关于照明技术和光电半导体的术语和定义

关于照明技术和光电半导体的术语和定义 A/D signal/converter 数模信号/转换 器 模拟信号到数字信号的转换器 (ADC)。 将模拟输入信号转换为数字数据或数 据流，用于进一步处理或存储。 ABCS ABCS （锑基化合物半导体）ABCS 是一种新 型化合物半导体，与基于硅、砷化镓 和磷化铟的半导体相比，它具有优越 的电子特性和较低的开启电压。在国 防和空间应用中，ABCS 预计能在功率 消耗最低的情况下产生世界上最快的 电路。ABCS 技术还具有商业应用前景， 在高频率无线应用、光波通信和集成 光电子电路方面尤其如此。 Absorption 吸收 铁、铜、钴、钒、和铬等杂质引起的 在光纤中的损失。对光纤而言，即使 是十亿分之一或十亿分之二的杂质也 被认为是不可接受的。 Acceptance Pattern 接受图 相对入射角绘制的总透射光曲线图。 Acceptor Impurity 受主杂质 （又名 P 型杂质）不同于半导体却出 现在半导体中的原子和离子，其价电 子不足以完成半导体晶体结构中的正 常键合排列。受主杂质接受相邻原子 的电子来生成一个正电荷载流子（例 如空穴）。 Active Matrix Display 有源矩阵显示 器 一种平板显示器，其屏幕刷新频率比 传统无源矩阵显示器高。最常见类型 的有源矩阵显示器是基于一种名为 TFT（薄膜晶体管）的技术，因此有源 矩阵和 TFT 这两个术语通常可以互换 使用。 Active Matrix Liquid Crystal Displays (AMLCDs) 有源矩阵液晶 显示器 (AMLCD) 有源矩阵显示器由以下材料组成：一 块装有薄膜晶体管 (TFT) 的背面玻璃 基板和一块带色彩过滤板的前面玻璃 基板形成夹层，中间填充液晶 (LC) 材料。背面基板上的薄膜晶体管阵列 连接到电子驱动器，电子驱动器则从 连接到主系统的电脑芯片接收脉冲。 每个 TFT 均用作激活像素的通断开关， 迫使液晶体扭曲以允许光通过并在显 示器上形成图像。 AEL (Accessible Emission Limits) AEL（可接近放 射限值） 各激光分类（标准 IEC-60825-1）的 可接近放射限值是波长和放射持续时 长的一个函数，列于特定表格中。 AFS(Advanced Frontlighting System) AFS（高级前照 明系统） AFS 能根据不同的行驶条件优化光束 模式，调整车头灯输出。例如，根据 车辆的行驶速度和方向加强驾驶员的 夜视能力。 AGC (Automatic Gain Control) AGC（自动增益 控制） AGC 自动调整放大器的增益，以维持 不同输入信号的恒定输出。如果输入 信号较弱，AGC 将增强该信号；如果 输入信号较强，则 AGC 将减弱该信号。 AGC 有助于避免过激放大器，还可改 进信噪比。AGC 通常在音频应用中用 于调节音量。 ALCVD ALCVD 原子层化学气相沉淀 ALE ALE 原子层外延，以单个原子层为增量的 晶体生长。 AlGaAs AlGaAs 铝镓砷 AllnGaP AllnGaP 铝铟镓磷 AllnGaP chip (LED) AllnGaP 芯片 (LED) 基于铝铟镓磷化物的芯片/LED。 Alphanumeric Display 字母数字显示 器 数字和字母的读出装置。 Alternating Current (AC) 交流电 (AC) 定期逆转方向的电流，通常每秒逆转 多次。 Ammeter 电流计 用于测量电路某个部分的电流量的仪 表。 Amorphous 非晶体 在提纯加工前无明显原子排列的材料， 如塑料和硅。 Analog Display 模拟显示器 提供沿预定校准路径进行的连续、明 亮的移动动作的读数装置，用于显示 所需测量。 Analog Meter 模拟仪 标有连续数字刻度的读数装置，指针 沿刻度移动。 Anode 阳极 电解槽的正电极，电流通过电镀槽时 此处带正电的原子离开。 ANPR (Automatic Number Plate Recognition) ANPR（车牌自 动识别系统） ANPR 是一种用于读取汽车车牌（号码） 的监控方式。其应用范围包括收费道 路上的电子收费和监控交通活动。红 外 LED 非常适合此应用。 ARC (Anti Reflection Coating) ARC（防反射涂 层） 一种能减少反射的光学涂层，可用于 增强 LED 和激光器的发光强度。 Arsenic 砷 一组 V 元素，在硅中是 n 型掺杂剂。 ASCII (American Standard Code for Information Interchange) ASCII（美国信 息交换标准代 码） 基于英文字母表顺序的字符编码方案， 代表电脑和其他通信设备中的文本。 ASCII 定义了 128 个字符。 ASIC (Application Specific Integrated Circuit) ASIC（专用集 成电路） 定制仅用于一个特殊用途的集成电路 (IC)。（现代 ASIC 通常基于 32 位 微处理器，存储块包含 ROM、RAM、EEPROM、闪存和其它电子 元件。） ASP ASP 平均销售价格 Atomic Orbital 原子轨道 原子核周围的空间，在此空间中，具 有给定量子数的电子最有可能被发现。 