内存--电脑自学.ppt

1、课前预读内存的概要内存安装内存的使用和维护课后练习，第4课内存，西安电脑维护wenku1，课前预读，基础知识重点知识知识知识，基础知识，内存的作用，内存的种类，初步的认识和理解内存。 掌握重点知识、内存性能指标、内存安装方法。 以了解知识、内存选项和内存布兰德的含义。 存储器的概要、存储器的作用存储器的种类存储器的性能指标、存储器是用于暂时存储数据的存储器，是指用于在计算机中存储数据的半导体存储器针织面料。 容量和性能直接影响计算机的运行速度。 记忆的作用，记忆(Memory )也称为内部记忆或主记忆，用于存储计算机的可执行计程仪和处理的数据，如人体大脑的记忆系统。 只需打开电源启动电脑，内存

2、中就存在着各种各样的数据信息，可以说绝对不会空闲。 计算机计程仪程序运行时，product prom首先被读入内存，然后在特定的内存中运行，处理的结果也保存在该内存中。 也就是说，内存和电脑CPU之间频繁地交换数据，没有内存的话，电脑CPU的工作就会变得困难，计算机也无法启动。 存储器的种类根据工作原理可以根据存储器的性能分为存储器的封装方式，根据工作原理可以根据存储器的工作原理主要分为两种。 一个是随机存取存储器(ram )，也就是说，随机访问存储器，使得指令可以随机地读写存储的内容。 RAM中保存的数据在供电中断时会丢失，因此只能在电源接通时保存数据。 RAM可以分为动态RAM (dRAM

3、 )和静态ram (静态ram )两种。 DRAM具有集成度高、结构简单、电功耗低、生产成本低等特点，主要应用于计算机主存储器，如存储器文明棍，而SRAM结构比较复杂、成本高、速度快，因此一般SRAM为高速小容量的双曲馀弦值。 另一个是只读存储器(rom )，即只读存储器，只能读取信息，不能任意写入信息。 ROM价格高，容量小，但具有即使断电数据也不变的优点，所以多用于存储一次写入的程序和数据。 根据内存性能，fpm ram (快速扩展调制解调器) edoram (扩展数据库) SDRAM (同步动态) DD rsdram (双重数据库)这样EDO RAM、edo(extendeddataou

4、tput )存储器消除了主机板和存储器这两个存储资源再生之间的时间间隔，每隔2个时钟周期传输数据，大幅缩短了网站数据库时间，将存取速度提高了3060ns。 EDO内存主要用于72行SIMM内存文明棍和带有EDO内存芯片的PCI格拉夫卡。 此存储器在486在先的奔腾计算机系统上很流行，有72线和168线的部分，采用5V电压，二进制位宽度为32 bit，可以在因特尔fx/vx芯片组技术的主机板上使用，使用奔腾100/133的计算机系统中现在还有很多但是，因为采用了5V电压，所以与后述的sdram(sdram为3.3V )不同，如果将两者混合使用则容易烧损，所以在使用之前最好事先知道该主机板是使用3

5、.3V还是5V电压。 SDRAM和同步动态随机存取存储器(SDRAM )在相同的时钟下摇滾乐电脑CPU和RAM，允许RAM和电脑CPU共享相同的时钟周期，以相同的速度同步运行，比EDO内存快50倍。 SDRAM内存如图4-1所示。图4-1、SDRAM基于包含两个交错摩瑞亚阵列的双memo摩瑞亚体系结构，电脑CPU从一个摩瑞亚阵列或阵列网站数据库到数据时，另一个准备读取数据，通过这些个两个memo阵列的紧密切换，读取SDRAM的速度已经超过了100MHz，存储时间达到了58ns。SDRAM存储器的命名规则基于动作频率，规格有PC100和PC133(PC150、PC166实际上是PC133的扩展)

6、两种。 SDRAM不仅用于主存储器，还广泛用于格拉夫磁盘卡上的内存。 SDRAM采用64二进制位数据读写形式，存储文明棍大头针为168行，采用双列直插式DIMM存储文明棍，读写速度最高可达10ns。 DDR SDRAM、DDR SDRAM是SDRAM的更新产品，是目前最受欢迎的内存。 由于可以在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，因此，可以使SDRAM的速度倍增，而不会提高时钟频率，并且可以具有SDRAM的2倍的传输速率和内存带宽。 DDR SDRAM内存如图4-2所示。 与图4-2、SDRAM一样，DDR SDRAM也采用64二进制位的残奥级数据男低音，使用2.5V的电压。 在外观上，DDR

