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文档简介

1、固态电路中,采用的非线性元件一般是半导体二极管:,非线性电阻二极管,肖特基势垒二极管,非线性电容二极管,变容管、阶跃恢复二极管等,频谱搬移过程主要由非线性电阻完成、即核心元件是非线性电阻的频率变换器称为“阻性变频器”,频谱搬移过程主要由非线性电抗完成、即核心元件是非线 性电容的频率变换器称为“参量变频器”。,频率变换器按照功能还可进一步划分为: 下变频器、上变频器和倍频器,微波频率变换器,3.1 概述,微波频率变换器,本地振荡信号,中频信号,微波下变频一般采用阻性变频器 工作频带可作得很宽,可达几 个甚至几十个倍频程,而且动 态范围比较大,总噪声系数可 以作得相当低,泵浦信号,和频信号,微波上

2、变频一般采用参量变频器 它变频效率高、绝对稳定。,微波频率变换器,微波倍频器也是微波毫米波系统中常用的部件,在一些微波设备中,例如频率合成器和微波倍频链中,它更是不可缺少 的关键部件之一。,称为倍频次数,原则上,各种半导体元件只要 具有非线性,都可以用来构成倍频 器。 实际上,最常用的是变容管倍 频器和阶跃管倍频器。变容管倍频 器适用于低次倍频,其效率较高, 如果忽略损耗电阻等寄生参量的影 响,效率甚至可以达到100;而阶 跃管倍频器多用在高次倍频场合, 其结构相对简单,倍频次数可达100 以上。 本章将讨论变容管倍频器和阶跃管倍频器的性能及电路结构。,微波频率变换器,3.2 非线性电阻微波混

3、频器,非线性电阻微波混频器的核心元件是肖特基势 垒二极管。常见的非线性电阻微波混频器的基本电 路有三种类型:单端混频器采用一个混频二极管, 是最简单的微波混频器;单平衡混频器采用两个混 频二极管;双平衡混频器采用四个二极管。 本节将以元件的特性为基础,分析非线性电阻微 波混频器的工作原理及性能指标,包括电路时频域 关系、功率关系、变频损耗、噪声特性,并给出各 种非线性电阻微波混频器的电路实现(微带电路结 构)等。,微波频率变换器,3.2.1 电路工作原理与时频域关系,微波混频器只采 用一个肖特基势垒混 频二极管,称为单端 混频器,是信号源内阻抗, 是本振源内阻抗, 表示输出负载阻抗, 为直流偏

4、压,微波频率变换器,1. 输出电流频谱(设 ),先假设 、 和 均被短路;负载电压(输出电压),加于二极管两端的电压为信号电压、本振电压及直流偏压 (或零偏压)之和,肖特基势垒二极管的特性可以表示为:,二极管电流为 :,(1)小信号情况,信号电压幅度远小于本振电压幅度 ,按台劳级数在 处展开为:,微波频率变换器,由于信号电压的幅度很小,可将 以上的各高次项忽略不计,二极管的时变电导,假设混频二极管对所有本振谐波电压都是短路的,仅由正弦本振电压决定,是仅加直流及本振电压时的二极管电流,和 都是本振频率 的周期函数,利用傅立叶级数展开,微波频率变换器,根据第二章第二节混频二极管的交流激励特性可知

5、(忽略反向饱和电流):,(本振电流),(信号基波电流),(输出中频电流),微波频率变换器,(高次差频电流),(各次和频电流),混频电流的主要频谱,频率称为和频, 除称为中频外还称为差频, 称为镜像频率。,微波频率变换器,得出以下基本结论:,在非线性电阻混频过程中产生了无数的组合分量,其中包 含有中频分量,能够实现混频功能。可用中频带通滤波器 取出所需的中频分量而将其它组合频率滤掉。,中频电流的振幅为 .它与输入信号振幅成正比 例。混频器输入端与输出端分量振幅之间具有线性关系, 这一点对信号接收时的保真无疑是非常有意义的。,由于本振信号是强信号,在混频过程中它通过二极管的非 线性作用而产生了无数