AV-input AV 输入 AV（音频-视频）输入是一个可接收 DVD 播放器、电视调谐器或 VHS（录 像机）等电子设备的音频和视频信号 的通用接口。 Back-End 后端 指半导体制造、生产的封装组装和测 试阶段，包括烧录和环境测试功能。 Backlighting 背光照明 用于使平板显示器在低环境光条件下 更易于阅读的一项技术。最常用的背 光照明类型为 LED、EL（电致发光） 或 CCFL（冷阴极荧光灯）。 Band 频带 一组轨道，分别在固体中呈游离态， 能量分布如此紧密几乎是连续不断。 Band gap 带隙 价电子带顶部与传导带底部的能量分 离。 Band pass filter 带通滤波器 带通滤波器具有特定的中心频率和传 输带宽。高于或低于带通范围的频率 将被阻止或明显减弱。 Beam divergence (FWHM parallel to pn junction) 光束发散度 （与 PN 结平 行的 FWHM） 电磁波束的光束直径增长和与光学孔 径（点源）之间距离的角测度。 BEF BEF（增亮膜） LCD 屏幕上的薄膜，通过棱柱状结构 (Brightness Enhancement Film) 控制光的输出角度，为观众提供最大 亮度。 BEOL (Back End Of Line) BEOL（后端制 程） 将有源组件（晶体管、电阻器等）与 晶圆上的布线相连的 IC（集成电路） 制造工艺步骤，包括触点、绝缘材料、 金属液面和芯片与封装连接的焊接点， 以及将晶圆切割成单独的 IC（集成电 路）芯片。 Bias 偏压 施加于电气设备的电极上的电压，要 考虑极性。 Bias Control 偏压控制 电子器件的偏压为通常施加到实际信 号上的电压或电流。通过控制装置调 节电流或电压。 Biasing 施加偏压 施加电压，通常用于改变发光二极管 (LED) 等装置的电气和光输出。 Bin (binning) BIN（分选） 分选就是将 LED 划分为精细分级的不 同组别。根据亮度、颜色坐标或正向 电压对 LED 进行分类或分级，但没有 通用标准。即使是同一批次的 LED， 也可以有很大差异，需要进行分类。 Bipolar 双极 一种半导体装置，其中的空穴和电子 均充当载流子。任何负载电流穿过 PN 结的装置都是双极器件。 Bipolar transistor 双极晶体管 两个 PN 结形成的有源半导体装置， 功能在于放大或切换电子电流。双极 晶体管包含三个部分：发射器、基片 和集电极。 Bit 位 二进制数字（1 或 0），为电脑可识 别信息的最小单位。用于表示二进制 数制中的两种状态。八位等于一个字 节。 Black package 黑色封装 对于视频墙应用或可变信息标志，黑 色封装的 LED 比白色封装的 LED 提 供的对比度更高和反射更少。 BLUs (Backlight units) BLU（背光模组） LCD（液晶显示屏）背光照明的模块， 采用边缘或直接/全部原理（边缘 = LED 固定在 LCD 面板侧面；直接/全 部 = 完全采用 LED 背光照明的 LED 屏幕）。 Bonded Wafer 已键合晶圆 通过将两个单独的硅基板的氧化表面 溶凝（高温下）在一起形成的复合介 质隔离基板。 Bonding 键合 将电线从封装引线连接至芯片（或晶 粒）焊盘的步骤，是组装过程的一部 分。结合热和超声能量将小直径金线 或铝线粘合到焊盘区。 Breakdown voltage (VBR) 击穿电压 (VBR) 如果超过此电压，将导致反向电流急 剧上升。 Brightness 亮度 一种视觉特性：刺激作用的激烈程度 或发射光的多少。亮度并非光度标准 （如照度），不应与坎德拉每平方米 等光度单位一起使用。 Buck/boost regulator (converter) 降压/升压调节 器（转换器） 输出电压比输入电压更高（升压）或 更低（降压）的电源转换器。 Bypass capacitor 旁路电容器 模拟系统中用于消除或降低电源噪音 的电容器。 C-mount/cs-mount C 安装/cs 安 装 标准化封装，配备用于安装激光器的 热沉。 Candela 坎德拉 发光强度单位。 Capacitance 电容 电容器或其他电导体储存电荷的能力。 Carrier frequency 载波频率 载波的频率，即调制消息内容的频率。 Carrier/Charge Carrier载流子/电荷载 流子 移动传导电子或半导体结构中的空穴。 Cathode 阴极 电解槽的负电极，电流通过电镀槽时 带正电的原子迁移至此。 Cathodoluminesence (CL) 阴极发光 (CL) 通过某种形式的能量激发固体所发射 的光。本术语大体上包括常用类别的 荧光和磷光。阴极发光最常见于电子 显微镜系统中。 CBE CBE 化学束外延 CCD-sensor CCD 传感器 （用于数码相机）电荷耦合器件，通 常由光敏光电二极管矩阵组成。这些 光电二极管所占面积越大，光敏度越 高，CCD 传感器的动态范围越广。光 电二极管的数量越多，CCD 的分辨率 越高。 CCFL (Cold Cathode Fluorescent Lamps) CCFL（冷阴极 荧光灯） 阴极元素不是独立加热的荧光灯。 