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电子电工知识电阻器标称阻值及精度的色标符号 A B C D颜色 第一位数 第二位数 应乘位数 允许偏差黑 0 1001 棕 1 1 10110 1红 2 2 102100 2橙 3 3 1031000 黄 4 4 10410000 绿 5 5 105100000 0.5蓝 6 6 1061000000 0.25紫 7 7 10710000000 0.1灰 8 8 108100000000 白 9 9 1091000000000 金 10-10.1 5银 10-20.01 10无色 20半导体器件的型号由五个部分组成：第一部分：用数字表示器件的电极数目第二部分：用字母表示器件的材料和极性第三部分：用字母表示器件的类型第四部分：用数字表示序号第五部分：用字母表示规格号示例：锗PNP型高频小功率三极管 3AG11C 3 A G 11 C三极管 PNP型，锗材料 高频小功率 序号 规格号第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分用数字表示器 用字母表示器件 用字母表示器件 件的电极数目 的材料和极性 的类型符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 2 二极管 A N型,锗材料 P 普通管 D 低频大功率管 （fc3MHz, Pc1W） V 微波管3 三极管 B P型, 锗材料 W 稳压管 A 高频大功率管 (fa3MHz, Pc1W） C N型, 硅材料 C 参量管 T 半导体闸流管 （可控整流器） D N型, 硅材料 Z 整流器 Y 体效应器件 A PNP型, 锗材料 S 隧道管 B 雪崩管 B NPN型, 锗材料 N 阻尼管 J 阶跃恢复管 C PNP型, 硅材料 U 光电器件 CS 场效应器件 D NPN型, 硅材料 K 开关管 BT 半导体特殊器件 E 化合物材料 X 低频小功 FH 复合管率管(fa PIP PIP型管3MHz,Pc1W）G 高频小功 JG 激光器件 率管(fa3MHz,Pc1W） 半导体特殊器件、复合管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分。因数词头名称符号因数词头名称符号原文（法）中文原文（法）中文109giga 吉 G10-2centi 厘c106 mga 兆 M10-3milli 毫m103 kilo 千 k10-6micro 微 102 hecto 百 h10-9nano 纳n101 dca 十 da10-12pico 皮p光速c3.00108m/s 电子的质量:me9.110-31 分子大小的数量级为10-10m万有引力常量G6.6710-11N./ 阿伏伽德罗常量NA6.021023mol-1静电力恒量k=9.0109N./C 基本电荷量：e=1.6010-19C质子的质量：mp=1.6710-27 中子的质量：mn=1.6710-27粒子的质量：m=6.6410-27 原子质量单位1u=1.6610-27普朗克常量：h=6.6310-34J.s 氢原子的玻尔半径：r0=5.310-11m 材料名称电阻率（.mm/m）20时平均电阻温度系数0100（1/c）银0.01590.0038铜0.01690.0040铝0.02650.00423铁0.09780.0050钨0.05480.0045钢0.130.250.006康铜0.40.510.000005锰铜0.420.000006黄铜0.070.080.002镍铬合金1.10.00015铁铬铝合金1.40.00028电阻率（20时） 材 料电阻率（.m）材 料电阻率（.m） 铜1.710-8 钨5.510-8 银1.610-8 锰 铜 4.410-7 铝2.810-8 康 铜4.810-7 铁1.010-7 碳3.510-5电阻(resistance) 电阻R,单位欧姆，电阻定律：R=(L/S)。 