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第15章 基本放大电路 选择题1. 如图所示的电路中的三极管为硅管，=50，通过估算,可判断电路工作在_A_区。 A. 放大区 B.饱和区 C. 截止区 2. 如图所示的电路中的三极管为硅管，=50，通过估算,可判断电路工作在_B_区。 A. 放大区 B. 饱和区 C. 截止区 3. 如图所示的电路中的三极管为硅管，=50，通过估算,可判断电路工作在_C_区。 A. 放大区 B. 饱和区 C. 截止区 4. 已知如图所示放大电路中的Rb=100k，Rc=1.5k，三极管的=80，在静态时，该三极管处于_A_。 A. 放大状态 B. 饱和状态 C.截止状态 D. 倒置工作状态 5. 根据放大电路的组成原则，在下图所示各电路中只有图_A_具备放大条件。 A. a) B. b) C. c) D. d) 6. 如图所示电路的直流通路为_A_。 A. a) B. b) C. c) D. d) 7. 如图所示电路的直流通路为_B_。 A. a) B. b) C. c) D. d) 8. 如图所示电路的直流通路为_C_。 A. a) B. b) C. c) D. d) 9. 如图所示电路的直流通路为_D_。 A. a) B. b) C. c) D. d) 10. 在图所示放大电路中，集电极电阻Rf的作用是_C_。 A. 放大电流 B. 调节IBQ C. 防止输出信号交流对地短路，把放大了的电流转换成电压 D. 调节ICQ 11. 对于如图所示放大电路，当用直流电压表测得VCEVCC时，有可能是因为_A_。 A. Rb开路 B. RL短路 C. Rf开路 D. Rb过小 12. 对于如图所示放大电路，当用直流电压表测得VCE0时，有可能是因为_D_。 A. Rb开路 B. RL短路 C. Rf开路 D. Rb过小 13. 在如图所示射级偏置电路中，若上偏流电阻Rb1短路，则该电路中的三极管处于_B_。 A. 放大状态 B. 饱和状态 C. 截止状态 D. 倒置工作状态 14. 对于如图所示放大电路，若VCC12V，Rf2k，集电极电流IC计算值为1mA，今用直流电压表测得VCE8V，这说明_A_。 A. 工作正常 B. 三极管ce极间开路 C. 三极管be极间开路 D. 电容C2短路15. 在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则vo和vi的相位_B_。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 16. 在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则vo和vi的相位_A_。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 17. 既能放大电压，也能放大电流的是_A_组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 18. 在如图所示(a)、(b)、(c)、(d)放大电路中，能实现正常放大的电路是_A_。 A. (a) B. (b) C. (c) D. (d) 19. 在如图所示共射放大电路中，三极管50，VBE0.2。问：当开关与A处相接时，三极管处于_C_状态。 A. 饱和 B. 截止 C. 放大 20. 在如图所示共射放大电路中，三极管50，VBE0.2。问：当开关与B处相接时，三极管处于_B_状态。 A. 饱和 B. 截止 C. 放大 D. 倒置 21. 可画出如图所示放大电路的交流通路为图_A_。 A. (a) B. (b) C. (c) D. (d) 22. 可画出如图所示放大电路的交流通路为图_ _B_。 A. (a) B. (b) C. (c) D. (d) 23. 可画出如图所示放大电路的交流通路为图_C_。 A. (a) B. (b) C. (c) D. (d) 24. 可画出如图所示放大电路的交流通路为图_D_。 A. (a) B. (b) C. (c) D. (d) 25. 图 (b)示出了图 (a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性及交、直流负载线，可求得电源电压VCC为_C_。 A. 6V B.7V C. 8V D. 7.5V26. 图 (b)示出了图 (a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性及交、直流负载线，可求得电阻Rb的值为_A_。 