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单晶、多晶硅片生产工艺流程详解单晶、多晶硅片生产工艺流程详解为了帮助大家认识和了解硅料到硅片的详细生产流程，提高对这个行业的认知，以便能更好的从事 个行业，现在将一些生产流程资料整理如下，希望能对大家有所帮助。简介硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。工艺过程综述所有的工艺步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。表1.1 硅片加工过程步骤1.切片2.激光标识3.倒角4.磨片5.腐蚀6.背损伤7.边缘镜面抛光8.预热清洗9.抵抗稳定退火10.背封11.粘片12.抛光13.检查前清洗14.外观检查15.金属清洗16.擦片17.激光检查18.包装/货运切片（class 500k）硅片加工的介绍中，从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗，也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。为了尽量得到最好的硅片，硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程中有两种主要方式内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小，对硅片的损伤也最小，并且允许硅片的翘曲也是最小。切片是一个相对较脏的过程，可以描述为一个研磨的过程，这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。硅片切割完成后，所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清洗过程中，很重要的一点就是保持硅片的顺序，因为这时它们还没有被标识区分。激光标识(Class 500k)在晶棒被切割成一片片硅片之后，硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码，因而能知道硅片的正确位置。这一编码应是统一的，用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的，因为单晶的整体特性会随着晶棒的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深，从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片上刻下编码后，即使硅片有遗漏，也能追溯到原来位置，而且如果趋向明了，那么就可以采取正确的措施。激光标识可以在硅片的正面也可在背面，尽管正面通常会被用到。倒角当切片完成后，硅片有比较尖利的边缘，就需要进行倒角从而形成子弹式的光滑的边缘。倒角后的硅片边缘有低的中心应力，因而使之更牢固。这个硅片边缘的强化，能使之在以后的硅片加工过程中，降低硅片的碎裂程度。磨片（Class 500k）接下来的步骤是为了清除切片过程及激光标识时产生的不同损伤，这是磨片过程中要完成的。在磨片时，硅片被放置在载体上，并围绕放置在一些磨盘上。硅片的两侧都能与磨盘接触，从而使硅片的两侧能同时研磨到。磨盘是铸铁制的，边缘锯齿状。上磨盘上有一系列的洞，可让研磨砂分布在硅片上，并随磨片机运动。磨片可将切片造成的严重损伤清除，只留下一些均衡的浅显的伤痕；磨片的第二个好处是经磨片之后，硅片非常平整，因为磨盘是极其平整的。磨片过程主要是一个机械过程，磨盘压迫硅片表面的研磨砂。研磨砂是由将氧化铝溶液延缓煅烧后形成的细小颗粒组成的，它能将硅的外层研磨去。被研磨去的外层深度要比切片造成的损伤深度更深。腐蚀（Class 100k）磨片之后，硅片表面还有一定量的均衡损伤，要将这些损伤去除，但尽可能低的引起附加的损伤。比较有特色的就是用化学方法。有两种基本腐蚀方法：碱腐蚀和酸腐蚀。背损伤（Class 100k）在硅片的背面进行机械损伤是为了形成金属吸杂中心。