IT(AV) 单相、工频、正弦半波、角度170,波形系数f/ IT(AV) =/2 = 1.57,选择元件：有效电流,整流输出：平均电流,从平均电流找出相应波形的有效电流以保证不过热,选用器件时 IT(AV)=(1.5 2)I/1.57,绪论、器件,39,3、通态平均电压（管压降）UT(AV),4、维持电流H,5、掣住电流L 开通过程中，能维

16、持导通的最小电流。IL（24）IH,几十mA，结温 IH(难关断),绪论、器件,40,6、门极触发电流GT与门极触发电压GT 对触发电路要求，随温度变化。(夏天容易触发，冬天不容触发),7、电路换向关断时间q 导通时有载流子存在。使载流子消失， 恢复正向阻断能力，q 40微秒以上。,绪论、器件,41,门极开路，使元件断通的最小电压上升率 Uak UB0， Ic相当于Ig,9、通态电流临界上升率 di/dt,di/dt过大J,8、断态电压临界上升率 du/dt,绪论、器件,42,11、晶闸管的型号 普通, 快速型，双向型，逆导型，可关断 KP电流电压/100 ,KP500-12,绪论、器件,43

17、,如何检测晶闸管？,绪论、器件,44,晶闸管的应用,绪论、器件,45,绪论、器件,46,常用的晶闸管型号,绪论、器件,47,快速晶闸管（Fast Switching ThyristorFST） 有快速晶闸管和高频晶闸管。 快速晶闸管的开关时间以及du/dt和di/dt的耐量都有了明显改善。 从关断时间来看，普通晶闸管一般为数百微秒，快速 晶闸管为数十微秒，而高频晶闸管则为10s左右。 高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高。 由于工作频率较高，选择快速晶闸管和高频晶闸管的 通态平均电流时不能忽略其开关损耗的发热效应。 快速晶闸管得型号与普通晶闸管类似，只是用KK来代替KP。,绪论、器件

18、,48,图2-11 双向晶闸管的电气图形 符号和伏安特性 a) 电气图形符号 b) 伏安特性,双向晶闸管（Triode AC SwitchTRIAC或Bidirectional triode thyristor） 可以认为是一对反并联联 接的普通晶闸管的集成。 门极使器件在主电极的正反两方向均可触发导通，在第和第III象限有对称的伏安特性。 双向晶闸管通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。 型号用KS表示。,绪论、器件,49,K,G,A,图2-12 逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性 a) 电气图形符号 b) 伏安特性,逆导晶闸管（Reverse Conducting

19、 ThyristorRCT） 是将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件，不具有承受反向电压的能力，一旦承受反向电压即开通。 具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点，可用于不需要阻断反向电压的电路中。 用KN表示。,绪论、器件,50,A,G,K,a),AK,光控晶闸管（Light Triggered ThyristorLTT） 是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。 由于采用光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，而且可以避免电磁干扰的影响，因此光控晶闸管目前在高压大功率的场合。利用8KV、 3.5KA的光控晶闸管所构成得300MVA容量的电力变换装置是目前

20、最大的电力电子装置。 型号用KL表示。,图2-13 光控晶闸管的电气图形符 号和伏安特性 a) 电气图形符号 b) 伏安特性,绪论、器件,51,2.4 典型全控型器件引言,门极可关断晶闸管在晶闸管问世后不久出现。 20世纪80年代以来，电力电子技术进入了一个 崭新时代。 典型代表门极可关断晶闸管、电力晶体管、 电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。,电力MOSFET,IGBT单管及模块,绪论、器件,52,2.4.1 门极可关断晶闸管,晶闸管的一种派生器件，但 可以通过在门极施加负的脉冲 电流使其关断，因而属于全控 型器件。 GTO的结构和工作原理 GTO的结构 是PNPN四层半导体结 构。 是一

21、种多元的功率集成 器件，虽然外部同样引出个 极，但内部则包含数十个甚 至数百个共阳极的小GTO 元，这些GTO元的阴极和门 极则在器件内部并联在一起。,图2-14 GTO的内部结构和电气图形符号 各单元的阴极、门极间隔排列的图形 并联单元结构断面示意图 电气图形符号,绪论、器件,53,图2-8 晶闸管的双晶体管模型 及其工作原理 a) 双晶体管模型 b) 工作原理,在GTO的设计制造时，图2-8b中等效晶体管V2的共基极电流放大系数2较大。,由图可知：,当GTO处于通态时，IG=0，IB2=IC1，如果突加一个负触发电流-Ig。则会发生强烈负反馈。最终导致GTO阳极电流减小到维持电流IH以下，

