模电-2012期中考试试卷+答案

1、物理与电信工程学院20112012学年（二）学期期中考试模拟电子电路试题年级 班级 姓名 学号 题号一二三四五六总分得分一、 填空题(9小题，每空1分，共28分)1. 当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic_变大_，发射结压降 变小 ，共射电流放大倍数_变大_。2. PN结正偏时 导通 ，反偏时 截止 ，所以PN结具有 单向 导电性。3. 本征半导体掺入 +5 价元素可生成N型半导体，其少数载流子的浓度主要取决于 空穴 ，二极管的最主要特性是 单向导电性 。4. NMOS管的衬底是_P_型半导体，使用时应接到比源极和漏极电位_低_的电位上。5. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12

2、k的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 4k 。两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为 40 dB，第二级电压增益为26dB，则两级总电压增益为 66 dB。R0 /RL / R0 =3/4 解得R0=4k6. 在共射、共集、共基三种基本放大电路中，可以放大电压、不能放大电流的是_共基_，不能放大电压、可以放大电流的是_共集_，输入电阻最小的是_共基_，输出电阻最小的是_共集_。7. 结型场效应管的栅源极间必须加_反向_偏置电压才能正常放大；P沟道MOS管的栅源极间必须加_反向_偏置电压才能正常放大。8. 三极管的共射输出特性可以划分为三个区： 饱和区 、

3、 截止区 和 放大区 。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在 放大 区内。当三极管的静态工作点过分靠近 截止 区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近 饱和 区时容易产生饱和失真。9. 二极管电路如图所示，设二极管具有理想特性，图中二极管是 V1截止，V2导通 (导通还是截止)，UAO= -6 V。二、判断题（8小题，每题1分，共8分）1. 双极型三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。 ( 对 )2. 半导体中的空穴带正电。（ 对 ）3. P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ 错 ）4. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ 错

4、 ）5. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ 对 ）6. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ 错 ）。7. 若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ 错 ）8. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（ 错 ）三、选择题（10小题，每空2分，共30分）1. N型半导体主要是依靠（ A ）导电。A、电子B、空穴C、少数载流子D、原子2. 共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ B ），此时应该（ E ）偏置电阻。A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小3. 在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是

5、（ B ），既能放大电流，又能放大电压的电路是 （ C ）。A、共基放大电路B、共集放大电路C、共射放大电路4. 判断下图各电路能否组成低频放大电路（ B ）。A、不能，能B、不能，不能C、能，不能D、能，能5. 两个相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为（ B ）。A、B、2C、2D、1+6. 稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ B ）状态，但其两端电压必须（ C ）它的稳压值Uz，才有导通电流，否则处于（ F ）状态。A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止7. 用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ C ），该管

6、是（ D ）型。A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（NPN）E、（PNP）8. 三极管的反向电流ICBO是由（ B ）组成的。A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子9. 放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（ A ）。A、强B、弱C、一般10. 射极跟随器具有（ C ）特点。A、电流放大倍数高B、电压放大倍数高C、电压放大倍数近似于且小于输入电阻高，输出电阻低四、（16分）图示的放大电路三极管为硅管，VCC=15V,静态时VBEQ0.7V，rbb=200，电容器容抗可忽略。试：（1）估算静态工作点Q（IBQ，ICQ，VCEQ）；（2）画出直流、交流负载线；（3）估算电路最大不失真电压VOPP的值；（4）求中频时电路的电压增益AV、输入电阻Ri和输出电阻Ro;（5）当电容器C1,C2和Ce的容抗对放大器性能如何影响？因为直流负载方程：VCE=VCC-ICRC;交流负载方程：VCE-VCEQ=-（iC-ICQ）