变压器介损及电容量测试.ppt

变压器介损及电容量测试,1试验目的介质损耗角正切值又称介质损耗因数或简称介损，它是在交流电压作用下，电介质中的电流有功分量与无功分量的比值，是一个无量纲的数。它反映电介质内单位体积中能量损耗的大小，它与电介质的体积尺寸大小无关。测量介质损耗因数是一项灵敏度很高的试验项目，它可以发现电力设备绝缘整体受潮、劣化变质以及小体积被试设备贯通和未贯通的局部缺陷。,变压器介损及电容量测试,1试验目的某台变压器的套管，正常tan值为0.5%，而当受潮后tan值为3.5%，两个数据相差7倍；而用测量绝缘电阻检测，受潮前后的数值相差不大。由于测量介质损耗因数对反映上述缺陷具有较高的灵敏度，所以在电工制造及电力设备交接和预防性试验中都得到了广泛的应用。,变压器介损及电容量测试,2试验的局限性有的设备，尽管测得的总体绝缘的介损tan值很小（从总体平均来看），但是局部缺陷的损失可能很大而不能发现。,变压器介损及电容量测试,3介损仪的种类西林电桥（QS1、QS3型高压交流平衡电桥）M型介质试验器（2500伏介质试验器，不平衡电桥）新型全自动抗干扰电桥（济南泛华电桥、金迪电桥、泛科电桥、康申电桥等等）,变压器介损及电容量测试,4各种电桥的的原理QS1电桥：调节R3、C4使电桥平衡，此时a、b两点电压相等，即R3、C4两端电压相等。,变压器介损及电容量测试,4各种电桥的的原理M型电桥：将试品改为并联模型。注意到Ir与Icx、Icn差90度。调节R4使Uw最小。这时IcnR4=IcxR3,Uw=IrR3，因此由于a、b间电压没有完全抵消，因此M型电桥也称为不平衡电桥。Uw测量的是绝对值，小介损时电压很低，难以保证测量精度。,变压器介损及电容量测试,4各种电桥的的原理数字电桥：数字电桥的测量回路还是一个桥。R3、R4两端的电压经过A/D采样送到计算机。进一步可求得试品介损和电容量。数字电桥的最大优势在于：可以实现自动测量，可以补偿所有原理性误差，没有复杂的机械调节部件，测量以软件为主，性能十分稳定。,变压器介损及电容量测试,5试验项目绕组连同套管的tan和电容值电容型套管的tan和电容值,变压器介损及电容量测试,5试验项目绕组连同套管的tan和电容值一次引线全部拆开将被试绕组短接接地充分放电被试绕组需首末端短接后加压施加电压绕组电压10kV以上：10kV绕组电压10kV以下：Un介损仪的高压屏蔽端均悬空,变压器介损及电容量测试,5试验项目,变压器介损及电容量测试,5试验项目,变压器介损及电容量测试,5试验项目绕组连同套管的tan和电容值不拆一次引线将被试绕组短接接地充分放电。被试绕组需首末端短接后加压。施加电压绕组电压10kV以上：10kV绕组电压10kV以下：Un,2019/12/12,13,可编辑,变压器介损及电容量测试,5试验项目,变压器介损及电容量测试,5试验项目,变压器介损及电容量测试,5试验项目电容型套管的tan和电容值拆开套管末屏接地片（线）与被试套管相连的所有绕组端子短接后接介损测试仪高压端，其余绕组端子均接地，套管末屏接介损测试仪，正接线测量施加电压10kV,变压器介损及电容量测试,5试验项目,变压器介损及电容量测试,5试验项目电容型套管的tan和电容值如果电容型套管末屏对地绝缘电阻小于1000M，应测量末屏对地的tan。套管末屏接介损测试仪高压端，与被试套管相连的所有绕组端子短接后接介损测试仪屏蔽端，加压2kV，采用反接屏蔽法测量。,变压器介损及电容量测试,5试验项目,变压器介损及电容量测试,6试验数据分析不同温度下的tan值一般按下式换算式中tan1、tan2分别为温度t1、t2时的tan值将所测得的tan换算到同一温度，并与出厂、交接、历年数值进行比较；与同型设备、同一设备相间比较。比较结果均不应有明显差异。,变压器介损及电容量测试,7判断标准绕组连同套管的tan和电容值20时tan不大于下列数值500kV：0.6%；110220kV：0.8%；35kV：1.5%,变压器介损及电容量测试,7判断标准电容型套管的tan和电容值20时的tan值不应大于下表数值：,变压器介损及电容量测试,7判断标准电容型套管的tan和电容值电容型套管的电容值与出厂值或上一次试验值的差别超出5时，应查明原因。套管末屏对地的介损不应大于2%。,变压器介损及电容量测试,8影响tan的因素试验电压的影响良好绝缘的tan不随电压的升高而明显增加。若绝缘内部有缺陷，则其tan将随试验电压的升高而明显增加。,变压器介