当硅片达到一定温度时，如Fe, Ni, Cr, Zn等会降低载流子寿命的金属原子就会在硅体内运动。当这些原子在硅片背面遇到损伤点，它们就会被诱陷并本能地从内部移动到损伤点。背损伤的引入典型的是通过冲击或磨损。举例来说，冲击方法用喷砂法，磨损则用刷子在硅片表面磨擦。边缘抛光硅片边缘抛光的目的是为了去除在硅片边缘残留的腐蚀坑。当硅片边缘变得光滑，硅片边缘的应力也会变得均匀。应力的均匀分布，使硅片更坚固。抛光后的边缘能将颗粒灰尘的吸附降到最低。硅片边缘的抛光方法类似于硅片表面的抛光。预热清洗（Class 1k）在硅片进入抵抗稳定前，需要清洁，将有机物及金属沾污清除，如果有金属残留在硅片表面，当进入抵抗稳定过程，温度升高时，会进入硅体内。这里的清洗过程是将硅片浸没在能清除有机物和氧化物的清洗液（H2SO4+H2O2）中，许多金属会以氧化物形式溶解入化学清洗液中；然后，用氢氟酸（HF）将硅片表面的氧化层溶解以清除污物。抵抗稳定退火（Class 1k）硅片在CZ炉内高浓度的氧氛围里生长。因为绝大部分的氧是惰性的，然而仍有少数的氧会形成小基团。这些基团会扮演n-施主的角色，就会使硅片的电阻率测试不正确。要防止这一问题的发生，硅片必须首先加热到650左右。这一高的温度会使氧形成大的基团而不会影响电阻率。然后对硅片进行急冷，以阻碍小的氧基团的形成。这一过程可以有效的消除氧作为n-施主的特性，并使真正的电阻率稳定下来。背封（Class 10k）对于重掺的硅片来说，会经过一个高温阶段，在硅片背面淀积一层薄膜，能阻止掺杂剂的向外扩散。这一层就如同密封剂一样防止掺杂剂的逃逸。通常有三种薄膜被用来作为背封材料：二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、多晶硅。图 举例说明了预热清洗、抵抗稳定和背封的步骤。粘片（Class 10k）抛光之前，先要进行粘片。粘片必须保证硅片能抛光平整。有两种主要的粘片方式，即蜡粘片或模板粘片。蜡粘片用一固体松香蜡与硅片粘合，并提供一个极其平的参考表面。这一表面为抛光提供了一个固体参考平面。粘的蜡能防止当硅片在一侧面的载体下抛光时硅片的移动。蜡粘片只对单面抛光的硅片有用。另一方法就是模板粘片，有两种不同变异。一种只适用于单面抛光，用这种方法，硅片被固定在一圆的模板上，再放置在软的衬垫上。这一衬垫能提供足够的摩擦力因而在抛光时，硅片的边缘不会完全支撑到侧面载体，硅片就不是硬接触，而是“漂浮”在物体上。当正面进行抛光时，单面的粘片保护了硅片的背面。另一种方法适用于双面的抛光。这种方法可以允许在一台机器上进行抛光时，两面能同时进行，操作类似于磨片机。硅片的两个抛光衬垫放置在相反的方向，这样硅片被推向一个方向的顶部时和相反方向的底部，产生的应力会相互抵消。这就有利于防止硅片被推向坚硬的载体而导致硅片边缘遭到损坏。抛光（Class 1k）硅片抛光的目的是得到一非常光滑、平整、无任何损伤的硅表面。磨片时，硅片进行的是机械的研磨；而在抛光时，是一个化学/机械的过程。这个在操作原理上的不同是造成抛光能比磨片得到更光滑表面的原因。抛光时，用特制的抛光衬垫和特殊的抛光砂对硅片进行化学/机械抛光。抛光砂由硅胶和一特殊的高pH值的化学试剂组成。这种高pH的化学试剂能氧化硅片表面，又以机械方式用含有硅胶的抛光砂将氧化层从表面磨去。硅片通常要经多步抛光。第一步是粗抛，用较硬衬垫，抛光砂更易与之反应，而且比后面的抛光中用到的砂中有更多粗糙的硅胶颗粒。第一步是为了清除腐蚀斑和一些机械损伤。在接下来的抛光中，用软衬、含较少化学试剂和细的硅胶颗粒的抛光砂。清除剩余损伤和薄雾的最终的抛光称为精抛。粘片和抛光过程如图所示：检查前清洗（class 10）硅片抛光后，表面有大量的沾污物。为了能对硅片进行检查，需进行清洗以除去大部分的颗粒。通过这次清洗，硅片的清洁度仍不能满足客户的要求，但能对其进行检查了。通常的清洗方法是在抛光后用RCA SC-1清洗液。有时用SC-1清洗时，同时还用磁超声清洗能更为有效。另一方法是先用H2SO4/H2O2，再用HF清洗。相比之下，这种方法更能有效清除金属沾污。检查经过抛光、清洗之后，就可以进行检查了。