第2章 电力电子器件的基本特性.ppt

1、教案编写： 肖强晖 廖无限,授课教师： 肖强晖,现代电力电子技术 Modern Power Electronics,第2章 电力半导体器件的基本特性,2.1 电力半导体器件的种类及应用 2.2 半导体整流管 2.3 晶闸管和可关断晶闸管 2.4 功率场效应管和绝缘栅双极型晶体管 2.5 电力半导体器件的功率损耗和冷却,重点和难点,电力电子器件的基本模型和分类 电力电子器件指标和特性 应用电力电子器件系统的组成 电力电子器件的驱动和保护类型及原理,2.1 电力半导体器件的种类及应用,电力半导体器件是电力电子技术及其应用系统的基础。电力电子技术的发展取决于电力电子器件的研制与应用。 定义：电力电子

2、电路中能实现电能的变换和控制的半导体电子器件称为电力电子器件（Power Electronic Device）。 广义上，电力电子器件可分为电真空器件和半导体器件两类，本书涉及的器件都是指半导体电力电子器件。,不可控器件：器件本身没有导通、关断控制功能，而需要根据电路条件决定其导通、关断状态的器件称为不可控器件。如：电力二极管（Power Diode）； 半控型器件：通过控制信号只能控制其导通，不能控制其关断的电力电子器件称为半控型器件。 如：晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件等； 全控型器件：通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断的器件，称为全控型器件。 如：门极可关断晶闸管（

3、Gate-Turn-Off Thyristor ）、 功率场效应管（Power MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（Insulated-Gate Bipolar Transistor）等。,一、按器件的开关控制特性可以分为以下三类：,二、电力电子器件按控制信号的性质不同又可分为两种：,电流控制型器件： 此类器件采用电流信号来实现导通或关断控制。 如：晶闸管、门极可关断晶闸管、功率晶体管、IGCT等；,电压控制半导体器件： 这类器件采用电压控制（场控原理控制）它的通、断，输入控制端基本上不流过控制电流信号，用小功率信号就可驱动它工作。 如：MOSFET管和IGBT管。,2.1.2 电力电子器件的

4、种类,附表2.1:主要电力半导体器件的特性及其应用领域,2.2 半导体整流管,2.2.1 PN结型整流管 2.2.2 其它类型的整流管,2.2 半导体整流管,2.2.1 PN结型整流管,Power Diode结构和原理简单，工作可靠，自20世纪50年代初期就获得应用。 快恢复二极管和肖特基二极管，分别在中、高频整流和逆变，以及低压高频整流的场合，具有不可替代的地位。,整流二极管及模块,PN结的状态,2.2.2 其它类型的整流管,除了PN结型的整流管外，还有肖特基整流管、快恢复二极管和同步整流管等。 肖特基整流管：导通压降的典型值为0.40.6V（而PN结型整流管的通态压降典型值为1V左右），而

5、且它的反向恢复时间为几十纳秒。它常被用于高频低压开关电路或高频低压整流电路中。 快恢复二极管：它的容量可达1200V/200A的水平，反向恢复时间为10纳秒数量级，常应用于三相380V高频PWM整流/逆变电路中，作为电力半导体器件缓冲吸收回路中的快恢复二极管。 同步整流管：利用VDMOS管的栅极驱动信号与电源电压同步而构成的具有低导通电阻、低反向恢复时间等优良特性的一种整流器件，已经成功用于48VDC以下电压等级的开关电源的输出整流部分，用来提高高频整流电路的效率，估计可提高效率7%。,2.3 晶闸管和可关断晶闸管,2.3.1 晶闸管（SCR） 2.3.2 门极可关断晶闸管（GTO）,2.3.

6、1 晶闸管（SCR）,晶闸管(Thirsted)包括：普通晶闸管(SCR)、快速晶闸管(FST)、双向晶闸管(TRIAC)、逆导晶闸管(RCT) 、可关断晶闸管(GTO) 和光控晶闸管等。 由于普通晶闸管面世早，应用极为广泛, 因此在无特别说明的情况下，本书所说的晶闸管都为普通晶闸管。 普通晶闸管：也称可控硅整流管(Silicon Controlled Rectifier), 简称SCR。 由于它电流容量大,电压耐量高以及开通的可控性(目前生产水平：4500A/8000V)已被广泛应用于相控整流、逆变、交流调压、直流变换等领域, 成为特大功率低频(200Hz以下)装置中的主要器件。,1、晶闸管

7、及其工作原理,（1）外形封装形式:可分为小电流塑封式、小电流螺旋式、大电流螺旋式和大电流平板式(额定电流在200A以上), 分别由图2.3.1(a)、(b)、(c)、(d)所示。 （2）晶闸管有三个电极, 它们是阳极A, 阴极K和门极(或称栅极)G, 它的电气符号如图2.3.1(e)所示。,图2.3.1 晶闸管的外型及符号,常用大功率晶闸管实物外形,螺栓型晶闸管,晶闸管模块,平板型晶闸管外形及结构,晶闸管的工作原理,晶闸管的内部结构和等效电路,导通条件： 在A-K两端施加正向电压； 同时在门极和阴极之间也施加正向触发（电压）信号时，门极有电流IG流通。 这时，即使去掉触发信号，这时晶闸管仍然能