CCT (Correlated Color Temperature) CCT（相关色温） 当黑体吸收阳光的所有光成分从而产 生与实际存在的照明具有相同色彩效 果的光时的温度。 CCTV (Closed Circuit Television) CCTV（闭路电 视） 可通过使用红外 LED 实现夜视的摄像 监控系统。 CDM (Charged Device Model) CDM（带电器件 模型） 为模拟 ESD（静电放电）测试而开发 出了多种模型，包括人体模型 (HBM)、 机器模型 (MM) 和带电器件模型 (CDM)。CDM 是一种模拟一个或以上接 地连接点上的静电元件放电的模型。 使用此模型可测试电路对静电放电的 敏感度。 Centroid wavelength 质心波长 电磁（光）发射光谱的波长，其中一 半能量波长较短，另一半能量波长较 长。 CFD (Computional Fluid Dynamics) analysis CFD（计算流体 动力学）分析 公认的流体动力学方法，目的在于通 过数值法解决流体动力学问题。 Charge Carrier 电荷载流子 固态装置的晶体中的电荷载体，如电 子或空穴。 Charge coupled devices电荷耦合器件 将电荷存储在势井中并通过变换势井 位置来打包传送几乎所有电荷的传送 器件。 Chemical Etching 化学腐蚀加工 通过酸浴消除表面损伤并使硅晶体片 更薄。 Chemical Mechanical Polishing (CMP) 化学机械抛光 (CMP) 结合化学去除法和机械抛光法两种方 法来压平和抛光晶圆。 Chemical Vapor Deposition (CVD) 化学气相沉淀 (CVD) 在高温下使绝缘薄膜或金属沉积到晶 圆上的气态过程。 Chip 芯片 一种半导体材料，单晶性质，可形成 一个或多个有源或无源固态装置。 Chip Carrier 芯片载体 一种超薄元件封装，通常为正方形， 其有源芯片腔或安装面积占封装尺寸 大部分，封装的四面都有外部连接点。 Chip-On-Board (COB) 板上芯片 (COB) 将晶粒半导体芯片安装在 PCB 上制成 电子元件的技术。 Chip-on-Flex (COF) 软膜覆晶接合 技术 (COF) 一种 IC 安装和贴合工艺，将集成电 路 (IC) 驱动器（芯片）贴合到高间 距柔性电路上并安装得十分贴近平板 显示屏（贴合在玻璃板上的柔性电路 板），以获取高屏幕刷新速度和分辨 率。 Chip-on-Glass (COG) 晶玻接装 (COG) 集成电路 (IC) 驱动器（芯片）直接 贴合到玻璃板（LCD 或 OLED）上而无 需使用高间距柔性电路板的 IC 安装 和贴合工艺。 CHMSL (Center High Mounted Stop Light/Lamp) CHMSL（中央高 位刹车灯） 安装在汽车中间较高位置的后刹车灯， 可采用 LED 制成。 Circuit 电路 相互连接的电气或电子元件组合，用 于执行一个或多个指定功能。 Cladding 镀层 覆盖在光纤线芯表面的薄玻璃或塑料 材料，密度比线芯低。如果光以适当 的角度照射两种材料之间的分界，将 被反射回密度更大的线芯中。 Cleanroom 无尘室 用于制造 IC 的密闭区域，里面的湿 度、温度和颗粒物受到严格控制。无 尘室的“等级”由无尘室空间内每立 方英尺的最大颗粒物数量来决定。 CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) CMOS（互补金 属氧化物半导 体） 一种 MOS 技术，P 沟道和 N 沟道元 件都是在相同的晶粒上制造而成，比 使用其他 MOS 或双极工艺的集成电路 更省电。 CMP (Chemical- Mechanical Polish) (CMP) 化学机 械抛光 又称平面化，即改进半导体表面的过 程。 Coating 涂层 将光阻材料应用到晶圆上的工艺，一 般在晶圆中间涂上少量光阻材料，然 后高速旋转晶圆使光阻材料扩散和干 燥（又名旋涂）。 COB (Chip On Board) technology COB（板载芯片） 技术 将裸晶粒半导体芯片安装在 PCB 上制 成电子元件的技术。 CoD (Color-on-Demand) CoD（按需选色） 使用冷光转换原理（蓝色晶粒结合磷） 制造自定义 LED 颜色的欧司朗系统。 使用此技术制造的 LED，能发射出超 出标准 LED 技术范围的特定颜色光。 CoD LED 的应用极大简化了消费电子 和汽车市场中利用颜色来区分品牌。 Collector current (Ic)集电极电流 (Ic) 穿过双极结型晶体管的集电极的直流 电，受基极发射极结电流控制。 Collector emitter saturation voltage 集电极发射极 饱和电压 双极晶体管的集电极与发射极之间的 最大电压。 Collector emitter voltage 集电极发射极 电压 可通过测量双极晶体管的集电极发射 极连接点的电压测得。 Collector surge current 集电极浪涌电 流 双极晶体管中的最大集电极电流 (Ic)。 