在检查过程中，电阻率、翘曲度、总厚度超差和平整度等都要测试。所有这些测量参数都要用无接触方法测试，因而抛光面才不会受到损伤。在这点上，硅片必须最终满足客户的尺寸性能要求，否则就会被淘汰。金属物去除清洗硅片检查完后，就要进行最终的清洗以清除剩余在硅片表面的所有颗粒。主要的沾污物是检查前清洗后仍留在硅片表面的金属离子。这些金属离子来自于各不同的用到金属与硅片接触的加工过程，如切片、磨片。一些金属离子甚至来自于前面几个清洗过程中用到的化学试剂。因此，最终的清洗主要是为了清除残留在硅片表面的金属离子。这样做的原因是金属离子能导致少数载流子寿命，从而会使器件性能降低。SC-1标准清洗液对清除金属离子不是很有效。因此，要用不同的清洗液，如HCl，必须用到。擦片在用HCl清洗完硅片后，可能还会在表面吸附一些颗粒。一些制造商选择PVA制的刷子来清除这些残留颗粒。在擦洗过程中，纯水或氨水（NH4OH）应流经硅片表面以带走沾附的颗粒。用PVA擦片是清除颗粒的有效手段。激光检查硅片的最终清洗完成后，就需要检查表面颗粒和表面缺陷。激光检查仪能探测到表面的颗粒和缺陷。因为激光是短波中高强度的波源。激光在硅片表面反射。如果表面没有任何问题，光打到硅片表面就会以相同角度反射。然而，如果光打到颗粒上或打到粗糙的平面上，光就不会以相同角度反射。反射的光会向各个方向传播并能在不同角度被探测到。包装/货运包装的目的是为硅片提供一个无尘的环境，并使硅片在运输时不受到任何损伤；包装还可以防止硅片受潮。如果一片好的硅片被放置在容器内，并让它受到污染，它的污染程度会与在硅片加工过程中的任何阶段一样严重，甚至认为这是更严重的问题，因为在硅片生产过程中，随着每一步骤的完成，硅片的价值也在不断上升。理想的包装是既能提供清洁的环境，又能控制保存和运输时的小环境的整洁。典型的运输用的容器是用聚丙烯、聚乙烯或一些其他塑料材料制成。这些塑料应不会释放任何气体并且是无尘的，如此硅片表面才不会被污染。硅片制备阶段的问题在硅片的制造过程中，涉及到许多参数。而且这些参数中有许多会因最终硅片目标不同而发生变化。对硅片来说，有一些参数始终是很重要的，如平整度、缺陷、沾污等。当硅片被不正确运行的刀片所切割时，就会造成弯曲的刀口。这些刀口都不会相同，这就使硅片有不同种类的平面缺陷。因此应以尽可能平的面去切割硅片。有不同的测量方法来测试硅片的平整度。整个的平整度对于设计样品时是很重要的，从另一方面说，局部的平整度对于设计是很重要的，一些整体平整度测试的术语是弯曲度（bow）、翘曲度（warp）、总厚度超差（TTV）、总指示读数（TIR）和焦平面背离（FPD）。Bow：硅片弯曲度是测量硅片弯曲程度，它是与硅片中心从一通过靠近硅片边缘的三个基点建立的平面的背离程度。Warp：硅片形状变形的另一测试方法是翘曲度的测试。翘曲度是测量硅片确定的几个参考面的中心线位置的最高点与最低点之最大差值。硅片的翘曲度起决于使用的一对无接触扫描探针。硅片被放置在三个形成参考平面的支点上，这对探针中一支可以在硅片一侧的任意位置，而另一支则在另一侧的相应位置。探针按设定的程序，沿硅片表面移动，测量到硅片表面指定点的距离。一旦所有的距离都已测得，翘曲的程度也就知道了。测定翘曲度，第一步就是找到顶部探针与顶部硅片表面的距离（a）和相应底部探针与底部硅片表面的距离（b）。换句话说，就得到了b-a的所有测量点。有了这些数据，将b-a的最大值减去b-a的最小值，再除以2就是Warp值（如图1.6所示）。图1.6 翘曲度（Warp）和总厚度偏差（TTV）测量示意图TTV一种检测硅片厚度一致性的方法，叫总厚度超差（TTV），就是指硅片厚度的最大值与最小值之差。测量TTV可在测量Warp时同时进行。Warp中类似的探针和数据处理方法可以为TTV所采用。在计算TTV时，第一步是将顶部探针与顶部硅片表面的距离（a）和相应底部探针与底部硅片表面的距离（b）相加，这里，我们要的是相加（a+b），TTV就是将a+b的最大值减去a+b的最小值。TIR总指示读数是一种只与硅片的正面有关的参数。测量方法是将与真空吸盘平行吸住的一面作为参考平面，TIR就是正面最高处与最凹处的差值。