6、的谐波,每一个谐波都包含了部分 有用的信号功率,是对信号功率的浪费,应该采取措施加 以回收利用,以提高从信号变换为中频的变换效率。但各 谐波功率大约随 变化,因此混频产物电路的组合分量 强度随增加而很快减小。通常只有本振基波和二次谐波 等分量才足够强,对混频变换效率产生较大影响。,微波频率变换器,(2)大信号情况,如果混频器的输入信号是强信号(但可认为信号电压幅度仍远小于本振电压幅度),不能忽略 以上的各高次项。此时信号也将产生各次谐波,混频产物电流的频谱分量将大为增加。,为使问题分析及表达简洁,可以借助欧拉公式把上述各三角函数表示为指数形式:,如果定义 ,则有:,从而,傅立叶展开的g(t)可

7、以写为:,微波频率变换器,信号电压及其各次幂同样可以写成:,表示为:,混频输出电流的一般表达式,微波频率变换器,大信号下混频的基本结论:,在非线性电阻混频过程中产生了信号和本振所有可能的各次 谐波组合分量,比小信号时丰富得多。其中包含有中频分量, 能够实现混频功能。可用中频带通滤波器取出所需的中频分 量而将其它组合频率滤掉。,二极管电流中包含中频分量为:,其振幅可计算出为:,中频电流振幅不再与输入信号振幅成线性关系,将产生非线性失真。,由于信号也产生各次谐波,将有可能在输出端产生组合干扰。,微波频率变换器,3.2.2 电路功率关系与变频损耗,混频器的变频损耗 一般可定义为:,它表示混频器中任意

8、边带频率 到另一边带频率 之间的 变频损耗, 和 分别表示这两个频率上的资用功率。,由于一般只关注输出中频的情况,可把混频器的变频损耗 定义限定为:,和 分别为从信号源和中频输出端得到的资用功率。,1混频器的功率关系,二极管这一非线性电阻中的瞬时功率可表示为:,微波频率变换器,平均功率一般可表示为:,当 时,积分项为1,当 时,积分项为0,对于阻性二极管来说, 是时间的实函数,而且对所有的时间来说 ,则可见 为实数,而且恒有 。,考虑到只有信号源对时变电阻 馈给功率,故 (信号频率上 进入的功率)是正的,而在其它频率 ( )上均吸收功率, 因而它们的功率 均为负值。,微波频率变换器,可得出结论

9、:对于非负的时变电阻 和时变电导 来说, 混频器中所有混频产物所得到的总功率不大于信号源所供给的 信号功率。,变频损耗不可能小于1,即不可能有变频增益,因而我们所讨论的线性周期时变电阻网络是无源的。由于其无源性,因而它是绝对稳定的,即在任何终端负载和本振条件下都不会产生自激振荡。,在无穷多个混频产物频率中,我们一般仅需要输出一种频率成分,即中频。那些不需要输出的混频产物(称为带外闲频)在相应频率的端口阻抗上造成功率损耗,如果能使混频器对这些无用边带频率造成特殊的终端条件,则可减少有用功率的浪费,减小变频损耗。,相当于在频率为 的端口上分别具有短路、开路和电抗终端,微波频率变换器,2Y混频器及其

10、变频损耗,在各种减小变频损耗的措施中,如果采取的是对所有带外 闲频 ( )提供短路终端,构成的混频器称为Y混频器。,Y混频器电路原理图,所有带外闲频 ( ) 都是严重失谐而呈现近似 短路的终端阻抗。,相当于前面线性分析中加在混频 二极管上的电压只有三个:信号 电压、镜频电压和中频电压,因 此混频器是三端口网络。,微波频率变换器,Y混频器的电路方程表示为:,或,由于 表示时变电导 各分量的复振幅,表示导纳,因而 矩阵 是Y矩阵(导纳矩阵),故把这种混频器称为Y混频器。,以Y混频器为例来具体分析变频损耗。假设本振电压的初相,Y混频器的矩阵方程式为:,微波频率变换器,由于Y混频器除信号端口和中频端口