材料的电阻率，单位为.mm/mL导体的长度，单位为mS导体的截面积，单位为mm电阻的倒数称为电导G(conductance)，是表征材料导电能力的一个参数，单位西门子(simens),简称西S. G=1/R电路欧姆定律：I=U/R 电流I(current)单位安培A(ampere)，电压U(voltage)单位伏特V(volt)电功率(power)简称功率P，单位瓦特(Watt)W，直流功率P=UI 电容(capacitance)C, 单位法拉F(farad),常用微法(F)=10-6F与皮法(pF)=10-12F. C=q/uq电荷量电感L， 单位亨利H,1H=1.s(欧.秒), 1mH=10-3H, 1H=10-6L=(N/l)S 长为l，匝数为N,截面积为S, 磁导率(permeability)为单位H/m（亨利/米），r=/0 相对磁导率为/0 ， 0 410-7H/m 磁路的欧姆定律：F=Um/Rm 磁位差Um =Hl 磁阻Rm=l/S 磁通F 磁路的基尔霍夫第一定律：SF0磁路的基尔霍夫第二定律：S( Hl)= S(NI)理想变压器的电压比：U/U=N/N=n (n 1降压变压器, n 1升压变压器)N原绕组匝数；N副绕组匝数；U初级绕组的端电压；U次级电压；若铁心中的磁通(magnetic flux)为：FFmsin wt,初级绕组的端电压U=4.44N1Fm , 磁通F在次级绕组中感应的次级电压U2=4.44N2Fm理想变压器的电流比：U I= U II/I= U/ U=N/N=1/ n原绕组电流I和副绕组电流I，与它们的端电压成反比，与其匝数也成反比。因而，高压端的电流小，导线细；低压端的电流大，导线粗。理想变压器的阻抗变换：Zab= nZL负载阻抗ZL；复阻抗Zab 国际基本单位：长度：米m;质量：千克kg；时间：秒s；电流：安培A；热力学温度：开尔文K；物质的量：摩尔mol；发光强度：坎德拉cd；电荷量：库仑C,1C=1As；力：牛顿N,1N=1kgm/s;功率：瓦特W,1W=1J/s；电压：伏特V,1V=1W/A半导体(semiconductor)二极管(diode)：二极管 稳压二极管 发光二极管 光电二极管 变容二极管半导体二极管有两个电极，由P型(P type)半导体引出的是正极（又叫阳极(anode)），由N型(N type)半导体引出的是负极（又叫阴极(cathode)）。二极管最重要的性能就是单向导电性。半导体三极管(transistor)：NPN型 PNP型半导体三极管又叫晶体三极管，简称三极管。是放大电路的基本元件之一。三极管的内部结构为两个PN结(PN junction)。这两个PN结是由三层半导体区形成的，以排列的方式，可分为NPN型和PNP型两种类型。在三层半导体区中，位于中间的一层半导体区叫基区，由基区引出的电极叫基极b(Base)；其中一侧的半导体区专门用来发射载流子(carrier)的叫发射区,由发射区引出的叫发射极e(Emitter);另一侧专门用来收集载流子的叫集电区,由集电区引出的叫集电极c(Collector)。场效应管：结型N沟道耗尽型 结型P沟道耗尽型 绝缘栅N型耗尽型绝缘栅N型增强型 绝缘栅P型耗尽型 绝缘栅P型增强型场效应管FET(Field Effect Transistor)是一种电压控制型半导体器件。优点是输入电阻非常高(10M以上)，能满足高内阻的信号源对放大器的要求，是较理想的前置输入级器件。具有功耗低、制造工艺简单、便于集成化以噪声(noise)低、热稳定性好、抗辐射能力强等优点。以结构，可分为结型JFET(Junction Field Effect Transistor)和绝缘栅型IGFET(Insulated Gate Field Effect Transistor)两大类。结型的输入电阻一般可达106109,由于该电阻是PN结的反向电阻，PN结反偏时总有一些反向电流存在，而且还受到温度的影响，限制了输入电阻的进一步提高。