（见图1.7）图1.7 总指示读数（TIR）和焦平面偏离（FPD）测量示意图FPD焦平面偏离（FPD）是指硅片上距焦平面最高处和最深处到焦平面的距离中远的一个。所有的测试方法都是体现硅片整体的表面情况。污染硅片表面的污染是一个主要关注的问题。硅片生产过程从相对较脏的切片开始到最终进入一净空房结束，硅片要暴露在大量的不同化学品和溶液中，而且硅片还要被放入许多不同的机器进行机械加工，所有这些接触都会导致颗粒沾污。另两个主要的污染是金属和有机物。金属因硅片经过许多机器加工，金属与硅片表面直接接触而被留在硅片表面；有机物则可能来自于任何物体上的油脂或油。在硅片最终被发往客户前，所有的污染都必须被清除。安全在半导体制造的硅片生产阶段，许多安全问题非常类似于在一装备完好设备商店，有高速度的刀片和所有手工滚磨设备。硅片生产中的许多过程是机械导向的，因此，这些有操作危险的过程必须有一定的安全程序。化学方面的危险：硅片的生产要用到许多危险的化学药品，如在敞开式的硅片清洗中用到的HF和KOH。这些化学品的使用像水一样频繁，而且容易被灌输一种错误的安全观念。因此，当在进行与这些化学品相关的工作时，必须确定出所有正确的安全方针。其它还有涉及到各种不同辐射的安全问题。在切片区域，有X-ray源；激光扫描区域，有激光的辐射可能会引起潜在的火灾，甚至使人失明。在这些区域，都应穿着适当的防护服，并应谨慎操作以防发生安全问题。术语表弯曲度（bow）：硅片弯曲度是指硅片中心与一通过靠近硅片边缘的三个基点建立的平面的背离程度。弯曲度是对整个硅片而言。10级（class10）：通常指环境的清洁度时，10级是指每立方英尺空气中0.5m大小的颗粒不超过10个，而且更大的颗粒数更少。这是一个非常洁净的环境。硅胶：一种悬浮的硅土颗粒，细小到无法分辨出各个颗粒，也无法从悬浮液中分离出来。微切伤：是由刀片的颤动而引起的，它是刀片在行进过程中细微的背离，而在硅片上沿着切口留下的细小的脊状损伤。外吸杂：是一种适用在硅片背面的吸杂方法。焦平面背离（FPD）：焦平面背离的测试能说明离硅片正面上任何点的焦平面的最远距离。FPD能衡量整个硅片正表面。吸杂：是一种诱使金属杂质远离硅片正面的方法。雾化：是硅片出现雾气的一个条件。可能由硅片的任何的沾污或损伤而引起。平均载流子寿命：是指在硅体内多数载流子的平均复合时间。Piranha：是一种清洗液，由硫酸（H2SO4）和双氧水（H2O2）组成。之所以起这个名字是因为当上述两种化学品混合时，溶液温度会达到120左右并剧烈沸腾。总指示读数（TIR）：是硅片的正面上距设定参考面最高处与最凹处的距离。TIR能表明整个硅片正面的情况。总厚度超差（TTV）：是指硅片最厚处与最薄处的差值。TTV也是对整个硅片的测试。翘曲度（warp）：是指离硅片中心线最高和最低的差值，是整个硅片的测试。切片切片综述当单晶硅棒送至硅片生产区域时，晶棒已经过了头尾切除、滚磨、参考面磨制的过程，直接粘上碳板，再与切块粘接就能进行切片加工了。为了能切割下单个的硅片，晶棒必须以某种方式进行切割。切片过程有一些要求：能按晶体的一特定的方向进行切割；切割面尽可能平整；引入硅片的损伤尽可能的少；材料的损失尽量少。碳板当硅片从晶棒上切割下来时，需要有某样东西能防止硅片松散地掉落下来。有代表性的是用碳板与晶棒通过环氧粘合在一起从而使硅片从晶棒上切割下来后，仍粘在碳板上。碳板不是粘接板的唯一选择，任何种类的粘接板和环氧结合剂都必须有以下几个特性：能支持硅片，防止其在切片过程中掉落并能容易地从粘板和环氧上剥离；还能保护硅片不受污染。其它粘板材料还有陶瓷和环氧。图2.1说明了碳板与晶棒的粘接。图2.1 粘棒示意图石墨是一种用来支撑硅片的坚硬材料，它被做成与晶棒粘接部位一致的形状。大多数情况下，碳板应严格地沿着晶棒的参考面粘接，这样碳板就能加工成矩形长条。当然，碳板也可以和晶棒的其它部位粘接，但同样应与该部位形状一致。碳板的形状很重要，因为它要求能在碳板和晶棒间使用尽可能少的环氧和尽量短的距离。这个距离要求尽量短，因为环氧是一种相当软的材料而碳板和晶棒是很硬的材料。当刀片从硬的材料切到软的材料再到硬的材料，可能会引起硅片碎裂。