Color Coordinates 颜色坐标 国际照明委员会首批以数学方式定义 的色彩空间（CIE 1931 色彩空间）之 一。 Color spectrum 色谱 （RGB 多照明色彩）RGB 色谱/光谱是 电磁波谱中无需技术帮助即可为肉眼 所见的部分，可通过混合 RGB LED 实 现。 Color Super-Twist Nematic (CSTN) Display 彩色超扭曲向 列 (CSTN) 型 显示器 基于超扭曲向列液晶的无源矩阵彩色 LCD 显示器。 Comparator 比较器 用于比较两个或两个以上值或信号并 根据其差异性产生输出的装置。 Complementary 互补 此术语用于描述以下类型 IC：采用两 个极性类型相连接的元件，对任何一 个进行操作皆会被补充。互补双极电 路同时采用 NPN 和 PNP 晶体管。互 补 CMOS 电路 (CMOS) 同时采用 N 沟 道和 P 沟道装置。 Compound Semiconductor化合物半导体 化合物半导体由化学元素周期表中两 种或两种以上不同化学基团中的元素 组成。 Conduction band 传导带 进入此空能级的电子可受激变成导电 电子。部分传导带被流动电子占领时， 允许它们按特定方向移动，形成穿过 固体的电流。 Conductor 导体 具有高导电性的材料，如铜、铝或金。 Connector Insertion Loss 连接器插入损 耗 用分贝 (dB) 表示的光损失，因在光 纤传输系统的两个部分之间插入配对 连接器而引起。 Contactless (SMT) sensors 非接触式 (SMT) 传感器 使用反射光而不是通过物理接触来检 测附近是否存在物体的光学元件。此 传感器可用做开关，或用于根据目标 的接近度来改变或减弱信号电平。常 见应用包括关闭显示器和键盘，以及 用于手机减弱显示和降低音量级。 Contrast 对比度 显示屏上通过控制电路中电子移动实 现的照亮和非照亮区域的光输出差异。 Contrast Ratio 对比率 指图像最亮部分与图像最暗部分的对 比比例（例如：100:1）。 Controller x-bit 控制器 x 位 使用由 “x” 位组成的数据的微控制 器，其中 x 通常为 8、16、32 或 64。 Conversion technology 转换技术 通过结合蓝色发光晶粒和合适的磷光 转换器使 LED 产生白光的技术。 Core 线芯 用于导光的光纤内部部分，由纯玻璃 （硅）或塑料制成，直径通常约为 .01 .05 英寸。 Coupling 耦合 把光输入光纤或从光纤输出。 CPU (Central Processing Unit) CPU（中央处理 器） 电脑或电子系统的核心部分，用于处 理数据和执行所有计算。今天中央处 理器几乎已经成为单独的电子元件了， 通常称为微处理器。 CRI (Color Rendering/Reproduction Index) CRI（显色指数） 测量光源表现物体、材料颜色和肤色 的精确度，以及再现色泽细微变化的 程度，范围介于 0% 至 100% 之间， 用以将其它光源与参考光源作对比。 CRT (Cathode Ray tube)CRT（阴极射线 管） 一种专用真空管，当电子束照射磷光 表面时里面会生成图像。老式电视屏 幕/显示屏、台式电脑显示器均采用 CRT。此技术正逐渐为平板显示器所取 代。 Crystal 晶体 原子、离子或分子以有序格局在三维 空间内重复排列组成的固体。 CTE (Coefficient of Thermal Expansion) CTE（热膨胀系 数） 此参数用于描述温度变化引起的物体 几何尺寸（长度、面积、体积）的变 化。 Current 电流 电子流或空穴流。按单位时间内经过 特定点的粒子数量进行测量（以安培 为单位）。可通过在导体中应用电场 或改变穿过电容器的电场来诱发电流。 Current Transfer Ratio (CTR) 电流传输比 (CTR) 光耦合器的输出电流与输入电流之间 的比例。 Custom Integrated Circuit 定制集成电路 要求为特殊功能或应用专门设计一整 套掩膜的集成电路 (IC)。定制集成电 路 (IC) 通常是为特定客户专门研制 的。 CW (mode/pulsed) CW（模式/脉冲） 激光器的输出可以是持续的恒定振幅 （称为 CW 或连续波），或者可以是 脉冲。脉冲工作模式下能达到更高的 峰值功率。 DALI (Digital DALI（数字可 对电子镇流器和建筑内调光器等照明 Addressable Lighting Interface) standard protocol 寻址照明接口） 标准协议 控制装置进行数字控制的开放式标准。 系统中的每一个 DALI 可寻址控制装 置均有其自己的地址。 Dark current 暗电流 光电检测器在没有光输入时的输出电 流。 Dark current IR 暗电流 IR 即使没有光子输入到装置也会流经光 电二极管的一股小电流。可与非光学 装置中的泄漏电流匹敌。 DAW (Digital Audio Workstation) DAW（数字音频 工作站） 用于录音、音乐制作、混音和母带录 制的计算机控制系统。 