绝缘栅场效应管的栅极和沟道是绝缘的，它的输入电阻可高达109以上。目前应用最广的金属氧化物半导体场效应管，简称MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)管,除输入电阻高外，还具有便于大规模集成化的优点，这种场效应管已成为大规模数字集成电路的结构基础。结型(jiunction type)场效应管的内部结构，在N型半导体两侧是两个高掺杂的P区，从而构成两个PN结（耗尽层），两个耗尽层的中间形成N型导电沟道。两侧P区相联接后引出的一个电极称为栅极g(gate),在N型半导体两端分别引出的两个电极称为源极s(source),和漏极d(drain)。场效应管和普通三极管相比，则源极s相当于发射极c，栅极g相当于基极b，漏极d相当于集电极c。三极管有NPN型和PNP型，结型场效应管也有N沟道型和P沟道型。绝缘栅型(insulated gate type)MOS管除了有N沟道和P沟道之分外，还有增强型和耗尽型之分场效应管恒流源和恒流二极管场效应管恒流源 恒流二极管场效应管恒流源可制成恒流二极管。在稳压电源和模拟集成电路中，具有较大的动态电阻的恒流二极管常用作有源负载或保持偏置电流的稳定。场效应管和普通晶体三极管结合使用：LY480型高阻抗复合管的内部电路(直接耦合) 高阻抗复合管符号为了弥补场效应管跨导低、输出电阻较高的缺点，常常与普通三极管结合使用，互相取长补短，组成高增益、高输入电阻、低输出电阻的多级放大电路。场效应管与普通三极管间的耦合，可以采用阻容耦合或直接耦合电路。石英晶体振荡器：石英晶体符号 石英晶体等效电路石英钟中有个“电子摆”石英晶体振荡器，简称“晶振”。和一般的LC振荡器比较，晶振具有极高的频率稳定度，精度高。晶振还广泛用于标准频率发生器、脉冲计数器及电子计算机中的时钟信号发生器等精密设备中。晶闸管：晶闸管符号 晶闸管等效电路在电子技术发展的早期（电子管时期），有一种叫做闸流管，它是一种充气的电子、离子导电器件。它的栅极象闸门一样能够控制大电流的流通，因此被称为闸流管。半导体技术的发展，出现了体积小、功耗低性能优越的硅晶体闸流管（简称晶闸管）使电子管式闸流管渐被取代。晶闸管(Thyristor)又称可控硅SCR(Silicon Controlled Rectifier)，是一种应用十分广泛的半导体功率开关器件。晶闸管可用作可控整流、交流调压、无触点开关（继电器）及大功率变频和调速系统中的重要器件。和大功率晶体三极管比，具有效率高、电流容量大、使用方便而经济等优点。晶闸管有普通单向和双向晶闸管、可关断晶闸管、光控晶闸管等。阳极a，阴极k，控制极g.单结晶体管UJT(unijunction transistor):单结晶体管符号 单结晶体管等效电路单结晶体管的外形很象晶体三极管，也有三个电极，称为发射极e，第一基极b1，第二基极b2，所以又叫双基极二极管。双向晶闸管：双向晶闸管 双向触发二极管利用双向晶闸管和简单的触发电路，可以组成用途广泛的电子交流调压电路。交流调压电路有多种形式，其中双向晶闸管KS和双向触发二极管ST构成多功能交流无触点调压器，可用于调光、调速以及各种加热器的调温装置中。双向晶闸管KS是一种新型的半导体三端器件，具有相当于两个普通晶闸管反向并联工作的作用。双向触发二极管又叫双向二极管，它的正、反向伏特性与双向晶闸管相似，但没有控制极。多功能电子交流调压电路滤波电路：电容滤波电路：优点：1.输出电压高；2.在小电流时滤波效果较好。 缺点：1.负载能力差；2.电源接通瞬间因充电电流很大，整流管要承受很大正向浪涌电流。 使用场合:负载电流较小的场合。电感滤波电路：优点：1.负载能力较好；2.对变动的负载滤波效果较好；3.整流管不会受到浪涌电流的损害。 缺点：1.负载电流大时扼流圈铁心要很大才能有较好的滤波效果；2.输出电流较低；3.变动的电流在电感上的反电势可能击穿半导体器件。 使用场合：适宜于负载变动大，负载电流大的场合。在可控硅整流电流中用