这里有一些选择环氧类型参考：强度、移动性和污染程度。粘接碳板与晶棒的环氧应有足够强的粘度，才能支持硅片直到整根晶棒切割完成，因此，它必须能很容易地从硅片上移走，只有最小量的污染。刀片当从晶棒上切割下硅片时，期望切面平整、损伤小、沿特定方向切割并且损失的材料尽量小。有一个速度快、安全可靠、经济的切割方法是很值得的。在半导体企业，两种通常被应用的方法是环型切割和线切割。环型切割通常是指内圆切割，是将晶棒切割为硅片的最广泛采用的方法。内圆切割内圆切割，切割的位置在刀片的表面。刀片是由不锈钢制成的大而薄的圆环。刀片的内侧边缘镀有带钻石颗粒的镍层。这一钻石-镍的镀层提供了用来切割晶棒的表面，对于150mm的硅片，每刀用时3分钟。内圆刀片的构成和厚度对一典型的内圆刀片，其中心部位由约0.005英寸的不锈钢制成，镍-钻石涂层是不锈钢刀片边缘两侧约0.003英寸。内圆刀片的内侧边缘总厚度约为0.0125英寸。这样，材料损失厚度略大于刀片的最厚度，大概在0.013英寸左右。镍-钻石涂层的厚度是内圆刀片的一个重要参数。很明显，这一厚度越小，刀片损失也就越少。但是，如果涂层太薄的话，刀片切下的路径太窄，刀片可能会有更大潜在可能冲击边缘，如果刀片发生任何偏差而撞击到边缘，硅片就会受到损伤，在接下来的步骤中就需要去除更多的材料。因此，有一个最适宜的镍-钻石涂层能得到最低的材料损失。不锈钢有高的延展性能允许刀片有很大的张力，这种强的张力能使刀片绷的很紧很直，从而在切割时能保持刀片平直。另一个有利之处就是它很耐用，能额外使用同一刀片而不需更换，从而使硅片的生产成本降低。这是很重要的因为更换一把刀片需耗时1.5小时左右。对于相同尺寸的晶棒，有一个办法能减小刀片的尺寸，就是在切割前将晶棒滚圆。这个安排有利之处在于内圆切片时，只要通过晶棒一半的路程，因此，不需要如此大的直径。但它会导致碎裂并使硅片中心产生缺陷。随着晶棒直径的增大，内圆切片变得越来越不实用。切片损伤当切片机在切割晶棒时，会引起很多损伤。这一过程会造成硅片产生许多细微破裂和裂纹，这种损伤层的平均厚度约为25-30m。这样的损伤存在于刀片与晶棒接触的任何地方。因为切片接触的是硅片的表面，所以硅片表面存在着许多这样的损伤，这就意味着在接下来的过程中必须清除掉这些损伤，硅片才会有用。刀片偏转硅片弯曲和厚度偏差的主要根源在切片过程。影响硅片形状的最主要因素是切片过程中的刀片偏转。如果刀片在切片时发生振动，那么很有可能在刀片所在一侧的损伤层会比另一侧更深。不同的是，因刀片振动引起的损伤称为切片微分损伤。碎片（刀片退出时）无论任何方式，当刀片切割某种材料即将完成时，刀片在材料底部时，可能会引起材料碎裂，这种现象称为exit chip。碎片的发生是由于在切割的最后阶段，在材料的小区域中存在高的局部应力。当持续施加相同大小的压力在越来越薄的材料上，材料就无法再承受这样的压力。这片材料就开始断裂，材料的碎片就会松散。最小限度（碎片）有两种方法防止碎片的发生，一种方法是在最后阶段，减小刀片施加在硅片上的压力。在最后，可以通过降低刀片进给速率来减小压力。另一个方法是在晶棒外侧位置贴上几片材料，使切割完成。外表面额外材料的增加提供载体有利于切片的完成。这样就减少了硅片较薄边缘的压力，硅片也不会碎裂了。有一防止碎片的系统可供选择，可以消除任何碎片的发生。就是使晶棒直径生长的稍大一点，那么在切片时，即使发生碎片，滚磨去碎裂处，仍有足够的材料。这种方法的应用使晶棒直径大1.3mm左右。切片之后，多余的材料就会被磨去。除了内圆切割外，还有线切割。线切割使用研磨砂浆来切割晶棒，砂浆贴附在接触并进入晶棒的钢线上，钢线会产生压力压迫研磨剂与晶棒接触，这样在砂浆和晶棒间的压力接触使材料被磨去。线切割基本结构很简单，一根小直径的钢线绕在几个导轮上使钢线形成梯形的形状。导轮上有凹槽能确保钢线以一定距离分隔开。一根连续的钢线集中绕导轮的一个个凹槽上，形成许多相同间隔的切割表面。线之间的空间决定了想要的硅片厚度。钢线的移动由线轴控制，整个系统只有一根钢线。线的两端分别绕在线轴上，晶棒慢慢向上（下）移动，穿过钢线，钢线能从晶棒上同时切割下许多硅片。如150mm硅片，整根晶棒的切割完成只需约5-8小时。