DBEF (Dual Brightness Enhancement Film)-D DBEF（反射式 增光偏光片)-D 用于 LCD 屏幕，以加强后部偏光器中 通常会失去的光。 Decoder/Driver解码器/驱动器 此电路可将数字信息转换为模拟电压， 然后将电压放大至足以为显示器各元 件提供能量的电平等级。 Delocalized (electrons) 离域（电子） 不再绑定到特定原子核且具有高流动 性的电子。 Demodulator 解调器 使用积分器和施密特触发器译解接收 的信号的数据信号。通过合理设计 IC（集成电路），将输入和输出信号 之间的脉冲畸变保持在最低水平。必 要更改施密特触发器的时间至少是载 波频率的四个周期。 Deposition 蒸镀 将材料沉淀到基底表面的工序。通常 指用于形成 MOS 门、薄膜电阻器和 IC（集成电路）互连系统的导电薄膜 或绝缘薄膜。 Detection limit (D) 检测限 (D) 正好足够从背景噪声中分辨出信号时 的水平。 Dice 晶粒 两个或两个以上晶粒。见晶粒。 Die 晶粒 一片已集成特定电路的正方形或长方 形半导体材料。另请参见芯片。 Die Area 晶粒面积 晶粒的长度乘以宽度。 Die Attach 固晶 将晶粒安装到某种类型的封装元件或 载体（如引线框架）上的工序。 Die Bonding 晶粒贴合 使用导电粘合剂或金属合金（引线框 架）将晶粒固定到封装上的方法。 Die Cost 晶粒成本 通过晶圆制造和晶圆测试步骤生产出 一颗好晶粒所需的成本。 Die Size 晶粒尺寸 晶粒的大小。可用长度乘以宽度或面 积表示。 Die Sort 晶粒分选 分选出晶圆上的好晶粒和坏晶粒的工 序。见晶圆测试。 Die Yield 晶粒成品率 好晶粒数量除以被测晶粒数量。 Diffuser (film) 散光罩（薄膜） 一种薄膜，通过分散光形成标准的朗 伯发射模式来制造均匀照亮的表面。 Digital Display 数字显示 字母数字（字母和数字）的显示，并 非模拟或线性仪表显示。 Digital IC output 数字 IC 输出 数字 PC 总线数据协议 Diode 二极管 利用 PN 结或点接触的整流特性的双 极半导体装置。 Diode laser 二极管激光器 与 LED 技术有关的半导体元件，发射 激光束。所发射波长由半导体材料决 定。 DIP (Dual In- line Package) DIP（双列直插 式封装） 最常见的 IC（集成电路）封装，可以 是塑料或陶瓷材质。电路引线或引脚 从矩形封装体的两侧向外和向下对称 延长。 DIP package DIP 封装 又称双列直插式封装，是电子元件的 伸长体形状，其中两排引脚通过孔安 装定位于外壳两侧。 Direct Band Gap 直接带隙 带有直接带隙的半导体允许电子从传 导带渡越到价电子带而无需改变动量 直流电流（即仅按一个方向流动的电 流）。 Discrete Device 分立器件 一种包含功率晶体管和整流器的电子 元件，其中每个功率晶体管和整流器 都包含一个有源元件。相比之下，IC 的一个晶粒中通常包含几百、几千甚 至几百万个有源元件。 Display format显示格式 表示显示屏的列或行中的点或像素的 数量（即 640 x 480 或 96 x 64）。 DMD (Digital Mirror Device) DMD（数字微镜 装置） 包含许多微型镜的小装置，可使用呈 矩阵排列的微致动器使这些微型镜单 独移动。可操纵一个强大的光源生成 图像。此技术常应用于（DLP/数字光 处理）视频投影机。 Dominant Wavelength (dom) 主波长 (dom) 此波长为对人眼所感知的光的颜色进 行的定量测量。 Dopant 掺杂剂 特意添加到半导体中的杂质元素。 Doping 掺杂 在半导体中引入外来原子，从而影响 其导电性或晶体结构。 Dot Matrix Display 点阵显示 行和列阵列中点排列的格式，各点能 够单独照亮形成字母数字字符和图形。 Dpi Dpi 每英寸点数的英文缩写。若要在打印 和视频制作中达到高品质分辨率，须 达到最低标准 300 dpi 或以上（网络 质量为 72 dpi）。 DRAM DRAM 即动态随机存取存储器，是一种固体 存储器，里面的信息会随时间衰减， 需要定期刷新。 Drift velocity漂移速度 在导体、半导体或电子管中，载流子 在电场的影响下进行移动的平均速度。 Driving circuit 驱动电流 通过电流或电压的方式控制其他电子 装置的电路或其他电子元件，例如， 通过 LED 的电流。 DUT (Device Under Test) DUT（被测装置） 正在测试的一个元件或整个系统。所 执行测试类型取决于装置类型、测试 参数和可用测试设备和测量仪器。 Duty cycle 占空比 接通持续时长（脉冲持续时间）与方 波总周期时间的比。占空比以 0 1 之间的无因次比或 0% 100% 之间 的百分比表示。 Dynamic Scattering LCD 动态散射 LCD LCD 面板正确通电时引起环境光散射 并形成显示的一项技术。 Early Effect 厄利效应 在双极晶体管（BJT、HBT 等）中， 反向偏压结耗尽区的增长趋向于降 低反向电压不断增加的基底的宽度。 