22、使GTO从通态转入断态。,绪论、器件,54,GTO与普通晶闸管的不同 设计2较大，使晶体管V2控制 灵敏，易于GTO关断。 导通时1+2更接近1，导通时接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。 多元集成结构，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流。,绪论、器件,55,GTO的主要参数 GTO的许多参数都和普通晶闸管相应的参数意义相同。 最大可关断阳极电流IATO 用来标称GTO额定电流。 电流关断增益off 最大可关断阳极电流IATO与门极负脉冲电流最大值IGM之比。 off一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。,绪论、器件,56,四、大功率晶体管（GTR）,1、

23、结构：,普通晶体管结构,GTR结构,符号,特点： 开关频率较高、动态性能好、承受功耗小、控制方便。 阻断能力差、瞬态过电压及过载能力差。,绪论、器件,57,2、工作特性,（1）静态特性,绪论、器件,58,（2）动态特性,td：延迟时间； ts：存储时间 tr：集电极电流上升时间； tf：集电极电流下降时间,绪论、器件,59,动态特性 开通过程 需要经过延迟时间td和上升时 间tr，二者之和为开通时间ton。 增大基极驱动电流ib的幅值并 增大dib/dt，可以缩短延迟时间， 同时也可以缩短上升时间，从而 加快开通过程。 关断过程 需要经过储存时间ts和下降时 间tf，二者之和为关断时间toff

24、。 减小导通时的饱和深度以减 小储存的载流子，或者增大基极 抽取负电流Ib2的幅值和负偏压， 可以缩短储存时间，从而加快关 断速度。 GTR的开关时间在几微秒以内， 比晶闸管和GTO都短很多。,图2-18 GTR的开通和关断过程电流波形,主要是由发射结势垒电容和集电结势垒电容充电产生的。,是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的，是关断时间的主要部分。,绪论、器件,60,3、主要参数,（1）电压参数 集电极额定电压 UCEM 应 小于 UCEO UCEO ：基极开路，集电极电流较大时，集，射极间的击穿电压,（2）电流参数 连续（直流）额定电流 IC ：指只要保证结温不超过允许得最大结温和晶体管

25、所允许连续通过的直流电流值。 集电极额定电流（最大允许电流）ICM ：取决于最高允许结温下引线、硅片等得破坏电流，超过这一电流元件比如损坏。,单个GTR的饱和压降一般不超过11.5V，UCES随集电极电流ICM的增大而增大。,绪论、器件,61,(1) 二次击穿现象,出现击穿现象（AB段），称一次击穿。,1),2),集电极局部过热，CD负阻效应, 低电流，大电压，称二次击穿，元件损坏 。,4、二次击穿现象与安全工作区,绪论、器件,62,(2) 安全工作区,FBSOA,RBSOA,绪论、器件,63,1、结构,五、功率场效应晶体管（P-MOSFET）,特点：电压控制，控制极（栅极）静态内阻高 驱动功

26、率小，开关速度高，无二次击穿，安全工作区宽,栅极偏压为零时漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。栅极偏压大于零（N沟道）才存在导电沟道的称为增强型。,绪论、器件,64,如在栅源极间加一正电压UGS，则栅极上的电压将其下得P基区中的空穴推开，而将电子吸引到栅极下的P基区的表面，当UGS大于开启电压UGS(th)时，栅极下P基区表面的电子浓度将超过空穴浓度，从而使P型半导体反型成N半导体，成为反型层，使PN结消失，漏极和源极间开始导电。,绪论、器件,65,() 可调电阻区 () 饱和区 ( ) 击穿区,1)漏极伏安特性,2、工作特性 （1）静态特性,跨导（与GTR中相似）,表示栅源电压对ID的控制

27、,2)转移特性,绪论、器件,66,静态驱动电流小 动态Cin充放电，驱动电流稍大,开通：a）,b),c),输入电容:,(2)开关特性,为多数载流子器件，没有存储 效应，开关时间短为20ns左右,绪论、器件,67,关断：a）UP高电平 ，Cin放电，UGS下降，iD未变,b）td（off）时，预夹断，iD下降,c）Cin仍放电，UGS仍下降，夹断区上升，iD下降,UGSUGS（TH）时，导电沟道消失，iD0,从结构上看，还含有一个由S极下的P区和D极下的N区形成的寄生二极管，该寄生二极管的阳极和阴极就是功率MOSFET的S极和D极，它是与MOSFET不可分割的整体，是MOSFET无反向阻断能力。

28、,绪论、器件,68,up为矩形脉冲电压信号源，Rs为信号源内阻，RG为栅极电阻，RL为漏极负载电阻，RF用于检测漏极电流。,从上面分析可以看出，要提高器件开关速度，需要减小td(on)、tr、 td(off)、 tf，在元件极间电容已存在的条件下，需要减小栅极驱动电源内阻，以提高电容充放电的速度，同时驱动电路还要能向栅极输入电容Cin提供足够的充放电功率。,绪论、器件,69, 漏源电阻限制线 最大漏极电流限制线 最大功率限制线 最大漏源电压限制线,2)安全工作区,(3)主要参数与安全工作区,1)主要参数,（a）漏极电压 UDS,（b） 电流定额 ID,（c） 栅源电压 UGS,P-MOSFET