典型的线切割机使用的钢线直径约在0.006英寸。这么小的尺寸所造成的切片损失只有0.008英寸。单根线通常有100km长，绕在两个线轴上。如此长的钢线的应用使线的单个区域每次都不会与砂浆及晶棒接触很长时间。这种与砂浆接触时间的减少有利于延长钢线的寿命。典型的钢线进给速度在10m/s（22mph），即一根100km长的钢线经过一个方向需10，000秒或约2.75小时。其中一个线导轮由马达驱动，控制整个钢线系统。钢线必须保持一定的张力能压迫砂浆中的磨砂研磨晶棒，并防止导轮上的钢线进给错误。线切割机的钢线与晶棒接触，而砂浆沉积在钢线上。砂浆由碳化硅与油混合而成，或其他一些类似的坚硬材料与液体的混合物。通过钢线的带动，砂浆会对晶棒缓慢研磨，带走晶棒表面少许材料，形成凹槽。钢线的不断移动将凹槽中的材料不断带走，在钢线完全通过晶棒后，砂浆仍随钢线移动。线切割的问题有两种主要的失效模式：钢线张力的错误改变和钢线断裂。如果钢线的张力错误，线切割机就不能有效进行切割了。钢线有任何一点的松动，都会使其在对晶棒进行切割时发生摇摆，引起切割损失，并对硅片造成损伤。低的张力还会发生另一问题，会使钢线导轮发生错误进给。这一错误可能造成对晶棒的错误切割或者使钢线断裂。在切割过程中，钢线可能会从一个凹槽跳到另一个凹槽中，使硅片切割进行到一半。钢线也可能因张力太大，达到它所能承受的极限，导致钢线断裂。如果钢线断裂，可能对硅片造成损伤，并使切割过程停止。断裂的钢线还可能造成众多硅片的断裂。晶向当进行切片时，必须按客户要求沿一个方向切割。所有的客户都希望硅片有一特定的晶向，无论是在一单晶平面还是如果特定的，与平面有特定数值的方向。就要尽可能使硅片的切割接近这一方向。一些制作过程要依靠晶向蚀刻，其它则需要基层的晶向准确。硅片晶向发生任何问题都会引起器件制造问题。因此，必须在切片开始时就检查硅片晶向的正确性。当晶棒粘在切片机上时，以参考面为基础，将晶棒排好。然而，也不能保证切出来的硅片晶向正确，除非先切两片硅片，用X-ray机检查晶向是否正确。如果硅片的晶向错误，那么就要调整切片机上晶棒的位置。切片机有调整晶向的功能。碳板清除切片完成之后，粘在硅片上的碳板需要清除。使硅片与碳板粘合在一起的环氧剂能被轻易地清除。操作时应小心，使硅片边缘不会碎裂，并且保持硅片仍在同一顺序。硅片的原始顺序必须被保持直至激光刻字。 激光刻字经切片及清洗之后，硅片需用激光刻上标识。激光标识一般刻在硅片正面的边缘处，用激光蒸发硅而形成标识。标识可以是希腊字母或条形码。条形码有一好处，因为机器能快速而方便地读取它，但是，人们很难读出。因为激光标识在硅片的正面，它们可能会在硅片生产过程中被擦去，除非刻的足够深。但如果刻的太深，很可能在后面的过程中受到沾污。一般激光刻字的深度在175m左右。通常在激光刻字区域做的是另一任务是根据硅片的物理性能进行分类，通常以厚度进行分类。不符合标准的原因通常有崩边、破损、翘曲度太大或厚度超差太大。边缘倒角倒角使硅片边缘有圆滑的轮廓。这样操作的主要目的是消除切片过程中在硅片边缘尖利处的应力。边缘倒角另外的好处是能清除切片过程中一些浅小的碎片。边缘倒角形态硅片边缘的形状由磨轮形状决定。倒角磨轮有一个子弹头式的研磨凹槽。硅片边缘的轮廓首先是由真空吸头将硅片吸住后旋转而完成的。硅片缓慢旋转，磨轮则以高速旋转并以一定力量压在硅片边缘。通过倒角磨轮沿着硅片边缘形状移动这样的系统来保持磨轮与硅片边缘的接触。这使得参考面也能通过磨轮进行倒角。在硅片旋转几次之后，硅片边缘就能得到磨轮凹槽的形状了。既然硅片的参考面也同时倒角，就有一些问题发生。一个问题是当参考面进行倒角时，可能会被磨去一点。因为参考面是在某些过程中用来进行硅片对齐，这个参考需要被保持。倒角磨轮倒角磨轮是用来进行边缘倒角的一个金属圆盘，直径约为2-4英寸左右。磨轮约0.25英寸厚，有一子弹头式凹槽在圆盘边缘。磨轮的研磨表面是一层镍-钻涂层。倒角原因倒角一个普遍的因素是，这样的边缘能使硅片生产和器件制造阶段都有更高的产率。崩边和断裂当进行硅片边缘倒角时，硅片边缘高应力点被清除。硅片边缘应力的下降使硅片有更高的机械强度。