反过来，这样会导致电流增益随电 压增加而增加，即使设备处于“饱 和”状态也会造成电流近乎线性增 长。另请参见厄利电压。 Early Voltage 厄利电压 即使处于饱和状态，双极器件的电 流也容易发生线性增长。与该增长 斜率相同的延长线在名为厄利电压 的负电压处截断电压轴。 EBDIC (Extended Binary Coded Decimals EBDIC（扩展的 二进制编码的 一种常用的 8 位字符代码。 Interchange Code) 十进制交换码） EBL (Electron Block Layer) EBL（电子块层） 可描述为 OLED（有机发光二极管） 中使用的层。其中一个问题是，有 时 ITO（氧化铟锡）表面会造成短 路。此外，空穴传输材料的电势通 常较低。这两个缺点通常会通过特 殊空穴注入材料制成的中间层注入。 这样的中间层使 ITO（氧化铟锡） 层更平滑并作为 电子块层交互作用。 ECRMBE ECRMBE 电子回旋共振分子束外延。 Edge-emitting Lasers 边缘发射激光 器 相对垂直空腔表面发射激光器 (VCSEL) 而言的一种半导体装置， 包含一个能从增益区域边缘发射光 （或激光）的光学增益区。 EEPROM EEPROM 电可擦除可编程只读存储器是 EPROM 的换代产品。相比之下， CPU（中央处理器）现在则可以用作 编程器。 EL (Electro Luminescence) EL（电致发光） 在某些材料或材料组合之间施加电 场时发射光的性能。 Elastic Recoil Detection Analysis 弹性反冲探测 分析 一种离子束技术，能提供材料和薄 膜的直接和定量成分深度剖面图。 此技术采用重离子作为抛射粒子， 对所有化学元素都很敏感，因此非 常适合提取氢和氮等光元素的化学 计量信息。 ELD ELD 电致发光显示器 Electric Generator 发电机 输入机械能并输出电 (AC/DC) 的设 备。 Electrical Conductivity 导电性 材料携带电流的能力，与电阻（单 位为 ohm -1 cm -1）对等。 Electrical Resistance 电阻 计量电流通过特定材料的困难度的 值，单位为 ohm。 Electricity 电 以从高电势区到低电势区的顺序流 过导体的电流。 Electroluminescent (EL) Display 电致发光 (EL) 显示屏 透明导电电极段或点所组成的显示 屏，电极之间采用包含发光荧光粉 的薄介质进行分隔。如果在相反的 电极之间施加交流电压，将导致电 介质发出特有的蓝绿光。 Electromagnetic Radiation (waves) 电磁辐射（波） 真空状态下传播速度为 3 x 10 8 m/s 的系列能量波，包括无线电波、 微波、可见光、红外线、紫外线、X 射线和伽马射线。 Electron 电子 带负电荷的亚原子粒子，其质量为 9.1 x 10 -31 kg。 Electron Energy Level 电子能级 涉及量子力学，表示电子能承受的 能量。 Electronics 电子学 应用物理学和与控制电路中的电子 有关的工程学的一个分支。 Elementary Semiconductor基本半导体 由单一元素制成的半导体，虽然碳 （金刚石）和锗也是基本半导体， 但主要的例子为硅。此类半导体通 常显示为金刚石晶体的晶格。 EMI (ElectroMagnetic Interference/Influence) EMI（电磁干扰 /影响） 任何包含变化电流的电子装置都会 发射电磁波，可能会对其它电子装 置造成有害干扰。 Emissive Polymer Layer 发光聚合物层 OLED 装置中的聚合物层，会发光。 Emitter 发射器 形成双极晶体管的三个区中的一个。 在发射极基极 PN 结的正向偏压下， 发射器将少数载流子（电子或空穴） 注入基极区中，载流子在此重组或 扩散到集电极中。 EN (Europen Normalisation)-standards EN（欧洲标准 化）标准 CEN（欧洲标准化委员会）维护的工 艺和产品的欧洲标准。 Encapsulation (epoxy/silicon) 封装（环氧树 脂/硅树脂） 用于描述芯片封装的术语。环氧化 物和硅树脂材料用于封装晶粒，以 防 LED 受损且方便组装。 EOS (Electrical Overstress) EOS（电过载） 电过载指未观察到的超负荷和破坏 或电子元件的预损坏。这可由各种 错误（测量过程中出现高压短路、 信号电压没有电压、电源电压的顺 序错误或电压调节器布线不充分） 引起。 Epitaxy 外延 一种材料在另一种材料上的受控生 长。在 IC（集成电路）制造过程中， 这通常表示 N 型外延层通过沉积方 式生长在 P 型基底上。 EPROM EPROM 可擦除可编程只读存储器。电子存 储芯片，可通过特殊编程器进行编 程。可使用紫外光删除里面的数据， 然后重新编程。 ESD (ElectroStatic Discharge) ESD（静电放电） 静电放电是电气绝缘材料出现火花 或击穿引起的大电势差，会导致非 常高的短电脉冲。 