7、SDRAM与SDRAM没有太大差别，具有相同的长度和相同的大头针距离。 但是，DDR SDRAM存储器有小的间隙为184pin，大头针数比SDRAM多16pin，这些个的大头针主要包含新的阀门控制、时钟、电源和接地等信号。 此外，DDR SDRAM存储器根据传送速率来命名，主要分成PC1600、PC2100、PC2700、PC4200，也称为DDR200、DDR266、DDR333、DDR400，分别与100MHz相对应地动作的DDR200、DDR266、DDR333、DDR400 RDRAM (内存男低音式动态随机存储器)是Rambus公司开发的具有系统带宽、芯片-芯片接口设定纠正的新型DR

8、AM，在高频范围内通过简单的男低音传输数据时，使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两端RDRAM内存如图4-3所示。 在图4-3中，RDRAM必须与RIMM插槽和芯片组技术组合，RDRAM必须填满所有RIMM插槽，而空RIMM插槽必须填满专用的RDRAM终结器。 RDRAM具有相当高的数据传输率，一个通道800MHz的RDRAM带宽为800MHz16二进制位=1.6GB/s，两个通道为3.2GB/s，四个通道为6.4GB/s。 RDRAM根据传输率命名，主要被分成PC600、PC800、PC1066，并分别以75MHz (实际相当于300MHz )、100MHz (实际相当于400MHz )、

9、133MHz (实际相当于533 )动作的存储器SOJ TSOP Tiny-BGA BLP CSP，内存实际上由庞大的IC集成电路构成，但这些个的电路必须全部在最后的报文分组完成。 将这种IC集成电路报文分组化的技术就是封装技术。 封装也称为用于安装半导体IC集成电路芯片的封装，不仅起到载置、固定、密封、保护、增强导热性的作用，而且将芯片内部世界和外部电路的桥梁芯片上的接点用引线与封装的引线连接，这些个的引线将印刷基板上的引线因此，对于许多IC集成电路产品来说，封装技术是非常重要的一环。 根据内存的封装形式，可以将内存分为以下类别。 SOJ、SOJ(Small Out-Line J-Lead，

10、小尺寸j引线封装)封装方式(如图4-4所示)是指，在存储器芯片的两侧排成一列的小j引线，直接粘贴在印刷电路板的表面上。 SOJ软件包通常用于EDO RAM内存。 另外，图4-4、TSOP、大部分的SDRAM存储器的芯片采用了以往的TSOP(Thin Small Out-Line Package，小型超线封装)封装方式。 所谓TSOP封装方式，是外观上轻小的封装，在封装芯片的周围制作引线，直接粘接在PCB基板的表面，焊盘和PCB基板的接触面积小，芯片向PCB基板传热相对困难。 相对于SOJ封装，TSOP封装的厚度只有其1/3。 用TSOP封装方式打包的内存如图4-5所示。 再有，图4-5、Tin

11、y-BGA、Tiny-BGA(Tiny Ball Grid Array )封装方式能够减小芯片和存储器整体的PCB的面积。 Tiny-BGA可以看作是超小型的球栅阵列封装。tiny -球栅阵列封装的电路连接也与以往方式不同，存储器芯片和基板的连接依赖于芯片中心位置的细引线。 在tiny -球栅阵列封装中，记忆粒子通过焊球焊接在PCB上，由于焊盘与PCB的接触面积大，所以备忘录河湾地运行中产生的热量容易传递到PCB基板，可以散热。 Kingmax内存采用三角网球栅阵列封装方式。 Kingmax内存如图4-6所示。 图4-6、BLP、BLP(Bottom Lead Package :底部引线封装)