8、够自动维持导通。,要使晶闸管由关断状态转变成导通状态，还有三种情况均无须门极触发信号，属于非正常导通： 正向转折导通：提高UAK正向电压，阳极电流IA增加，直至晶闸管转入通态； 温度导通：当温度增加时，流过PN结（J2）的反偏漏电流随着增加，直至晶闸管转入导通； du/dt导通：各PN结都存在着电容。在A-K两端加正向变化的电压时，各PN结将流过充电电流，其作用也相当于阳极电流IA增加，直至晶闸管导通。,阻断条件：当晶闸管A 、K间承受正向电压，而门极电流Ig=0时, 上述T1和T2之间的正反馈不能建立起来,晶闸管A 、K间只有很小的正向漏电流，它处于正向阻断状态。,2. 晶闸管的伏安特性,图

9、2-4 晶闸管的伏安特性,晶闸管导通时的A-K间的电压（导通压降）是非常小的，其典型的平均压降为12V，因此，晶闸管导通后相当于“低阻态”。 晶闸管门极特性偏差很大，即使同一额定值的晶闸管之间其特性也有所不同，所以在设计门极触发电路时，必须考虑这种偏差。,3. 晶闸管的开关过程,从图2-5中可知，晶闸管的开通时间为,（td为延迟时间；tr为上升时间）,晶闸管的关断时间为,在晶闸管关断的时间内，必须严格控制重加du/dt，避免晶闸管再次返回导通状态，引起关断失败。,1)又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。 2) 小功率光控晶闸管只有阳极和阴极两个端子。 3）大功率光控晶闸

10、管则还带有光缆，光缆上装有作为触发光源的发光二极管或半导体激光器。 4）光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响，因此目前在高压大功率的场合，如高压直流输电和高压核聚变装置中，占据重要的地位。,图2.3.8 控晶闸管的电气图形符号和伏安特性 a) 电气图形符号 b) 伏安特性,光控晶闸管(LTT),4、晶闸管的派生器件,可允许开关频率在400HZ以上工作的晶闸管称为快速晶闸管(Fast Switching Thyrister，简称FST)，开关频率在10KHZ 以上的称为高频晶闸管。 快速晶闸管为了提高开关速度，其硅片厚度做得比普通晶闸管薄，因此承受正反向阻断重复峰值电压

11、较低，一般在2000V以下。 快速晶闸管du/dt的耐量较差，使用时必须注意产品铭牌上规定的额定开关频率下的du/dt，当开关频率升高时，du/dt 耐量会下降。,快速晶闸管(Fast Switching ThyristerFST,可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。 有两个主电极T1和T2，一个门极G。 正反两方向均可触发导通，所以双向晶闸管在第和第III象限有对称的伏安特性。 与一对反并联晶闸管相比是经济的，且控制电路简单，在交流调压电路、固态继电器（SSR）和交流电机调速等领域应用较多。 通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。,图2.3.6 双向晶闸管的电

12、气图形符号和伏安特性 a) 电气图形符号 b) 伏安特性,双向晶闸管(TRIAC),1)将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。 2)与普通晶闸管相比，逆导晶闸管具有正压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点； 3)根据逆导晶闸管的伏安特性可知，它的反向击穿电压很低；因此只能适用于反向不需承受电压的场合； 4)逆导晶闸管存在着晶闸管区和整流管区之间的隔离区； 5)逆导晶闸管的额定电流分别以晶闸管和整流管的额定电流表示；,图2.3.7 逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性 a) 电气图形符号 b) 伏安特性,逆导晶闸管 (RCT),2.3.2 门极可关断晶闸管（GTO）,可

13、关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor)简称GTO。 它具有普通晶闸管的全部优点，如耐压高，电流大等。同时它又是全控型器件，即在门极正脉冲电流触发下导通，在负脉冲电流触发下关断。,与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。 和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。,图1-13 GTO的内部结构和电气图形符号 a) 各单元的阴极、门极间隔排列的图形 b) 并联单元结构断面示意图 c) 电气图形符号,1、GTO的基本原理,1）GTO的导通机理

14、与SCR是相同的。GTO一旦导通之后，门极信号是可以撤除的, 但在制作时采用特殊的工艺使管子导通后处于临界饱和，而不象普通晶闸管那样处于深饱和状态，这样可以用门极负脉冲电流破坏临界饱和状态使其关断。 2）在关断机理上与SCR是不同的。门极加负脉冲即从门极抽出电流(即抽取饱和导通时储存的大量载流子)，强烈正反馈使器件退出饱和而关断。,导通过程与SCR一样，只是导通时饱和程度较浅。需经过延迟时间td和上升时间tr。,GTO的关断特性,1）开通过程：,2、GTO的开关特性,2）关断过程：,采用很大的负门极电流迅速地减小阳极电流，并过一段时间后此微小（阳极）电流降为零，这时GTO才真正关断。,GTO在