ESD protection (electrostatic discharge) 静电放电 (ESD) 防护 ESD 损害一般来自于大功率短脉冲， 脉冲宽度不到 100 ns，可能导致电 子设备彻底崩溃。放电（ESD 事件） 和热冲击相结合，会造成能量积存 在结构内，有时可能进而导致 LED 晶粒表面上出现小裂纹。 ETL (Electron Transport Layer) ETL（电子传输 层） ETL（电子传输层） EXAFS EXAFS 扩展 X 射线吸收精细结构 Excitons 激子 半导体中发射光的粒子，本质上是 通过库仑相互作用绑定的电子-空穴 对系统。虽然激子可以穿过半导体， 但一般不会受电场的影响，因为它 们不携带净电荷。光致发光或电致 发光是由激子辐射复合导致的，而 光电流则是激子离解引起的。 External beam expander 外粒子束扩展 器 可改变激光辐射的直径，以避免不 希望的光学效应。凭借光束的精细 焦点，可消除衍射。 Extrinsic semiconductor 非本征半导体 掺杂了 N 型或 P 型元素的半导体。 Fab (Fabrication) 制造 即半导体制造，通常指在半导体晶圆 上嵌入器件或集成电路等前端工序， 不包括封装（后端）工序。 FAC (Fast Axis Collimation) FAC（快轴准直） 用于高功率二极管激光器的特殊光学 透镜，它使得二极管输出的光束质量 好、效率高。 FC (Fiber coupled/Fiber-optic) Connector FC（光纤耦合/ 光纤）连接器 标准化的光纤连接器，设计用在高振 动环境中等。可用于数据通信、电信、 测量设备或单模激光器。 FEOL (Front End Of Line) FEOL（前端制 程） IC（集成电路）制造工序的前端步骤， 即把单个有源器件（晶体管、电阻器 等）定型到半导体上。 Ferroelectric 铁电体 一种热电材料，其足够强的电场可以 逆转自发极化的方向。 FET FET 场效应晶体管为单级晶体管，其中电 流载体中只有一个电荷。与双极晶体 管不同，开关场效应晶体管时几乎没 有损耗。 Fiber Optic 光纤 沿光导体传输并导引光辐射（光）的 技术。 Fiber Optic Cable 光纤缆线，光 缆 束在一根导缆中的光纤。除了光纤及 其镀层，导缆还可包括塑料加强件， 内外塑料套各一个，以保护光纤。 Fiber Optic Connector 光纤连接器 一种快速连接/断连组件，用来将光源 连接到光缆，将一条光缆连接到另一 条光缆；将光缆连接到光检测器。 Fiber Optic Coupler 光纤耦合器 一种通过混合并分离光缆中信号在双 向系统中互连光缆的机械元件。 Fiber Optic Splice 光纤接头 连接两根光缆的不可分的结。连接方 式为使用环氧胶或热熔方式。 FIT 失效率 元件失效率，指工程系统或元件失效 的频率。 Flat-panel display 平板显示器 薄而平的显示器，如 LCD、EL、OLED（有机发光二极管）或 等离子显示器，不同于 CRT 和投射显 示器。 Flex-on-Glass 玻璃载柔 一种直接附着在玻璃（LCD 或 OLED） 上的柔性电路及贴合技术。 Fluorescent converter 荧光转换器 用于小型荧光灯及 LED 技术中，把蓝 光 LED 涂上黄色荧光粉（作为荧光转 换器进行相互作用）。这样就可以将 较高能量光（蓝色光和紫外线辐射） 的短波长改变为长波长来发射白光。 Fluorescent Display 荧光显示器 一种屏幕上涂有荧光粉的真空管显示 器，当遭到受热灯丝释放的电子轰击 时能发出特有的蓝绿光。 FM (Frequency Modulation) 调频（频率调 制） 一种调制方法，其中的载波频率被传 输的信号改变。频率调制可与幅度调 制相比，后者的信息信号的动态范围 较高。 FOLED 柔性有机发光 二极管 通用显示器公司采用的贴在柔性基板 上的有机发光二极管。 Forbidden Energy Band 禁止能带 传导带和价电带之间的一种材料的能 带，指从价电带释放电子到其传导带 时所需的能量。 Forward Bias 正向偏压 施加在传导方向 p-n 结上的偏压，多 数载流子电子和空穴流向该结，导致 电流流量增大。 Forward current 正向电流 朝二极管流动的某些电流经二极管进 入导通状态。 Forward voltage 正向电压 朝二极管流动的某些电压经二极管进 入导通状态。 FPC Flexible Printed 柔性印刷电路 柔板是一种柔性单/双面电路板材料， Circuit (flexboard) （柔板） 其上覆有一到多个铜层。 Frame rate 帧率 每秒图像帧数。通常简写为 fps，即 每秒帧数。 Frequency doubling 倍频 透明光介质上的频率入射光，在该介 质上光以倍频发射。 Front End 前端 集成电路贴合到晶圆里面或上面的制 造过程。 FTNMR (Fourier Transform Nuclear Magnetic Resonance) FTNMR（傅里叶 变换核磁共振） 用来探测 MOVPE 使用的金属有机前躯 体里可能含有的有机杂质和氧化杂质。 