A. 420k B. 300k C. 200k D. 268k 27. 图 (b)示出了图 (a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性及交、直流负载线，可求得电阻Rb的值为_B_。 A. 3k B. 5k C. 4k D. 3.3k 28. 图 (b)示出了图 (a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性及交、直流负载线，试求输出电压的最大不失真幅度为_C_。A. 1V B. 1.6V C. 2V D. 2.4V 29. (b)示出了图 (a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性及交、直流负载线，可作图求得基极正弦电流最大幅值为20mA。试求输出电压的最大不失真幅度为_D_。 A. 36A B. 30A C. 24A D. 20A 30. 放大电路如图所示，设三极管的=20，Rb=200，VBE=0.7V。DZ为理想的硅稳压二极管，其稳压值VZ=6V。各电容都足够大，因而对交流均可视为短路。可求得静态时的VCE为_B_。 A. 7.8V B. 8V C. 8.2V D. 8.5V 31. 在右图所示的固定偏流式放大电路中，当Rc、Rb的参数分别为_B_时，该电路的静态工作点处在放大区。设三极管的=100。 A. 5.6k,10k B. 5.6k,510k C. 5.6k,1M D. 100k,1M 32. 对于右图所示的放大电路，若仅当Rb增加时，VCEQ将是_A_。 A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 不确定 33. 对于右图所示的放大电路，若仅当Rc减小时，VCEQ将是_A_。 A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 不确定 34. 对于右图所示的放大电路，若仅当RL增加时，VCEQ将是_A_。A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 不确定 35. 对于右图所示的放大电路，若仅当减小（换三极管）时，VCEQ将是_A_。 A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 不确定 36. 当输入电压为正弦信号时，如果PNP管共发射极放大电路发生饱和失真，则输出电压VO的波形将_B_。 A. 正半波削波 B. 负半波削波 C. 双向削波 D. 不削波 37. 在右图所示的放大电路中，若该电路原来发生了非线性失真，但在减小Rb以后，失真消失了，这失真必是_A_。 A. 截止失真 B. 饱和失真 C. 双重失真 D. 交越失真 38. 在右图所示的放大电路中，原来没有发生非线性失真，然而在换上一个比原来大的三极管后，失真出现了，这个失真必定是_B_。 A. 截止失真 B. 饱和失真 C. 双重失真 D. 交越失真 39. 对于右图所示放大电路，设VCC=12V，三极管=50，VBE=0.7V，若要求静态电流ICQ=2mA，VCEQ=4V，则电路中的Rb=_D_。 A. 360k B. 180k C. 200k D. 282.5k 40. 对于右图所示放大电路，设VCC=12V，三极管=50，VBE=0.7V，若要求静态电流ICQ=2mA，VCEQ=4V，则电路中的Rc=_B_。 A. 2k B. 4k C. 8k D. 5.6k 41. 在右图所示放大电路中，已知VCC=12V，Rb1=27k，Rc=2k，Re=1k，VBE=0.7V,现要求静态电流ICQ=3mA，则Rb2=_D_。 A. 12k B. 10k C. 8k D. 16k 42. 可画出如图所示放大电路的H参数小信号等效电路为图_A_。 A. a) B. b) C. c) D. d) 43. 可画出如图所示放大电路的H参数小信号等效电路为图_B_。 A. a) B. b) C. c) D. d) 44. 可画出如图所示放大电路的H参数小信号等效电路为图_C_。 A. a) B. b) C. c) D. d) 45. 可画出如图所示放大电路的H参数小信号等效电路为图_D_。 A. a) B. b) C. c) D. d) 46. 放大电路如图所示。已知图中Rb1=10k，Rb2=2.5k，Rc=2k，Re=750，RL=1.5k，Rs=10k，VCC=15V， =150。设C1、C2、C3都可视为交流短路，用小信号模型分析法可计算得电路的电压增益为_A_。 