11、之外,还有一个镜频端口。 混频产生的镜像频率同样包含有信号的有用功率,也会造成变频损 耗的降低,因此必须对镜频端口进一步施加特殊的终端条件,以利 于回收镜像频率混频产物中包含的有用信号功率,进一步降低变频 损耗。,Y混频器按照对于镜频端口采取措施与否及采取措施的不同, 又可以分为三种类型:镜像匹配、镜像短路和镜像开路,这三种镜 像终端由于终端条件不同会有不同的变频损耗性能,为获得最佳变 频损耗,对信号源电阻和负载电阻的要求也不同。,(1)镜像匹配情况,镜频距离信号频率仅有二倍中频,从二极管向外电路看去,信号输入回路对镜频的阻抗与对信号频率的阻 抗近似相等,这种混频器称为“镜像匹配混频器”。,微

12、波频率变换器,输出电导,一般混频器等效电路,变频损耗,最佳变频损耗 与最佳信号源电导 及输出电导,当 时, ,这意味着在极限本振激励 下,信号输入功率仅有一半变换为有用的中频功率,而另一半 会变成镜像功率在信号源内导上消耗掉。,微波频率变换器,变频损耗与本振电压和 镜像终端类型的关系,归一化最佳电导与本振电压和 镜像终端类型的关系,微波频率变换器,(2)镜像短路情况,如果信号和本振输入回路 和 都是窄带的,对镜像 频率它们具有很低的阻抗,可以使得镜像电压 但镜像电流 ,就会出现“镜像短路”情况。,加有镜像短路滤波器的混频器,在实际电路中,一般是采用 “嵌入”镜像滤波器的办法来 构造镜像短路,这

13、种电路不 要求输入回路具有能区分信 号频率和镜像频率的窄带特 性,镜像短路由专门的结构 来实现。,电路在二极管输入口并联一个窄 带的串联谐振回路,谐振于镜像 频率,根据串联谐振的特性,该回路对镜像频率提供近似短路的 低阻抗,但对信号频率提供高阻抗,因此该回路对信号功率损耗很小,微波频率变换器,当 时, ,这是因为在镜像短路情况下, 包括镜频在内的所有高次闲频分量均被短路而没有功率损耗, 故在极限本振激励下,所有信号输入功率都可变成中频功率。 当然,实际混频器本振激励是有限的,变频损耗总是大于1,是 有耗的。,(3)镜像开路情况,如果在混频器输入端与二极管之间嵌入一个镜像频率的并 联谐振回路,它

14、将在镜像频率上呈现高阻抗,使得镜像电压 但镜像电流 ,就会出现“镜像开路”情况。,在镜频谐振回路两端的镜像电压将又加在二极管上,并与本 振再次混频产生中频,又得到有用的中频能量。因此,这里镜 像频率的并联谐振回路相当于镜频的能量存储器,并最终把镜 频能量再转化为中频能量.,微波频率变换器,加有镜像开路滤波器的混频器,当 时,综合三种类型镜像终 端Y混频器的性能,可以 得出一些重要结论:,在同样的本振激励功率下, 镜像开路的变频损耗最小, 而镜像匹配的损耗最大。镜像开路混频器所要求的最佳信号源 电导比镜像短路混频器的小的多,如果给定的信号源电阻较低 (约几十欧),那么镜像短路混频器比较容易与信号

15、源匹配, 实际上所得性能并不比镜像开路混频器差。,镜像匹配混频器是宽带混频器,它具有存在于本振频率两侧的 信号及镜频通道,是双通道混频器,如果在信号输入端存在一 个频率等于镜像频率的外来干扰信号,能够在中频输出端造成 中频干扰,使混频器性能变坏。,微波频率变换器,镜像短路与开路混频器是窄带混频器,只在本振频率一侧存在 信号通道,是单通道混频器,如果在信号输入端存在一个频率 等于镜像频率的外来干扰信号,它也会被输入回路中的镜像抑 制滤波器(短路或开路)所抑制,不能通过混频器产生输出。,常用镜像匹配混频器来接收宽带信号或调制产生的双边带信号, 这时虽然每个通道的变频损耗较大,但中频功率可以是两个通