这有利于在处理硅片时对崩边有更强的抵抗力。外延边缘皇冠顶当在硅片上生长外延时，外延层会在有微粒突出和高应力区域生长的更快些。因为在未进行倒角之前，这两种情况存在于硅片边缘，外延层就会趋向于在边缘生长的更快。这就导致在硅片边缘有小的隆起。这个隆起称为外延边缘皇冠顶并且会在以后的器件制作过程引起一些问题。如果硅片的边缘已经倒角，就不会再有高应力点或微粒突起在边缘使外延层得以生长，这就有利于防止外延边缘皇冠顶的形成。边缘光刻胶小珠子光刻胶应用到硅片时，是应用在旋转的硅片上，在硅片上的涂抗蚀剂后，旋转速度会上升，这样使得在硅片上的抗蚀剂甩出，形成均匀一致的薄膜。问题是由于光刻胶表面的张力作用会在硅片尖利的边缘形成小珠。如果硅片没有进行倒角，小珠子就会粘在硅片表面；如果已经倒角了，小珠子就不会在硅片表面形成。术语表切片微损伤（切片痕迹）：是由刀片的振动引起的。在切片过程中，由于刀片的小小振动产生了这样的损伤，在沿着切口的方向留下小的脊状痕迹。切片损失：是在切片过程中，因刀片会切去的材料损失的总量。张力：是用来描述一种材料在负载下的伸展能力。从算术定义来讲，就是与原始长度相比，在长度上的变化程度。应力：是指材料单位面积承受的力量。Swarf：切屑，是指在切片开槽时，削去的材料。可以认为是切片垃圾。抗张强度：是指材料在未完全失效情况下，所能承受的最大压力。yield point：指材料在没有永久变形情况下，能承受的最大压力。磨片、热处理和相关工艺经切片、标识和倒角后，就应准备抛光了。在硅片能进行抛光前，切片损伤必须被清除，接下来，硅片需要腐蚀，以去除磨片造成的损伤。吸杂工艺能抵消金属杂质的影响。硅片边缘的抛光能去除留在硅片边缘的腐蚀坑。然后进行硅片清洗和热处理，再退火以使抵抗稳定。背封工艺能随意采用，通过沉积在重掺杂硅片的背面以防止掺杂剂通常是硼在后面的热处理过程中的逸出。经过上述步骤之后，硅片就能进行抛光了。磨片是使用研磨砂来清除硅片表面的材料和前一步骤留下的损伤。在磨片过程中，在双面行星运动中硅片两面会被同时研磨，一定量的材料将被从两面磨去。这个机械研磨过程磨去硅片的两面的材料。目的磨片的主要目的是将硅片的切片微损伤去除。切片微损伤是对单晶的损伤，来自于切片过程。这种损伤在硅片两面都有，因为硅片的两面都经过了切割。损伤的平均深度大约为25-30m，但有些损伤可能是它的2-3倍深。磨盘的组成磨盘一般由铸铁制成，但也可能是塑料制的。不考虑金属的沾污，使用铸铁可以耐用而且其机械特性能适合磨片。铸铁的硬度使研磨颗粒不会嵌入到盘中，如果颗粒嵌入到磨盘中，就会刮伤硅片表面。这些刮伤在后面的工序中很难去除，铸铁的磨盘也不能太硬，如果磨盘太硬，它会压迫研磨颗粒进入硅片，使硅片增加额外的损伤。磨盘表面和磨液供应磨盘是带齿轮的，齿轮有利于磨液的均匀分配，防止磨盘被淹没，并保持硅片紧贴表面。齿轮还能使磨液在硅片表面流动并均匀分配。如果磨盘上没有齿轮，磨液可能会流到磨盘上，如果磨盘与硅片间有太多的磨液，磨盘会浮在硅片表面的液体上。如果磨盘浮的里表面太远，就不能研磨表面，也就不能将硅片表面的损伤去除掉。如果在磨盘与硅片间的磨液太少，磨盘就会在硅片表面引起新的损伤。所以，齿轮控制磨盘与硅片表面间的磨液量，并且上磨盘的齿轮能将下磨盘锁住。这样防止在磨盘最终分开时，硅片粘在上磨盘上。磨盘旋转计数器上下磨盘按相反方向旋转，磨盘的旋转带动硅片两侧以同样的速度旋转。目的，首先，既然硅片的两侧都以相同速度进行磨片，那么两侧都有相同的材料去除率。第二，硅片两侧有相同的转速相反的方向使硅片能固定位置。所以没有大的压力向一个方向移动硅片或另一个方向。硅片几乎不会因边缘的压力造成断裂。上磨盘还有几个功能，首先是它有一些洞使磨液能流入磨片机。磨液从上磨盘流入，然后流入到机内。另一个功能是上磨盘提供压力给硅片，上磨盘通过气压下降压下，在磨片的第一个循环中，压力比较小，使硅片上高起的点先被磨去，使磨液均匀分配在机内。然后，压力逐步上升到正常操作的压力。硅片厚度为了更精确地控制磨片厚度，磨片机上有装一个厚度测试系统。一种能在磨片时测试硅片厚度的方法是通过使用一压电材料与硅片同时研磨。因为压电材料的磨去率与硅片的相同，电讯号的频率就会发生变化。