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文档简介

1、内容，特征实际信号命令真值表寄存器定义(MRS EMRS)延迟锁相环ON/OFF定时DC/AC操作条件SSTL_2，SSTL_18 LVTTL AC规范自动更新时间，DDR I与DDR II比较简介，特征，两个预取结构片内的DLL(DLL用于内存读取同步)DLL数组DQ和DQS转换以及CLK转换。差分时钟输入(CLK、CLK#)除DQ和DM之外的所有输入都从CLK中采样。允许在数据选择通过(DQS)的升降边缘执行数字I/O操作。DDR中的写入操作从DQS的边缘采样，读取操作是平面采样。实际信号，CS:可选信号CKE:锁定信号。DQS:数据选择通信号。DQ:数据总线。选择BA0、BA1:地址存储

2、。DM:数据屏幕避免(I，单向信号)WE:自动同步写入RAS:行CAS:列自动同步/地址选择路径栏MS :模式注册机构集VDQ 3360 DQ powersup lly-0.1v vssq : dq ground vdd : power sup lly 2.6/-0.1v，实际原理图、DDR都是双数据速率DDR SDRAM，中文为“双数据速率DDR两个茄子信号比SDRAM多。CLK#和DQS，CLK#形成与普通CLK时钟拓扑相反的差分时钟信号。与差分时钟单时钟相比，信号质量明显提高，可以有效地避免电磁干扰的影响，用于高速传输的目标地址和控制信号的传输在CLK和CLK#的交点处进行，DQS的上升和下降通过采样(传输)实现DDR。DDR块图表，命令真值表，寄存器定义-MRS，寄存器定义-EMRS，DC/AC操作条件，SSTL_2，SSTL_18 LVTTL(电压规格)党auto refresh由cke低级激活初

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