16、 道之和,这样总变频损耗并不会恶化太多;而用镜像开路或短 路混频器来接收窄带或单边带信号。如果必须用镜像匹配混频 器来接收窄带信号,就必须尽可能“抑制”或“关闭”镜像通道以 减小中频干扰。,混频器对本振源的输入电导 与混频器最佳信号源电导 数 值相近,即混频器与本振源电导 匹配得到的性能与最佳性能 相近。因此实际设计宽带混频器时,常用 来估计 ,这给 宽带混频器的设计提供了基础和方便。,微波频率变换器,3.2.3 噪声特性,混频器的噪声特性主要用“噪声系数”和“噪声比”来描述。 针对混频器输出的核心变频产物-中频,混频器的噪声系数可 定义为:,为混频器的变频损耗;,分别为混频器输入和输出的噪声

17、资用功率。,一般把混频器的总输出噪声等效为温度 的电阻所产生的热噪声, 称为混频器的等效噪声温度,并可定义混频器的噪声比 为:,为标准噪声温度,一般取常温290K。,微波频率变换器,混频器的噪声系数及噪声比与混频器的电路结构(单或双通道)及信号频谱宽度(单或双边带)有关。,1镜像开路和短路混频器的噪声系数,这时混频器是单通道的,它是二端口有耗网络,其噪声等 效电路为:,混频器的输出噪声由 两部分构成:一部分 是输入噪声经过混频 器衰减后的噪声输出 功率,另一部分是混频器内部噪声产生的输出功率。,下标“1”表示单通道混频器。将噪声系数用变频损耗和噪声 比表示,可得:,混频器的噪声系数近似等于变频

18、损耗,要获得低噪声系数, 必须使混频器的变频损耗尽可能低,两者是一致的。,微波频率变换器,2镜像匹配混频器的噪声系数,这时混频器是双通道的,它是三端口有耗网络。对于这种双通道 混频器,当信号的边带结构不同时,如单边带(SSB)信号或双边 带(DSB)信号,其噪声系数及噪声比是不同的,必须分别讨论。,(1)单边带信号情况,这时信号功率仅存在于信号通道, 镜像通道没有信号,但由于镜像 通道也存在热噪声,因此将会有 两个通道的噪声通过混频产生中 频噪声输出,其噪声性能将变坏。,这时噪声系数和噪声比为:,微波频率变换器,(2)双边带信号情况,信号和镜像通道都存在信号功率,因此输出中频功率 ,而输出的总

19、中频噪声资用功率仍为 ,故输出中频的信噪比比单边带信号情况增加一倍; 而输入信噪比这时并没有改变。噪声系数为:,如果用双通道混频器来接收“单边带”信号时,由于噪声 输出是双通道的,而信号是单通道的,噪声系数要增大一倍, 或者说输出信噪比变坏3dB。为了降低混频器的噪声系数以改 善灵敏度,应将镜像通道抑制,这样对信号传输无影响,但 可将噪声削弱3dB。,微波频率变换器,3混频器-中放组件的噪声系数,在外差式微波接收机中,一般采用混频器-中频放大器组件作 为接收前端。由于阻性混频器本身没有增益,其后面中频放大器的 噪声影响不能忽略。因此,以混频器作前端器件的整机噪声系数取 决于混频器-中放组件的总

20、和噪声系数。,总噪声系数,对于单通道混频器,因,若 ,可得:,对于双通道混频器接收单边带信号情况:,对于双通道混频器接收双边带信号情况:,微波频率变换器,由于理论上 ,因此理想的镜像短路(开路)混频器及低噪声中放应获得较小的整机噪声系数。,从以上的分析可见,要获得低噪声,必须降低变频损耗、二极管的噪声比以及中频放大器的噪声系数。在一定的噪声比和中频放大器的噪声系数下,降低是获得低噪声系数的关 键。因此低噪声混频器必须具有低损耗。,4本振源引入的噪声,在计算噪声系数和噪声比时,除混频二极管本身产生噪声外,仅考虑了信号源部分的噪声输入在中频端造成的噪声输出。 实际上,本阵源也会有噪声,并会将其噪声引入混频过程,对 混频造成影响。 由于本振源谐振滤波器的作用,噪声频谱包络与谐振器的频

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