2013光电子器件试题B

1、成都信息工程学院考试试卷20122013 学年第 2 学期课程名称： 光电子器件 使用班级： 电科10级 试卷形式：开卷 闭卷 试题一二三四五六七八九十总分得分一、选择题（共20分，每小题2分）1. 为了提高测辐射热计的电压响应率，下列方法中不正确的是 （ ）A 将辐射热计制冷 B 使灵敏面表面黑化C 将辐射热计封装在一个真空的外壳里 D 采用较粗的信号导线2. 下列探测器的光电响应时间，由少数载流子的寿命决定：（ ）A 线性光电导探测器 B 光电二极管C 光电倍增管 D 热电偶和热电堆3. 给光电探测器加合适的偏置电路，下列说法不正确的是（ ）A 可以扩大探测器光谱响应范围 B 可以提高探测

2、器灵敏度C 可以降低探测器噪声 D 可以提高探测器响应速度4.下列器件运用了内光电效应原理的是（ ）A、红外变像管 B、光电倍增管 C、光电池 D、雪崩光电二极管5现有GDB-423型光电倍增管的阴极灵敏度为25A/lm，倍增系统的放大倍数为105，阳极的额定电流为20A，则允许的最大光通量为（ ）A、0.810-5 lm B、510-3 lmV/W C、无法判断 D、0.8 lm6. 对于激光二极管（LD）和发光二极管（LED）来说，下列说法正确的是（ ）。A LD只能连续发光 B LED的单色性比LD要好C LD内部可没有谐振腔 D LED辐射光的波长决定于材料的禁带宽7. 对于N型半导体

3、来说，以下说法正确的是（ ）。A 费米能级靠近导带底 B 空穴为多子C 电子为少子 D 费米能级靠近靠近于价带顶8. 依据光电器件伏安特性, 下列哪些器件不能视为恒流源: （ ）。A 光电二极管 B 光电三极管 C 光电倍增管 D 光电池9. 硅光二极管在适当偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。适当偏置是（ ）。A 恒流 B 反向偏置 C 零伏偏置 D 自偏置10. 有关热电探测器, 下面的说法哪项是不正确的（ ）。A 光谱响应范围从紫外到红外几乎都有相同的响应B 响应时间为毫秒级C 器件吸收光子的能量, 使其中的非传导电子变为传导电子D 各种波长的辐射对于器件的响

4、应都有贡献二、填空题（共20分，8、9题每空2分，其余每空1分）1. 光电探测器的物理效应通常分为两大类：_和_。2. 光与物质的三种相互作用过程包括 、 、 。3红外成像系统性能的综合量度是_和_。4. 依据噪声产生的物理原因,光电探测器的噪声可大致分为_、_和_三类。5. CCD 的基本功能为 _和 _；CCD 按结构可分为_ 和 _ 。6红外线，它是一种人眼看不见的光线，但实际上它与其他任何光线一样，也是一种客观存在的物质。任何物质，只要它的温度高于_ _，就会有红外线向周围空间辐射。 7光照增强的同时，载流子浓度不断的增加，同时光敏电阻的温度也在升高，从而导致载流子运动加剧，因此复合几

5、率也增大，光电流_趋势。8光电二极管的量子效率为，则其灵敏度为_。9一半导体材料的禁带宽度为1eV,则产生光电效应的红限波长为_。三、分析说明题（共28分，每小题7分）1、画出雪崩光电二极管的结构图，并分析说明如何实现电流放大作用。2、画出光电倍增管加了负高压情况下的电阻电容简明连接图，并说明电阻链的电阻值如何选取。3、微通道板输入端的电子流为210-16A，而输出端获得的电子流为310-11A，则该微通道板的电子增益是多少？画出微通道板基本结构图，并分析说明器件如何实现倍增。4、画出半导体材料辐射热电偶器件的结构图，并分析说明其工作原理。四、计算题（共32分，第1题12分，其余每题10分）1、某光敏电阻与负载电阻RL=2k串接于12V的直流电源上，无光照时负载电阻上的输出电压为u1=20mV，有光照时负载上的输出电压u2=2V，试求：光敏电阻的暗电阻和亮电阻值；若光敏电阻的光导灵敏度S=610-6s/lx，求光敏电阻所受的照度？2、某光电倍增管有10个倍增级，每个倍增级的二次电子发射系数=4，阴极灵敏度为RK=200A/lm，阳极电流不得超过10mA，试求该倍增管能准确测量光通量的上限。3、如果Si光电二极管灵敏度为10A/W，结电容为10pF