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1、报告人：庄丽娜 2010年12月,K+P车间生产规范操作培训报告,刻蚀、清洗和镀膜工艺原理 PECVD车间各工序标准操作及注意事项,概述,目的：去除太阳能电池的周边结，从而减少漏电，提高并阻值 根源：扩散过程中，硅片的表面及周边形成了N型结，相当于将电池片正负极接通，从而造成并联电阻很低，全部为18#片； 原理：在射频功率的激发下，低压反应气体电离并形成等离子体 （等离子体是由带电的电子和离子组成，反应气体在高能电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团，有利于刻蚀反应的进行）,等离子刻蚀结构示意图（刻蚀前）,等离子刻蚀结构示意图（刻蚀后）,等离子刻蚀原理,湿法刻蚀原理,

2、4,Si + HNO3 + HF H2SiF6 + HNO2 + H2O + H2 ,背结与下方HF/HNO3药液接触，通过腐蚀背结达到绝缘化目的,KOH处理,纯水喷淋,磷硅玻璃来自POCl3扩散过程： 进一步 PSG的去除： 六氟硅酸为可溶性的络合物,PSG清洗工艺原理,捷佳创PSG清洗各槽基本功能,低压时，射频激发使NH3和SiH4电离，在硅片表面沉积一层氮化硅薄膜SiNx:H 多晶膜厚目标82nm, 控制限8084nm，Spec限7787nm；,PECVD SiN薄膜工艺控制要求,生产违规操作,7,传递窗不可同时打开；,刻蚀接片_注意事项,不允许赤手接触刻蚀片夹； 赤手接触刻蚀片夹会污染

3、片夹，影响电池片的品质；,刻蚀接片_注意事项,注意在观察窗中观察辉光颜色是否为乳白色和托盘是否正常旋转； 辉光颜色不正常及托盘没有正常旋转会影响刻蚀效果，会形成刻蚀不净，造成等外片；,刻蚀过程_注意事项,对每组硅片周边并取上、中、下三片进行PN型检测； 检查有无刻蚀干净的方法；,刻蚀效果检验_注意事项,清洗接片时需仔细检查是否装错或装到同一篮齿； 防止清洗时粘片；,PSG清洗前检查_注意事项,禁止手拿硅片及赤手拿花篮，并使用双手搬运装满硅片的花篮； 防止摔片；,PSG清洗过程_注意事项,PSG清洗不净_注意事项,这里用SiO2的亲水性与硅的不亲水两种截然不同的性质来判断，将硅片放入水中然后慢慢

4、提出： 如果表面沾水，则不合格 如果表面不沾水，则清洗干净,PSG清洗不净_注意事项,管式PECVD最大的缺陷在于因使用石墨舟作为电极，而随着石墨舟使用次数的增加，导电性和导热性能均会大幅下滑，会导致镀膜品质变差； 工艺石墨舟的清洗周期为7天，现由工艺记录各舟使用时间，若使用时间过长易导致硅片镀膜均匀性变差甚至产生失败片，所以生产需根据工艺要求及时停用到期的石墨舟；,石墨舟计数及定期清洗,色差,装舟时需将硅片紧贴石墨舟钩点，且在不同组硅片之间装上间隔片以防混片，在石墨舟装完硅片后将石墨舟放平，轻拍检查有无掉片； 漏装片或与石墨舟钩点接触不良易造成失败片及影响硅片镀膜的均匀性，装片时未卡住钩点而

5、造成在炉管中镀膜时掉片易导致第14步（镀膜）报警而未镀上膜，此时需通知工艺；,漏装导致镀膜失败片,漏装,掉片导致镀膜失败片,掉片,未紧贴钩点装片导致镀膜失败片,未紧贴钩点装片,正常镀膜后每个硅片应出现3个钩点；,保持舟和吸盘清洁,严禁赤手直接触碰石墨舟，装舟后在流程单上填写石墨舟号，进舟时填写相应炉管号，吸盘需每2小时用蘸有酒精的无尘布擦拭一次，待酒精挥发后再接触硅片；,检查石墨舟的方向。石墨舟上有两个小孔的一端为舟尾，与炉管内的铜电极（位于炉尾处）对接；若石墨舟放反将损坏电极或石墨片；,电极端,确认石墨舟进入的方向,小推车与炉管对应,使用各机台所对应的小车，勿混，并认真检查石墨舟在小推车上放置的方向和小推车载舟平台的方向 各机台的小车只能对应使用是因为机台不能识别其他机台的小车，如果误使用会造成摔舟事故；,选择正确的工艺Recipe,进舟人员需在炉门关闭后方能离开，操作过程中不要随意点击界面，多晶工艺曲线均为01，单晶工艺曲线为03，烘舟工艺曲线为02； 进舟时一定要正确的选择工艺曲线，如果误选择会影响镀膜品质； 卸片时应轻放，勿出现硅片与印刷篮撞击的声音，以防导致隐裂、崩点现