Gallium Aluminum Arsenide (GaAIAs) 镓铝砷 (GaAIAs) 镓、铝、砷的化合物，用来生产 LED。 Gallium Arsenide (GaAs) 砷化镓 (GaAs) 镓和砷的化合物，用来生产 LED。 Gallium Arsenide Phosphide (GaAsP) 镓砷磷 (GaAsP) 镓、砷、磷 (P) 的化合物，用来生产 LED。 Gallium Nitride (GaN) 氮化镓 (GaN) 镓和氮的化合物，用来生产 LED。 Gallium Phosphide (GaP) 磷化镓 (GaP) 镓和磷 (P) 的化合物，用来生产 LED。 Galvanometer 电流计 一种测量小电流的仪器。 Gas Discharge Display 气体放电显示 器 一种显示器，里面排列的段和点含有 惰性气体，且位于玻璃显示屏表面下 方。通过施加足够高的电压使气体电 离并发射光到屏幕上，从而照亮显示 屏。光通常呈特有的蓝绿色。也称作 等离子或等离子显示器。 Gate 门 影响与之直接相关的半导体区的控制 电极或控制区，这样半导体区的导电 特性便暂时得以改变，结果常出现开- 关型切换动作。 Gate voltage (VG) 门电压（VG） 常称作 MOSFET 的域电压。晶体管含 有一个反型层，反型层形成于绝缘层 和基板之间门电压流经的界面。 Gaussian beam 高斯光束 光束的横向电场及强度分布可用高斯 剖面来说明。 Germanium 锗 早期用来制造晶体管和晶体二极管的 半导体材料。也被加到硅晶体管中来 提高性能（锗的电子迁移率比硅的高。 ） GPU 图形处理器 图形处理器被用来计算电脑和游戏机 的屏幕输出。 Graded Index Fiber 渐变折射率光 纤 中心密度高，纤芯-包层界面密度低的 一种密度渐变光纤。在光纤中，被反 射光不是大幅扭曲传播，而是沿平滑 的曲线路径进行传播，减少了畸变。 Grayscale 灰度 指一系列深浅的灰色或亮度。灰度图 像比素描（只有黑白色）的细节和深 度更丰富。比如，4 位灰度对应于 2 4 = 16 级灰度，或 8 位灰度对应于 28 = 256 级灰度。 GRIN-SCH GRIN-SCH 渐变折射率分离式限制异质结构 Ground Loop Noise 地环路噪声 一种在相对低电平信号电路的共同基 准上产生的不理想的电压，由磁场或 由与相同电路基准（接地）连接的相 对高功率的电路产生的回流或基准电 流产生。这种情况具有潜在的危害， 一般是由于 PCB 板上电路布局不良引 起的。 GSMBE (Gas Source Molecular Beam Epitaxy) GSMBE（气体源 分子束外延） 分子束外延 (MBE) 的一种变体，其中 的一个源呈气态，如作为 GaP 中的磷 (P) 来源的 PH 3。 Gullwing 鸥翼 一种常见的引脚形式，用来将表面贴 装器件连接到线路板上。封装器件位 于 PCB 板的上面。参见倒立鸥翼。 GUNN Diode GUNN 二极管 一种利用半导体材料的高场效应的无 结器件。一旦电子速度随场效应的增 加而下降，就有可能出现负阻模式的 运行。 HBL (Hole Blocking Layer) HBL（空穴阻挡 层） OLED 器件上有机多层堆栈里的特定层。 它阻挡空穴到阴极的通道，并提升效 能。因此，它需要所谓的低 HOMO （最高被占分子轨道）能级。 HDD HDD 硬盘驱动，电脑技术中的一种磁存储 介质，将二进制数据写入旋转的铁磁 盘表面。信息通过读取头扫描盘表面 的磁化来读取。 HDTV HDTV 高清电视是一种统称，包括一系列不 同于传统电视的电视标准，它的分辨 率更高，达 1920*1080 像素（全高清） 。 Heat sink 散热片 用来驱散器件上多余的热量，防止器 件过热。LED 的性能和寿命很大程度 上取决于其结的温度。因此要采用散 热片来有效地冷却 LED（无源 = f.e. 散热片/有源 = 风扇和放电金属的组 合）。 Heat slug/spreader 散热块/散热器 金属板，有助于驱散处理器半导体芯 （晶粒）产生的热量，保护芯体。 Heat transfer foil or paste 传热箔或传热 膏 有助于提高器件和散热片之间的热传 递。 Heterostructure 异质结构 各种材料的组合，其中一个单一器件 中带一个不同的带结构，常引起材料 组合的突变。 HID lamps/projection systems HID 灯/投影系 统 汽车前照灯使用的高强度放电灯，如 氙气灯。 High resolution full color 高清全彩 该术语用来描述大对角线 LED 视屏。 极小尺寸的 LED 能使大量的像素容纳 在一小块显示区。 High Resolution Images 高清图像 300 dpi 到 600 dpi 的图像。格式： JPG、TIFF 或 EPS（被看作是矢量图 及/或 Adobe 公司的矢量图形处理软 件 Illustrator）。没有 PowerPoint、PageMaker 或 web graphics (72 dpi) 格式。 High-precision shutter 高精度快门 直接安装在芯片上的 Ostar 前照灯所 采用的