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DIY新手入门宝典 教你如何分辨产品重要参数 2006年12月11日15:33 天极yesky猪猪前言：PC主机上的各种配件都有着相当多的技术参数指标，整套系统中包含了数万个专业名词和数据，这些过于庞大负责的数据，对于刚入门的新丁来说，无异于天书。而在实际的购买过程中，JS往往满口数据对用户进行忽悠，一知半解的用户往往被这些听上去有点美的产品迷惑，屡屡中招。今天，我们将去粗存精的给大家讲解一些在购买中最常遇到的PC配件重要参数，只要掌握好这些简单的数据，走遍卖场，JS的花言巧语也对您束手无策。CPU重要参数详解主频经常听人家说：“这个计算机速度是多少？”其实这个多少就是泛指的频率，是指CPU的主频，主频也叫时钟频率，单位是MHz，用来表示CPU的运算速度。CPU的主频外频倍频系数。很多人以为认为CPU的主频指的是CPU运行的速度，实际上这个认识是很片面的。CPU的主频表示在CPU内数字脉冲信号震荡的速度，与CPU实际的运算能力是没有直接关系的。当然，主频和 实际的运算速度是有关的，但是目前还没有一个确定的公式能够实现两者之间的数值关系，而且CPU的运算速度还要看CPU的流水线的各方面的性能指标。由于主频并不直接代表运算速度，所以在一定情况下，很可能会出现主频较高的CPU实际运算速度较低的现象。因此主频仅仅是CPU性能表现的一个方面，而不代表CPU的整体性能。外频外频是CPU的基准频率，单位也是MHz。外频是CPU与主板之间同步运行的速度，而且目前的绝大部分电脑系统中外频也是内存与主板之间的同步运行的速度，在这种方式下，可以理解为CPU的外频直接与内存相连通，实现两者间的同步运行状态。外频与前端总线(FSB)频率很容易被混为一谈，下面的前端总线介绍我们谈谈两者的区别。倍频系数倍频系数是指CPU主频与外频之间的相对比例关系。在相同的外频下，倍频越高CPU的频率也越高。但实际上，在相同外频的前提下，高倍频的CPU本身意义并不大。这是因为CPU与系统之间数据传输速度是有限的，一味追求高倍频而得到高主频的CPU就会出现明显的瓶颈效应-CPU从系统中得到数据的极限速度不能够满足CPU运算的速度。前端总线(FSB)前端总线(FSB)频率(即总线频率)是直接影响CPU与内存直接数据交换速度。由于数据传输最大带宽取决于所有同时传输的数据的宽度和传输频率，即数据带宽(总线频率数据带宽)/8。外频与前端总线(FSB)频率的区别：前端总线的速度指的是数据传输的速度，外频是CPU与主板之间同步运行的速度。也就是说，100MHz外频特指数字脉冲信号在每秒钟震荡一千万次；而100MHz前端总线指的是每秒钟CPU可接受的数据传输量是100MHz64bit8Byte/bit=800MB/s。超线程技术(Hyper-Threading Technology)超线程技术(Hyper-Threading Technology)是Intel公司在2002年发布的一项新技术。Intel率先在XERON处理器上得到应用。“超线程”技术就是通过采用特殊的硬件指令，可以把两个逻辑内核模拟成两个物理芯片，在单处理器中实现线程级的并行计算，同时在相应的软硬件的支持下大幅度的提高运行效能，从而实现在单处理器上模拟双处理器的效能。其实，从实质上说，超线程是一种可以将CPU内部暂时闲置处理资源充分“调动”起来的技术。Hyper Transport相对于Intel的Hyper-Threading Technology技术，AMD也有自己的类似提高CPU工作效能的技术，名为Hyper Transport。HyperTransport是一种新型、高速、高性能的为主板上的集成电路互联而设计的端到端总线技术，它可提供比目前的技术更宽的带宽和更短的反应时间，并与标准的PC总线相适应。HyperTransport最突出的技术特点在于其6.4GB/s的高速传输速度。HyperTransport由两条端到端的单向数据传输路径组成(一条为输入、一条为输出)。两条单向传输路径的数据带宽是可以根据数据量的大小而弹性改变，最低的有2位，可以调节为4位、8位、16位和32位，HyperTransport运行在400MHz的时钟频率下，但是使用的是与DDR SDRAM相同的双时钟频率触发技术，所以在400MHz的额定频率下，与工作在800MHz的效能相当，正是如此每个数据的资料传输路径最高可以有800Mbps。如果这样来计算，当输入输出的资料输出路径都设置到最高的32位时，然后以全速度400MHz DDR(相当于800MHz)的时钟频率运行，这时数据最高的传输率就实现了6.4GB/s。但是当传输的数据路径的数据宽度降低为非32位时，那么传输数据的速度也自然下降。不过HyperTransport还有一大特色就是当数据宽度为非32位时，可以分批传输数据来达到与32位相同的效果，比如说16位的数据就分两批传输，在使用8位数据时就分4批传送，这种分包传输数据的方法，给了HyperTransport更大的弹性空间。