当频率对应到设定的厚度时，机器就会停止，但，每次磨完以后，必须将压电带放回原处，这样才会反映出硅片的厚度。硅片表面的去除使用一种含研磨砂的悬浮液组成的磨液来研磨硅片表面。典型的研磨砂是由9m大小的经煅烧的氧化铝颗粒组成。这种颗粒悬浮在水和添加剂的混合液中，添加剂一般为丙三醇（甘油）。混合液有利于保持研磨砂的悬浮并均匀散布。悬浮液中的研磨砂压迫硅片表面并使其磨损，去除硅片表面的物质，这样能将表层的切片损伤清除掉。整个过程会磨去75-100m的表层。在最终磨片结束时，硅片的平整度是最平整的，以后的步骤都会使其平整程度下降。磨片之后，硅片表面残留有许多磨片过程中产生的硅的颗粒，这种颗粒尺寸很小，并会引起一些问题。如果要烘干硅片，颗粒会粘在硅片表面，而一旦这样粘住，就很难再去除掉。所以，硅片必须保持湿润，直至表面颗粒被清除。应力释放腐蚀硅片磨片之后，仍有一薄层损伤层，还需通过其它方法来清除磨片带来的损伤。通常通过化学腐蚀硅片表面的方法来清除这种损伤。腐蚀的方法有两种：碱腐蚀和酸腐蚀。当硅片进行腐蚀时，需要有一清洁的表面。如果硅片表面有沾污，会潜在地充当了腐蚀的面具。当进行酸腐蚀时，酸先与表面的颗粒接触，将其慢慢腐蚀去除，因此就象一张面具影响了酸与硅快速接触。这就会使该区域与硅片表面其它区域腐蚀程度不一致。所以，硅片在腐蚀前必须进行清洗。典型的清洗方法是将硅片放在Teflon的片盒中，浸入含H2SO4和双氧水的溶液中，这会清除硅片表面的有机物；然后将硅片浸到氢氟酸中，HF会清除表面任何的硅末；在硅片进行清洗后，就可以进行腐蚀了，而且会腐蚀得均匀一致。碱腐蚀硅片腐蚀的一种方法是使用碱性氢氧化物如氢氧化钾（KOH）。用这种方法，硅片浸在45%的KOH和55%纯水的溶液中大约2分钟，通常在高温（约100）KOH溶液中。然后，再将硅片浸入纯水以阻断KOH与硅片表面之间的继续反应。KOH与硅片的基本反应如下：Si + 2H2O + 2KOH 2H2 + Si(OH)2(O)2 +2K+酸腐蚀用于酸腐蚀的一般混合物是HNO3和HF。在任何情况下，酸腐蚀是一个强烈的过程，而不会在某个平面存在自限制过程。酸浴的局部腐蚀速率会因局部化学品的损耗而变化。因为硅片的周围都在竞争酸液，硅片中心有腐蚀剂不充足的趋向，这会使供给硅片中心的酸液损耗，反应稍微降低。另一方面，靠近硅片边缘处，没有如此多的硅来竞争酸液，因此有充足的酸液提供，这就使反应速率在硅片边缘处达到一较高速率。这种在腐蚀速率上的差异会引起硅片象“枕头”，换句话说，硅片中心厚度略厚于边缘。酸腐蚀（HNO3和HF）的基础反应如下：Si(s) + 4HNO3(l) SiO2(s) + 4NO2(g) + 2H2O(l) SiO2(s) + 6HF(l) H2SiF6(aq) + 2H2O(l)这个反应的一个产物是NO2，是一种气体，所以，必须采取预防措施控制它的释放。为了满足环境法律，NO2通常会用化学淋洗来消除它的释放。两种腐蚀方法都有各自的优缺点，表3.1列出了碱腐蚀和酸腐蚀的优缺点。碱腐蚀酸腐蚀优先腐蚀没有优先腐蚀表面有腐蚀坑无腐蚀坑同一批腐蚀速率不变（化学量固定）变化的腐蚀速率自限制，易于控制非自限制，难控制有一平整表面会引起“枕头”形不会对环境释放有害气体会释放有害气体，必须净化吸杂简介吸杂是一个将杂质和一些会延伸的点缺陷从硅片的器件制作区域移走的过程。最重要功能的是移走金属杂质，如金、铜、镍、铁等等来自硅片正表面器件制作区域。金属杂质会降低影响器件性能的少数载流子的寿命。如果陷入，金属原子还会形成缺陷中心，使器件性能等级下降。所以，吸杂在半导体工艺中是一个重要的过程。吸杂可广义地分为两类：1、外吸杂；2、内吸杂。外吸杂：是通过从外界导入一有效方法来完成。可以有不同手段，如：a. 背损伤 b.背面薄膜淀积（主要为多晶硅） c.背面重磷扩散内吸杂：是由在热处理过程中氧原子影响形成的位错环产生。氧原子需有最小浓度，才能产生吸杂。其浓度约为11018atomscm-3。通过CZ法拉制出的硅单晶至少有这个氧含量。然而，用FZ拉制的硅单晶一般小于此浓度，在这种情况下，就不能提供内吸杂。步骤氧来吸杂有三个步骤。第一步是将硅加热到1100，