A. -85.7 B. 78 C. 80 D. 60 47. 放大电路如图所示。已知图中Rb1=10k，Rb2=2.5k，Rc=2k，Re=750，RL=1.5k，Rs=10k，VCC=15V， =150。设C1、C2、C3都可视为交流短路，用小信号模型分析法可计算得电路的输入电阻Ri为_A_。 A. 0.852k B. 0.6k C. 10k D. 2.5k 48. 放大电路如图所示。已知图中Rb1=10k，Rb2=2.5k，Rc=2k，Re=750，RL=1.5k，Rs=10k，VCC=15V， =150。设C1、C2、C3都可视为交流短路，用小信号模型分析法可计算得电路的输出电阻Ro为_A_。 A. 2k B. 1k C. 1.5k D. 2.5k 49. 已知右图所示共射放大电路中的锗三极管的=150，VCES=0.2V，用H参数小信号模型可求得电压放大倍数为_C_。 A. -158 B. 78 C. -180 D. 120 50. 已知右图所示共射放大电路中的锗三极管的=150，VCES=0.2V，用H参数小信号模型可求得输入电阻为_A_。 A. 2k B. 4k C. 5.6k D. 22k 51. 已知右图所示共射放大电路中的锗三极管的=150，VCES=0.2V，用H参数小信号模型可求得输出电阻为_C_。 A. 2k B. 2.2k C. 5.6k D. 22k 52. 放大电路如图所示，设三极管的=20，Rb=200，VBE=0.7V。DZ为理想的硅稳压二极管，其稳压值VZ=6V。各电容都足够大，因而对交流均可视为短路。可求得电压放大倍数AV为_B_。 A. 50 B. 66.7 C. 70 D. 65 53. 放大电路如图所示，设三极管的=20，Rb=200，VBE=0.7V。DZ为理想的硅稳压二极管，其稳压值VZ=6V。各电容都足够大，因而对交流均可视为短路。可求得输入电阻为_A_。 A. 300 B. 280 C. 250 D. 299 54. 如图所示电路是能稳定静态工作点的射极偏置电路。电路满足Ic=(510) IB， VB= (35) VBE 的条件。已知：VCC=12V，Rb2=3k，Re=1k，Rc=2k，三极管为硅管， =50，欲使VCE=6V，问基极上偏流电阻Rb1的取值应为_B_。 A. 9k B. 10k C. 8k D. 7.5k 55. 对于如图所示固定偏流电路，当室温升高时，其三极管ICQ_A_。 A. 增大 B. 减小 C. 不变（或基本不变） D. 不定 56. 对于如图所示射极偏置电路，当室温升高时，其三极管的VCEQ_B_。 A. 增大 B. 减小 C. 不变（或基本不变） D. 不定 57. 共集电极放大电路如图所示. 设电路中三极管的=100，VBE=0.6V用小信号模型分析法可计算得电路的输入电阻Ri为_C_。 A. 3.3k B. 3.8k C. 1.47k D. 5.1k 58. 共基电路如图所示。已知VCC=20V，Rb1=50k，Rb2=68k，Rc=Re=500，=50，C1、C2、C3的容量都很大。用H参数小信号模型分析法可求得为_C_。 A. 75 B. 79 C. 68 D. 82 、59. 共基电路如图所示。已知VCC=20V，Rb1=50k，Rb2=68k，Rc=Re=500，=50，C1、C2、C3的容量都很大。用H参数小信号模型分析法可求得输入电阻Ri为_D_。 A. 7.5 B. 6.4 C. 6.8 D. 8.2 60. 共基电路如图所示。已知VCC=20V，Rb1=50k，Rb2=68k，Rc=Re=500，=50，C1、C2、C3的容量都很大。用H参数小信号模型分析法可求得输出电阻Ro为_D_。 A. 750 B. 250 C. 680 D. 500 61. 右图所示共基放大电路的三极管为硅管，=100，可求得该电路的电压放大倍数为_D_。 A. 51 B. 56 C. 60 D. 66 62. 右图所示共基放大电路的三极管为硅管，=100，可求得该电路的电压放大倍数输入电阻Ri为_A_。 A. 22 B. 13 C. 26 D. 18 63. 右图所示共基放大电路的三极管为硅管，=100，可求得该电路的电压放大倍数输出电阻Ro为_A_。 A. 2.1k B. 1.3k C. 2.6k D. 1.8k 64. 为了使高阻输出的放大电路（或高阻信号源）与低阻负载（或低输入电阻的放大电路）很好地配合，可以在高阻输出的放大电路与负载之间插入_B_。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共基电路 D. 任何一种组态的电路 65. 为了把一个低阻输出的放大电路（或内阻极小