第五章 基本放大电路.ppt

1、5.1 基本放大器组成原理及偏置电路,5.1.1 基本放大器组成原理,1、必须把晶体管偏置在放大区，设置合适的静态工作点； 2、输入信号必须加在基极-发射极回路； 3、必须设置合理的直流和交流信号通路。,5.1.2 直流偏置电路,固定偏流,电流负反馈型偏置电路,分压式偏置电路,5.1.3 直流通路和交流通路,共射放大器电路,直流通路,交流通路,5.2 放大器的图解分析法,5.2.1 直流图解分析法,内部方程-特性曲线,外部方程直流负载线方程,5.2.2 交流图解分析,1.交流负载线一定 通过直流工作点Q,2.交流负载线钭率,共射放大器输出电压信号 与输入电压信号反相,工作点太高,集电极电流太大

2、, 易产生饱和失真：底部失真,工作点太低,集电极电流太小, 易产生截止失真：顶部失真,输出不失真线性动态范围,受截止失真限制,受饱和失真限制,所以,输出线性动态范围,二者取其小,放大器的主要性能指标,一、放大倍数A-Amplify(增益),互阻放大倍数,电压放大倍数,电流放大倍数,互导放大倍数,五、线性失真,放大器对信号中不同频率分量具有不同的放大倍数和附加相移。,5.3 放大器的交流等效电路分圻法,-前提是工作在放大区,5.3.1 晶体管交流小信号模型,晶体管 非线性 线性,小信号,精度（近似程度）,工程简化运算,晶体管仿真软件中：几十个参数,晶体管交流小信号电路模型,物理型电路模型，如混合

3、型电路模型； 网络参数模型，如H参数电路模型,完整的混合型电路模型,平面管结构示意图,c,e,b,r,bb,r,cc,P,N,N,+,N,C,b,c,C,be,r,ee,b,一、混合型电路模型,二、低频H参数电路模型,在工作点处，取全微分,当输入为正弦量并用有效值表示时，以上两式可写为,- 输出交流短路时的输入电阻,- 输入交流开路时的反向电压传输系数,- 输出交流短路时的正向电流放大系数,- 输入交流开路时的输出电导,H参数的物理意义：,H: hybrid,通过混合型模型参数确定H参数,忽略rbc的影响，简化,压控型电路模型,流控型电路模型,考虑基区体电阻 的影响,图中忽略 的影响,5.3.

4、7 共射放大器的交流小信号模型分析法,1.电压放大倍数,2. 输入电阻,3. 输出电阻,输出与输入反相,工作点相同,输出与输入反相,5.4 共集电极放大器和共基放大器,5.4.1 共集电极放大器-射极输出器-射极跟随器,输入输出同相,放大倍数近似为1,输入电阻很大,输出电阻很小,可做为输入级,输出级,中间级,5.4.2 共基放大器,输出与输入同相,输入电阻最小,且与共集 电路的输出电阻相同,输,与共射电路相同,共射、共基、共集放大器性能比较,例 5.4.1,1. 要求源电压增益最大,2. 要求输出电压,3. 要求输出电压,4. 要求接入负载电阻 时, ,并求输出电阻,5. 要求同时获得一对 等

5、值反相的输出信号,5.5 场效应管放大器 5.5.1 场效应管偏置电路 FET、J耗尽型MOSFET:UGS=0，iD0，可采用自偏压方式; 增强型MOSFET，则一定要采用分压式偏置或混合偏置方式.。,二.解析法,一,图解法,联立解求出,漏极电流,5.5.3 场效应管放大器分析 ( CS、CD、CG ) 1、共源放大器,直,直,(1)直流工作点分析,5.5.2 场效应管低频小信号模型,跨导,管子输出电阻,5.5.3 场效应管放大器分析 ( CS、CD、CG ) 1、共源放大器,(1) 放大倍数(增益),(2) 输出电阻,(3) 输入电阻,例5.5.1,放大倍数,输入电阻,输出电阻,2 共漏放大器,2. 输出电阻Ro,RL开路， 短路，输出端加 求出 ，则,3. 共栅放大器,5.6 放大器级联,5.6.1 级间耦合方式,阻容耦合,变压器耦合,直接耦合,光耦合,(不共地),(不共地),5.6.2 级联放大器的分析计算(举例),例5.6.1,1.直流工作点分析,2.放大倍数,3.输入电阻,决定笫一级,4.输出电阻,决定最后一级,共源-共射级联,输出与输