国标UHF频段RFID射频测试.docx

中国UHF频段RFID射频测试 RFID（Radio Frequency Identification）就是射频识别，是一项复杂的应用技术。它不仅涵盖了微波和电磁理论，还涉及通信原理以及半导体集成电路等技术，可以说是一项多学科融合的新兴应用技术。现在RFID技术已经广泛应用在工业、商业、交通运输控制管理等等众多领域，但目前RFID的国际标准和频率并不统一，一般我们可分为低频和高频不同系统。低频系统一般指其工作频率小于30MHz，典型的工作频率有：125KHz、225KHz、13.56M等，这些频点应用的射频识别系统一般都有相应的国际标准予以支持。高频系统一般指其工作频率大于400MHz， 典型的工作频段有：2450MHz、5800MHz等。高频系统在这些频段上也有众多的国际标准予以支持。高频系统的基本特点是标签内保存的数据量较大、阅读距离较远（可达几米至十几米），适应物体高速运动性能好、阅读天线及电子标签天线均有较强的方向性。 2007年我国已经发布了对RFID读写器设备射频指标进行型号核准测试的技术规范。另外RFID设备的性能测试标准、空中接口协议标准、数据格式标准等都在积极研究、完善当中。对于UHF频段的RFID射频测试，我国目前的参考标准是800/900MHz频段射频识别（RFID）技术应用规定（试行） 。 在标准中： 1、800/900MHz频段的RFID技术的具体使用频段为840845MHz和920925MHz。 2、该频段的RFID无线电发射设备射频指标： 载波频率容限：2010-6 信道带宽及信道占用带宽（99%能量）：250KHz 信道中心频率： fc(MHz)=820.125+N0.25和 fc(MHz)=920.125+M0.25（N、M为整数，取值为019）。 邻道功率泄露比：40dB（第一邻道）、60dB（第二邻道）。 发射功率限制：频率范围（MHz）发射功率（ERP）840.5844.5920.5924.52W840845920925100mW 工作模式为跳频扩频方式，每条频信道最大驻留时间为2秒。 杂散发射限制（在两段的中间载波频率1MHz范围以外）。 (1)天线端口的杂散发射限制要求：最大功率工作状态频率范围限制要求（dBm）测量带宽检波方式30MHz1GHz-36100KHz有效值112.75GHz-301MHz806821MHz825835MHz851866MHz870880MHz885915MHz930960MHz-52100KHz1.72.2GHz-47100KHz待机状态30MHz1GHz-57100KHz112.75GHz-47100KHz (2)机箱端口（含一体化天线）的杂散发射限值要求：频率范围限值要求（dBm）测量带宽检波方式30MHz1GHz-36（EIRP）100KHz有效值112.75GHz-30（EIRP）1MHz 电源端口和电信端口的传导骚扰发射应满足国家标准GB 92541998中B类设备的限值要求。 在制造商声明的极限工作电压、极限温度条件下，设备的发射功率和频率容限应满足相应的技术指标。 3、该频段的RFID技术无线电发射设备按微功率（短距离）无线电设备管理。设备投入使用前，须获得工业和信息化部核发的无线电发射设备型号和核准证。 根据800/900MHz频段射频识别（RFID）技术应用规定（试行）规定的测试项目包括载波频率容限，占用带宽，发射频率，邻道功率泄露比，杂散发射和最大驻留时间等。 载波频率容限： 载波频率容限是指测量信号的载频频率和它的标称频率数值之间的差值与标称频率数值的比值。 占用带宽： 占用带宽是指以指定信道的中心频率为中心，包含总发射功率99%能量时所对应的频带宽度。 发射功率： 对于发射功率，时分系统是指发射时隙内所测的被测设备的平均功率，频分系统则指发射机调制打开状态下测得的平均功率。 邻道功率泄露比： 邻道功率是指在按信道划分的系统中工作的发射机，在规定的调制条件下总输出功率中落在任何一个相邻信道的规定带宽内的那部分功率。在实际测试中，相邻信道是指距离测试信道最近的左右两个信道。 杂散发射： 杂散发射是指出去带外辐射，由谐波辐射、寄生辐射、交调以及频率转换等引起的无用辐射效应。 驻留时间： 当工作方式为跳频扩频时，在每个频道上所驻留的时间。 在EPC global中的测试项目 EPCTM Radio-Frequency Identity Protocols Class-1 Generation-2 UHF RFID Conformance Requirements Version 1.0.2 中规定的测试项目主要包括读写数据编码、射频包络、上下电射频包络、前同步码和帧同步： 读写器的数据编码、射频包络和上下电射频包络等测试项目测试项目最小值最大值单位数据编码（Data Encoding）Data-0(calcultaed Tari data-0)数据01Tari1%Data-1(calcultaed Tari data-1)数据11.52Tari射频包络参数（RF Envelope Parameters)Modulation Depth调制深度80%100%RF Envelope on-rippleRF包络纹波（开）5%RF Envelope off-rippleRF包络纹波（关）5%RF Envelope Rise Time(slope1)射频包络上升时间0.33TariRF Envelope Fall Time(slope2)射频包络下降时间0.33TariPulse Width(off width)射频脉冲宽度Max(0.265Tari,2)0.525Tari上电射频包络（Pow-up RF Envelope)Rise Time上升时间1500微秒Setting Time稳定时间1500微秒Signal Level When Off关闭时的信号电平1%Undershoot下冲5%Overshoot过冲5%断电射频包络（Pow-down RF Envelope)Fall Time下降时间1500%微秒Signal Level When Off关闭时的信号电平1%Undershoot下冲5%Overshoot过冲5%前同步码和帧同步（Preamble an