29、是多数载流子工作的器件，元件的通态电阻具有正的温度系数，即温度升高通态电阻增大，使漏极电流能随温度升高而下降，因而不存在电流集中和二次击穿的限制，有较宽的安全工作区。,绪论、器件,70,GTR：开关速度不高，驱动功率大，导通压降小,六、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）,IGBT,输入（MOSFET）,输出（GTR）,MOSFEF：开关速度高，驱动功率小，通态压降大,集中了MOSFET和GTR分别具有的优点：高输入阻抗，可采用逻辑电平来直接驱动，实现电压控制，开关速度高，饱和压降低，电阻及耗损小，电流、电压容量大，抗浪涌电流能力强，没有二次击穿现象，安全工作区宽等特点。,绪论、器件,71,1、结构

30、：,晶闸管结构图,P-MOSFET结构图,绪论、器件,72,2 、工作特性 (1)静态特性,IGBT输出特性的特点是集电极电流Ic由栅极电压UG控制，UG越大IC越大。在反向集射极电压作用下器件呈现反向阻断特性，一般只流过微小的反向漏电流。,输出特性,转移特性,最大栅极电压应受最大集电极电流ICM的限制，其最佳值为UG=15V。,绪论、器件,73,(2)动态特性,开通过程 开通延迟时间td(on) 电流上升时间tr 电压下降时间tfv 开通时间ton= td(on)+tr+ tfv tfv分为tfv1和tfv2两段。 关断过程 关断延迟时间td(off) 电压上升时间trv 电流下降时间tfi

31、 关断时间toff = td(off) +trv+tfi tfi分为tfi1和tfi2两段 引入了少子储存现象，因而 IGBT的开关速度要低于电力 MOSFET。,开通过程由MOSFET决定,栅漏电容，晶体管由放大过渡到饱和需要时间,MOSFET单独工作电压下降,MOSFET关断过程,绪论、器件,74,3、擎住效应和安全工作区,Rbr上产生NPN管导通的正向偏压从而产生擎住现象 。,大，此电流可在,措施：ICICM,RG上升，使关断速度下降，减小重加,(1)擎住效应,IC上升，Rbr压降使NPN通,经正反馈，寄生等效晶闸管通，IGBT栅极失去控制作用。,静态擎住：ICICM,动态擎住：关断时产

32、生，J2结反压很快建立，,体区短路电阻,GRT基区内的调制电阻,绪论、器件,75,IGBT的主要参数 前面提到的各参数。 最大集射极间电压UCES 由器件内部的PNP晶体管所能承受的击穿电压所确定的。 最大集电极电流 包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP。 最大集电极功耗PCM 在正常工作温度下允许的最大耗散功率。,绪论、器件,76,IGBT的特性和参数特点可以总结如下： 开关速度高，开关损耗小。 在相同电压和电流定额的情况下，IGBT的安 全工作区比GTR大，而且具有耐脉冲电流冲击的 能力。 通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较 大的区域。 输入阻抗高，其输入特性与电力MO

33、SFET类 似。 与电力MOSFET和GTR相比，IGBT的耐压和 通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高 的特点。,绪论、器件,77,2.5 其他新型电力电子器件,MCT（MOS Controlled Thyristor）是将 MOSFET与晶闸管组合而成的复合型器件。 结合了MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率、 快速的开关过程和晶闸管的高电压大电流、低导通压降的特点。 由数以万计的MCT元组成，每个元的组成为： 一个PNPN晶闸管，一个控制该晶闸管开通的 MOSFET，和一个控制该晶闸管关断的MOSFET。 其关键技术问题没有大的突破，电压和电流容量 都远未达到预期的数值，未能投入

34、实际应用。,绪论、器件,78,2.5.2 静电感应晶体管SIT,是一种结型场效应晶体管。 是一种多子导电的器件，其工作频率与电力MOSFET相当，甚至超过电力MOSFET，而功率容量也比电力MOSFET大，因而适用于高频大功率场合。 栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断，这被称为正常导通型器件，使用不太方便，此外SIT通态电阻较大，使得通态损耗也大，因而SIT还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。,绪论、器件,79,2.5.3 静电感应晶闸管SITH,可以看作是SIT与GTO复合而成。 又被称为场控晶闸管（Field Controlled ThyristorFCT），本质上是两种载流子导电 的双极型器件，具有电导调制效应，通态压降低、 通