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文档简介

1、基础电子技术,杨荣峰 电气学院电子学教研组，逸夫楼607,本节内容,双极型晶体管 双极型晶体管的结构 晶体管内部载流子的运动与电流分配 晶体管的三种组态 晶体管的共射特性曲线 晶体管的参数 晶体管的型号、封装,双极性晶体管的结构,NPN,PNP,晶体管的三种组态,输入端,输出端,公共端,双极型晶体管的电流传输关系,总结（详细版）,当晶体管的发射结处于正向偏置（uBEUon）且集电结处于反相偏置（uCE=uBE）时，发射区中的多数载流子由于扩散运动而大量注入到基区，其中仅有极少部分与基区的多数载流子复合，形成基极电流，而大部分在集电结外电场作用下被集电极收集形成漂移电流

2、iC，体现出iB对iC的控制作用，可将iC看成为由电流iB控制的电流源。,总结（熟练版）,在放大条件下，由发射区扩散（发射结正偏）的载流子只有极少数在基区被复合，绝大部分被集电区收集（集电结反偏）。其分配关系是：在基区中每复合一个载流子，就有个载流子被集电区收集。该比例关系由晶体管的结构决定，所以，通过控制IB，就能控制IC，即,uCuBuE,晶体管的共射输入特性曲线,晶体管射输出特性曲线,晶体管的参数,（一）直流参数 共发射极直流电流放大系数 共基极直流电流放大系数 集电结反向饱和电流ICBO 晶体管集射极穿透电流ICEO,穿透电流的解释（不重要）,ICEO=(1+)ICBO解释如下：集电结

3、处于反偏时，c-b之间有反向饱和电流ICBO，这部分电流主要由集电区的少子空穴在反偏电场作用下漂移到基区引起，这样相当于基区补充了ICBO个空穴，这些空穴必然在基区和发射结扩散过来的自由电子复合，根据电流分配关系，一个空穴在基区和发射结扩散过来的自由电子复合，就有个自由电子被集电结收集。因此有如下图示过程：相当于(1+)ICBO电流穿透从C到E。,（二）交流参数 共发射极交流电流放大系数 共基极交流电流放大系数,、,特征频率fT ：f fT, =1 共射截止频率f ：f= f， = 0/ （0为低频时的数值） 共基截止频率f ： f= f，,（三）极限参数 集电极最大允许电流ICM Ic 集电极最大允许功率损耗PCM PC= ICUCBICUCE 反向击穿电压,7030 0,U(BR)CEO,U(BR)CBO,U(BR)CES,U(BR)CER,U(BR)EBO,晶体管的安全工作区,温度对曲线的影响,20,50,UBE1,UBE2,IB,2020/9/2,国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B,第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管,第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管,用字母表示材料

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