Hyper Transport技术另一个特点在于数据高速传输过程中的分段操作上。说得通俗一点，就是根据实际传输的外部条件，以及需要传输的对象条件来进行合理的单位化传输。合理利用总线的宽度，将宽度较大的数据分段成为若干个宽度较小的数据进行同批次传输，这样可以在一个时间段内同时传输一个带宽较大的数据。这样的弹性操作，给数据的快速传输带来了革命性的改良，全面提升了系统的实际传输性能。 内存重要参数详解时序内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。 2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误，因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。CMD RateCommand Rate译为“首命令延迟”，这个参数的含义是片选后多少时间可以发出具体的寻址的行激活命令，单位是时钟周期。片选是指对行物理Bank的选择(通过DIMM上CS片选信号进行)。如果系统指使用一条单面内存，那就不存在片选的问题了，因为此时只有一个物理Bank。用更通俗的说法，CMD Rate是一种芯片组意义上的延迟，它并不全由内存决定，是由芯片组把虚拟地址解释为物理地址。不难估计，高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大，其CMD延迟肯定比只有单条内存的系统大，即使是双面单条。Intel对CMD这个问题就非常敏感，因此部分芯片组的内存通道被限制到四个Bank。这样就可以比较放心地把CMD Rate限定在1T，而不理用户最多能安装多少容量的内存。宣扬CMD Rate可以设为1T实际上多少也算是一种误导性广告，因为所有的无缓冲(unbuffered)内存都应具有1T的CMD Rate，最多支持四个Bank每条内存通道，当然也不排除芯片组的局限性。tRAStRAS在内存规范的解释是Active to Precharge Delay，行有效至行预充电时间。是指从收到一个请求后到初始化RAS(行地址选通脉冲)真正开始接受数据的间隔时间。这个参数看上去似乎很重要，其实不然。内存访问是一个动态的过程，有时内存非常繁忙，但也有相对空闲的时候，虽然内存访问是连续不断的。tRAS命令是访问新数据的过程(例如打开一个新的程序)，但发生的不多。接下来几个内存时序参数分别为CAS延迟，tRCD，以及tRP，这些参数又是如何影响系统性能的呢？CASCAS意为列地址选通脉冲(Column Address Strobe 或者Column Address Select)，CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间，通常为2，2.5，3这个几个时钟周期。在整个内存矩阵中，因为CAS按列地址管理物理地址，因此在稳定的基础上，这个非常重要的参数值越低越好。过程是这样的，在内存阵列中分为行和列，当命令请求到达内存后，首先被触 发的是tRAS (Active to Precharge Delay)，数据被请求后需预先充电，一旦tRAS被激活后，RAS才开始在一半的物理地址中寻址，行被选定后，tRCD初始化，最后才通过CAS找到精确的地址。整个过程也就是先行寻址再列寻址。从CAS开始到CAS结束就是现在讲解的CAS延迟了。因为CAS是寻址的最后一个步骤，所以在内存参数中它是最重要的。tRCD根据标准tRCD是指RAS to CAS Delay(RAS至CAS延迟)，对应于CAS，RAS是指Row Address Strobe，行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的，存在着延迟。然而，这个参数对系统性能的影响并不大，因为程序存储数据到内存中是一个持续的过程。在同个程序中一般都会在同一行中寻址，这种情况下就不存在行寻址到列寻址的延迟了。tRPtRP指RAS Precharge Time ，行预充电时间。也就是内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。简单而言，在依次经历过tRAS， 然后 RAS， tRCD， 和CAS之后，需要结束当前的状态然后重新开始新的循环，再从tRAS开始。这也是内存工作最基本的原理。如果你从事的任务需要大量的数据变化，例如视频渲染，此时一个程序就需要使用很多的行来存储，tRP的参数值越低表示在不同行切换的速度越快。颗粒封装技术1、SIMM(Single Inline Memory Module，单内联内存模块) 内存条通过金手指与主板连接，内存条正反两面都带有金手指。