15、应用中要注意以下方面的问题：, 明确门极开通和关断波形； 驱动电路的电源选择； 缓冲吸收回路的合理设计； 阳极电路限流电抗器的合理设计。,2.4 功率场效应管和绝缘栅双极型晶体管,2.4.1 功率场效应管（MOSFET） 2.4.2 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）,2.4.1 功率场效应管（MOSFET）,1. 功率MOSFET的基本结构,功率MOSFET的基本结构,2. 功率MOSFET的静态输出特性,当栅极电压UGS10V），典型值为15VDC开通，8VDC关断。,3. 功率MOSFET的开关特性,由于功率MOSFET没有载流子累积现象，所以本质上开关速度快，仅受各电极之间的寄生电容充放电

16、速度的影响，其开关时间与寄生电容的充放电时间相当。 功率MOSFET的工作频率可达100kHz1000kHz范围。,栅极驱动电路,电阻Ron和Roff，用于调整器件的充放电时间，从而可以分别控制功率MOSFET的开通与关断时间。,4、安全工作区,正向偏置安全工作区(FBSOA)：,导通时间越短，最大功耗耐量越高。,开关安全工作区(SSOA),曲线的应用条件是：结温TJ150，ton与toff均小于1s。,换向安全工作区(CSOA),5. 功率MOSFET的特点, 工作频率高，开关速度仅受寄生电容充放电的影响； 开关损耗小； 易于直接并联； 安全工作区宽； 栅极输入阻抗高，且呈容性； 输出容量较

17、低，导通饱和压降相对较高； 导通电阻Ron正比于UBR的2.5次方，因而制约了功率MOSFET耐压不能做得太高。,2.4.2 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）,IGBT：绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor) 。 兼具功率MOSFET高速开关特性和GTR的低导通压降特性两者优点的一种复合器件。 IGBT于1982年开始研制，1986年投产，是发展最快而且很有前途的一种混合型器件。 目前IGBT产品已系列化，最大电流容量达1800A，最高电压等级达4500V，工作频率达50kHZ。 在电机控制、中频电源、各种开关电源以及其它高速低损耗的中小功率领域

18、，IGBT取代了GTR和一部分MOSFET的市场。,IGBT基本上是功率MOSFET的漏极端追加P型半导体层的结构，等效成PNP型双极性晶体管和功率MOSFET的复合电路。 在IGBT的栅极上施加正电压时，在栅极电极下N沟道形成导通的形式。这一点是与功率MOSFET的最大区别，也是IGBT可以大电流化的原因。,1. IGBT的基本结构,IGBT的外形,IGBT也属场控器件，其驱动原理与电力MOSFET基本相同，是一种由栅极电压UGE控制集电极电流的栅控自关断器件。 导通：UGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 导通压降：电导调制效应使电

19、阻RN减小，使通态压降小。 关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。,IGBT伏安特性,2. IGBT的静态输出特性,4. IGBT的特点, 工作频率高，开关损耗小； IGBT的导通压降（或通态压降）比功率MOSFET低，特别是在大电流工作区段； NPT-IGBT具有导通压降的正温度系数特点，在并联使用时具有电流自动调节能力，即易于直接并联； 安全工作区宽，具有耐脉冲电流冲击的特点； 栅极输入阻抗高，且呈容性，与功率MOSFET相似； IGBT的耐压、电流容量可以做得很大，同时还可保持工作频率高的特点。,2.5电力半导体器件的功率损耗

20、和冷却,2.5.1 电力半导体器件的功率损耗 2.5.2 缓冲吸收回路 2.5.3 电力半导体器件的结面温度 2.5.4 为什么要对电力半导体器件进行冷却,2.5.1 电力半导体器件的功率损耗,纯电阻负载电路,电力半导体器件的功率损耗,各损耗是器件电压和电流乘积的平均功率损耗：,PT = Pon +Poff +Psw.on +Psw.off,器件的断态损耗可以忽略，其通态损耗,Pon= Uon Ion ,器件的开关损耗为,为电力半导体器件导通的占空比； fsw （=1/T）为器件的开关频率。,随着开关频率的增加，开关损耗将成为器件损耗的主要部分。,2.5.2 缓冲吸收回路,如图所示是一种开关器件的缓冲电路RCD缓冲吸收回路。 器件关断过程：电流经过C、D给无感电容器充电，使器件的UCE电压缓慢上升，可有效地抑制过电压的产生； 器件开通过程：C上的电荷再通过电阻R经器件放电，可加速器件的导通。 作用：使器件工作在安全工作区，器件的开关损耗有一部分转移到了缓冲吸收回路的功率电阻R上，降低了器件的损耗，并且可以降低器件的结面温度。,两种经常使用的缓冲吸收回路,2.5.3 电力半导体器件的结面温度,热阻的概念图,电力