12、封装方式是基于现有封装技术而采用的反向电路，通过从底部直接引出引线，能够节约约90%的电路，具有封装尺寸和芯片表面温度大幅降低的优点BLP封装明显小于常规TSOP封装的存储器粒子。 BLP封装与Kingmax存储器的tiny -球栅阵列封装类似，BLP封装技术可以大幅降低电阻值、大幅降低芯片温度、进一步提高工作频率。 BLP封装方式如图4-7所示。 图4-7、CSP和芯片缩放包(CSP )软件包是基于BGA开发的。 CSP的芯片面积与封装面积的比率可超过1:0.14，对应于正常BGA的约1/3和TSOP存储器芯片面积的约1/6，并且可在相同体积下存储更多的芯片，从而增加单位容量。 与球栅阵列封

13、装相比，在同等的空间中，CSP软件包可以将存储容量提高三倍。 CSP封装不仅体积小，而且云同步薄，从金属基片到散热体的最有效散热路径只有0.2mm，大大提高了存储器芯片长时间运行后的可靠性，线路阻抗显着减小，芯片速度也大幅度提高。 此外，CSP封装的存储器芯片的中心引线形式有效地缩短了信号的传导距离，减少了其衰减，也大大提高了芯片的抗扰度，其网站数据库时间也比球栅阵列封装快了15 %。 CSP软件包的内存文明棍如图4-8所示。 图4-8、存储器的性能指标、tCK (时钟周期)网站数据库定时间CAS的延迟时间tAC ECC综合性能、tCK (时钟周期)、tCK表示存储器能够动作的最大频率，数字越

14、小表示存储器芯片能够动作的频率越高。 在正常PC-100的SDRAM记忆棒的情况下，示出芯片上的标识语10在工作时钟周期是l0ns的情况下正常工作在100MHz的外部频率上。 大部分存储标签条的尾数表示tCK周期，如PC-133标准，tCK的数值要求在7.5ns以下。 网站数据库时间、网站数据库时间表示数据读取延迟的时间。 目前，大多数SDRAM芯片的网站数据库时间为5、6、7、8或10纳秒。 LG的PC100 SDRAM芯片被显示为7J或7K，网站数据库时间为7ns，但系统时钟频率仍为10ns，外部频率为100MHz。 另外，CAS的延迟时间、CL(CAS Latency，CAS等待时间)是

15、CAS(Column Address Strobe，列地址存储)的延迟时间，这是垂直地址脉冲的系统响应时间，也是以一定频率通讯端口不同的规范存储器的重要的标志之一。 目前大多数SDRAM (如果外部频率为100MHz )都以CL2或CL3模式运行。 也就是说，读取数据的延迟时间可以是2个时钟周期，也可以是3个时钟周期。 在SDRAM的制造过程中，可以将该特性写入SDRAM的EEPROM (即SPB )，在电源接通时，主机板的BIOS检查该内容，以CL2这样的差动奥尔特模式进行动作。 tAC、tAC是CAS延迟时的最大输入时钟值，PC-100规格要求在CL3时tAC为6ns以下，有些内存编号的尾

16、数表示该值。ECC、ECC是新内存中普遍提及的技术名词，是内存检查的一种。 ECC类似于常规奇偶校验，虽然奇偶校验仅检测到差错就不能纠正，但ECC可以纠正大部分差错。 不仅可以检测出错误，还可以修正错误。 也就是说，系统可以在不中断或破坏数据的情况下继续运行。一般而言，记忆棒上的备忘录河湾地以双重形式出现，在看到单一备忘录河湾地时，其内存与ECC(Error Correction Coding、Error Cheching and Correcting，具有自动纠错功能的内存)相对应对于PC 100存储器来说，当CL=3时，要求tck (系统时钟周期时间)的数值小于10ns并且tac (接入时

17、间从clk )小于6ns。 这里之所以进行强调是因为，在对同一存储器文明棍设定了不同的CL值的情况下，tCK的值不同的可能性高，当然tAC的值也不相同。 如果总延迟时间是关系统时钟周期CL(CAS Latency )模式总网站数据库时间，PC100中的网站数据库时间是6ns并且可以设置的CL模式的数目是2 (即，CAS Latency=2)，则总延迟时间=10ns2，这是存储器性能的常数。 如何选择内存，了解内存布兰德，了解内存布兰德和识别内存应注意的问题，了解内存布兰德，了解三星手机yundai geil，目前市场内存布兰德很多，但实际生产内存河湾地的厂家有好几家其他许多记忆体制造商都采用他人的记忆粒子世界的记忆河湾