金手指可以在两面提供不同的信号，也可以提供相同的信号。SIMM就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构，它多用于早期的FPM和EDD DRAM，最初一次只能传输8bif数据，后来逐渐发展出16bit、32bit的SIMM模组，其中8bit和16bitSIMM使用30pin接口，32bit的则使用72pin接口。在内存发展进入SDRAM时代后，SIMM逐渐被DIMM技术取代。 2、DIMM DIMM与SIMM相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用DIMM，SDRAM 的接口与DDR内存的接口也略有不同，SDRAM DIMM为168Pin DIMM结构，金手指每面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁；DDR DIMM则采用184Pin DIMM结构，金手指每面有92Pin，金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。DDR2 DIMM为240pin DIMM结构，金手指每面有120Pin，与DDR DIMM一样金手指上也只有一个卡口，但是卡口的位置与DDR DIMM稍微有一些不同，因此DDR内存是插不进DDR2 DIMM的，同理DDR2内存也是插不进DDR DIMM的，因此在一些同时具有DDR DIMM和DDR2 DIMM的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。 3、RIMM RIMM是Rambus公司生产的RDRAM内存所采用的接口类型，RIMM内存与DIMM的外型尺寸差不多，金手指同样也是双面的。RIMM有也184 Pin的针脚，在金手指的中间部分有两个靠的很近的卡口。RIMM非ECC版有16位数据宽度，ECC版则都是18位宽。由于RDRAM内存较高的价格，此类内存在DIY市场很少见到，RIMM接口也就难得一见了。 电源重要参数详解功率实际上，ATX电源的各路输出不可能同时达到标称的最大输出电流，因此我们可以在电源铭牌上看到诸如+5V&+3.3V：145W，+5V、+3.3V&+12V：240W这样的指标，这表示+5V和 +3.3V最大联合输出为145W，+5V、+3.3V和+12V最大联合输出为240W。如果按表1的数据进行计算，这个值却达到了338W，大大超过了240W的限制。显然，通过简单的累加来计算电源的额定功率是完全错误的。通常情况下，我们经常提到的电源的功率一般指电源的额定输出功率，但是除了标注额定功率外，还有最大功率。额定功率电源的额定功率并没有一个具体的计算公式。电源额定功率的标定往往采用交叉负载测试的方式，实验是通过检测电源的各路主电压的负载压降和纹波系数来得出各路输出电压的最大电流的。具体方法是这样的：在不超过该路输出的最大电流的前提下，逐渐减小其负载电阻，同时测量其负载压降和纹波系数，当其负载压降和纹波系数超出允许的范围时，记录此时的电流值作为最大工作电流。记录各路输出的最大工作电流，然后与Intel制定的功率标准进行对比，从而确定电源的额定输出功率。最大输出功率最大输出功率是指电源稳定工作时能够输出的最大功率。一款额定功率200W的电源，实际工作输出并不一定低于200W，可能要高出一些，毕竟额定功率的标定与实际使用的环境是有一定区别的。峰值功率峰值功率是指电源短时间内(一般为30秒)能够提供的功率，但电源不能长时间工作在这种极端的状态。通常情况下电源峰值功率可以超过最大输出功率50%左右，由于硬盘在启动状态下汲取的电路远远大于其正常工作时的值，因此系统经常利用这一缓冲为硬盘提供启动所需的电流，启动到全速后就会恢复到正常水平。现在有很多品牌的电源都不标注实际的输出功率，而是提供一个“300XX”之类的型号来给经销商发挥。既然无法单单依靠电源铭牌上的电压电流数据来准确计算电源的额定功率，那如何去判断电源的额定输出功率有多大呢？当然，最准确的方法是加负载进行测试，但这只有生产厂家能够做到。作为普通消费者，我们可以根据ATX电源设计标准来判断电源的大致功率是多少。 显卡重要参数详解核心频率显卡的核心频率是指显示核心的工作频率，其工作频率在一定程度上可以反映出显示核心的性能，但显卡的性能是由核心频率、显存、像素管线、像素填充率等等多方面的情况所决定的，因此在显示核心不同的情况下，核心频率高并不代表此显卡性能强劲。在同样级别的芯片中，核心频率高的则性能要强一些，提高核心频率就是显卡超频的方法之一。显示芯片主流的只有ATI和NVIDIA两家，两家都提供显示核心给第三方的厂商，在同样的显示核心下，部分厂商会适当提高其产品的显示核心频率，使其工作在高于显示核心固定的频率上以达到更高的性能。 显存频率显存速度一般以ns(纳秒)为单位。常见的显存速度有7ns、6ns、5.5ns、5ns、4ns，3.6ns、2.8ns以及2.2ns。显存的理论工作频率计算公式是：额定工作频率(MHz)1000/显存速度n得到(n因显存类型不同而不同，如果是SDRAM显存，则n=1；DDR显存则n=2；DDR显存则n=4)。 显存容量显卡容量也叫显示内存容量，是指显示卡上的显示内存的大小。显示内存的主要功能在将显示芯片处理的资料暂时储存在显示内存中，然后再将显示资料映像到显示屏幕上，显示卡欲达到的分辨率越高，屏幕上显示的像素点就越多，所需的显示内存也就越多。而每一片显示卡至少需要具备512KB的内存，显示内存可以说是随着3 D加速卡的演进而不断地跟进。而显示内存的种类也由早期的DRAM到现在广泛流行的SDRAM及DDR，甚至DDR2/DDR3。 显存位宽显存位宽是显存在一个时钟周期内所能传送数据的位数，位数越大则瞬间所能传输的数据量越大，这是显存的重要参数之一。目前市场上的显存位宽有64位、128位和256位三种，人们习惯上叫的64位显卡、128位显卡和256位显卡就是指其相应的显存位宽。显存位宽越高，性能越好价格也就越高，因此256位宽的显存更多应用于高端显卡，而主流显卡基本都采用128位显存。大家知道显存带宽显存频率X显存位宽/8，那么在显存频率相当的情况下，显存位宽将决定显存带宽的大小。比如说同样显存频率为500MHz的128位和256位显存，那么它俩的显存带宽将分别为：128位500MHz*1288=8GB/s，而256位500MHz*2568=16GB/s，是128位的2倍，可见显存位宽在显存数据中的重要性。显卡的显存是由一块块的显存芯片构成的，显存总位宽同样也是由显存颗粒的位宽组成。显存位宽显存颗粒位宽显存颗粒数。显存颗粒上都带有相关厂家的内存编号，可以去网上查找其编号，就能了解其位宽，再乘以显存颗粒数，就能得到显卡的位宽。这是最为准确的方法，但施行起来较为麻烦下面教大家一个较为简便，但只适应于一般情况，存在一些特殊情况，在大部分情况下能适用。目前显存的封装形式主要有TSOP和BGA两种，一般情况下BGA封装的显存是32位/颗的，而TSOP封装的颗粒是16位？/颗的。如果显卡采用了四颗BGA封装的显存，那么它的位宽是128位的，而如果是八颗TSOP封装颗粒，那么位宽也是128位的，但如果显卡只采用了四颗TSOP封装颗粒，那么显存位宽就只有64位。这只是一个一般情况下的技巧，不一定符合所有的情况，要做到最为准确的判断，还是察看显存编号吧。 液晶显示器重要参数详解尺寸 是指液晶显示器屏幕对角线的长度，单位为英寸，对于液晶显示器由于标称的尺寸就是实际屏幕显示的尺寸，所以15英寸的液晶显示器的可视面积接近17英寸的纯平显示器。现在的主流产品主要以17寸和19寸为主。最佳分辨率(真实分辨率) 液晶显示器属于“数字”显示方式，其显示原理是直接把显卡输出的模拟信号处理为带具体地址信息的显示信号，任何一个像素的色彩和亮度信息都是跟屏幕上的像素点直接对应的，正是由于这种显示原理，所以液晶显示器不能象CRT显示器那样支持多个显示模式，液晶示器只有在显示跟该液晶显示板的分辨率完全一样的画面时才能达到最佳效果。而在显示小于最佳分辨率的画面时，液晶显示则采用两种方式来显示，一种是居中显示，比如在显示1024*768次分辨率时，显示器就只是以其中间那1024*768个像素来显示画面，周围则为阴影，这种方式由于信号分辨率是一一对应，所以画面清晰，唯一遗憾就是画面太小。另外一种则是扩大方式，就是将该800*600的画面通过计算方式扩大为1024*768的分辨率来显示，由于此方式处理后的信号与像素并非一一对应，虽然画面大，但是比较模糊。对比度液晶显示器的对比度实际上就是亮度的比值，定义是：在暗室中，白色画面(最亮时)下的亮度除以黑色画面(最暗时)下的亮度。更精准地说，对比度就是把白色信号在100%和0%的饱和度相减，再除以用Lux(光照度，即勒克斯，每平方米的流明值)为计量单位下0%的白色值(0%的白色信号实际上就是黑色)，所得到的数值。对比度是最黑与最白亮度单位的相除值。因此白色越亮、黑色越暗，对比度就越高。对比度是液晶显示器的一个重要参数，在合理的亮度值下，对比度越高，其所能显示的色彩层次越丰富。响应时间响应时间是液晶显示器的一个重要的参数，指的是液晶显示器对于输入信号的反应时间，组成整块液晶显示板的最基本的像素单元液晶盒，在接受到驱动信号后从最亮到最暗的转换是需要一段时间的，而且液晶显示器从接收到显卡输出信号后，处理信号，把驱动信息加到晶体驱动管也是需要一段时间，在大屏幕液晶显示器上尤为明显.液晶显示器的这项指标直接影响到对动态画面的还原。目前技术上的突破，1nms响应时间的液晶显示器已经问世使得液晶显示器响应时间已经不再成为瓶颈。可视角度 很多读者第一眼看到液晶显示器，可能会觉得液晶显示器的颜色怪怪的，在不同的角度观看的颜色效果并不相同，这是由于某些低端的液晶显示器可视角度过低导致失真.液晶显示器属于背光型显示器件