0180、THB6064H步进电机驱动芯片资料大全
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thb6064h
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HHBY THB6064H THB6064H 大功率、高细分两相混合式 步进电机芯片式驱动器 一、特性： 双全桥 MOSFET 驱动，低导通电阻 R on0.4（上桥+下桥） 高耐压 50VDC，大电流 4.5A（峰值） 多种细分可选（1/2、1/8、1/10、1/16、1/20、1/32、1/40、1/64） 自动半流锁定功能 衰减方式连续可调 内置温度保护及过流保护 重量： 9.86 g (typ.) 北京海华博远科技发展有限公司 2008 年 12 月 - 1 -HHBY THB6064H 二、框图： M1 M2 CW/CCWCLKM3 InputcircuitVDD1/3 TSD / ISD DOWN ALERT H-Bridge driver A VMAOUT1A OUT2A NFAVMBH-Bridge driver B OUT1B OUT2B NFBVrefSGND PGNDACurrent selectorcircuit A 5 4 12 6 15 14 16 20 1 25 24 7 8 9 22 21 19 18 17 2 PFD Current selectorcircuit B Pre-drivePre-drive11 10 RESETOSC2 ENABLEPGNDB北京海华博远科技发展有限公司 2008 年 12 月 - 2 -13 OSC1A OSC1B OSC1A OSC1B 23 3 HHBY THB6064H 北京海华博远科技发展有限公司 2008 年 12 月 - 3 -三、管脚说明： 管脚 编号 输入/输出 符号 功 能 描 述 1 输出 ALERT 温度保护及过流保护输出端（常态为 1，过流保护时为 0） 2 SGND 信号地外部与电源地相连 3 OSC1B B相斩波频率控制端 4 输入 PFD 衰减方式控制端 5 输入 Vref 电流设定端（03V） 6 输入 VMB 电机驱动电源 B相电源与 A相电源相连 7 输入 M1 细分数选择端（详见附表） 8 输入 M2 细分数选择端（详见附表） 9 输入 M3 细分数选择端（详见附表） 10 输出 OUT2B B相功率桥输出端 2 11 NFB B相电流检测端应连接大功率检测电阻，典型值 0.25/2W 12 输出 OUT1B B相功率桥输出端 1 13 PGNDB B相驱动电源地与 A相电源地及信号地相连 14 输出 OUT2A A相功率桥输出端 2 15 NFA A相电流检测端应连接大功率检测电阻，典型值 0.25/2W 16 输出 OUT1A A相功率桥输出端 1 17 PGNDA 驱动电源地线 18 输入 ENABLE 使能端 ENABLE0所有输出为 0，ENABLE=1正常工作 19 输入 RESET 上电复位端 20 输入 VMA A相电机驱动电源与 A相电源相连 21 输入 CLK 脉冲输入端 22 输入 CW/CCW 电机正反转控制端 23 OSC1A A相斩波频率控制端 24 输入 VDD 5V电源芯片工作电源要求稳压 25 输出 Down 半流锁定控制端 HHBY THB6064H 北京海华博远科技发展有限公司 2008 年 12 月 - 4 -四、电器参数： 最高额定值 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 参数 符号 额定值 单位VDD6 最高电源电压 VMA/BB 50 V 最大输出电流 IO (PEAK)4.5(Note 1) 每相 最高芯片工作电压 VIN5.5V 工作温度范围 Topr30 to 85 C 储存温度范围 Tstg55 to 150 C 围正常运行参数范 Operating Range (Ta = 30 to 85C) 参数 符号 测试条件 最小 典型. 最大 单位芯片工作电压 VDD 4.5 5.0 5.5 V 电源电压 VMA/BB VMA/B VBDD4.5 42 V 输出电流 IOUT 4 A 输入端口电压 VIN 0 5.5电流设定端 Vref 0.5 3V 输入脉冲 fCLK 100 kHz HHBY THB6064H 电器特性Electrical Characteristics (Ta = 25C, VDD= 5 V, VM= 24 V 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位高 VIN (H)2.0 VDD输入电压 低 VIN (L)M1, M2, M3, CW/CCW, CLK, RESET, ENABLE 0.2 0.8 V IIN (H)M1, M2, M3, CW/CCW, CLK, RESET, ENABLE VIN= 5.0 V 55 (80) 输入电流 IIN (L)VIN= 0 V 1 A IDD1输出开路, RESET: H, ENABLE: H M1:L, M2:L, M3:L (半步模式) 3 (7) IDD2RESET: L, ENABLE: H 2 (7) 静态功耗 IDD3RESET: L, ENABLE: L 2 (7) mA IM1RESET: H/L, ENABLE: L 0.5 VMsupply current IM2RESET: H/L, ENABLE: H 1 mA 慢衰减模式 3.5 VDD混合式衰减模式 (0.9) 1.1 (3.3) 衰减方式 输入电压范围 VPFD块衰减模式 0.8 V 最小脉冲宽度 tW (CLK) 10 s 温度保护 TSD 170 C 关断时间 TOFF1A, COSC1A,COSC1B= 1000pF 16 23 35 secTOFF1B半流锁定时间典型值 (0.75) 1.5 (3.0) Hz 输出参数 Output Block 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位输出电阻 RonH + RonLIOUT= 4 A 0.4 (0.6) tr 0.1 RL= 2 , VNF= 0 V, CL= 15 pF 开关特性 tf 0.1 s 北京海华博远科技发展有限公司 2008 年 12 月 - 5 -HHBY THB6064H 五、使用说明 1M1、M2、M3 可选择八种不同细分状态 M1 M2 M3 细分数0 0 0 1/2 0 0 1 1/8 0 1 0 1/10 0 1 1 1/16 1 0 0 1/20 1 0 北京海华博远科技发展有限公司 2008 年 12 月 - 6 -1 1/32 1 1 0 1/40 1 1 1 1/64 2PFD： 为衰减方式控制端，调节此端电压可以选择不同的衰减方式，从而获得更好的驱动效果： 衰减方式 VPFD慢衰减 3.5VPFDVDD混合式衰减1.1VVPFD3.1V VPFD0.8V 快衰减 3Vref： 电流设定端，调整此端电压即可设定驱动电流值 Io（100%）=Vref*（1/3）*（1/Rs） Vref取值范围：0.5V3.0V 【Rs为检测电阻】 推荐值为0.25/2W 4Down： 半流锁定控制，电机锁定时降低功耗的功能。（参见原理图） 当CLK小于1.5Hz时，DOWN输出为0； 当CLK大于1.5Hz时，DOWN输出为1 ； DOWN常态为 1 此时Vref电压由R1和R2分压决定形成设定电流，当启动半流锁定功能时，DOWN=0，Rdown参与R1、R2分压，从而降低了Vref,也就减小了设定电流，Rdown的阻值决定电流下降的幅度。从而降低了VREF，也就减少了设定电流R1 的阻值决定电流下降的幅度。 即：改变锁定电阻 Rdown的阻值，可获得不同的锁定电流值。 HHBY THB6064H DownRdownVref+5VGNDR1R2DOWN输出端原理图 5 ALERT ： 过流及过温保护输出端 正常状态下，ALERT=1； 当有过流或过温现象时，此端输出为 0 6.CLK： 脉冲输入端（参见表一） -0.2VVDD方波，脉冲频率最高 100KHz，脉冲宽度最小 4 S 7.CW/CCW： 电机正反转控制端（参见表一） CW/CCW为 0时，电机正转 CW/CCW为 1时，电机反转 8.RESTER： 上电复位端（参见表一） 为 1时，芯片工作 9.ENABLE： 使能端（参见表一） 为 0时，芯片输出为 0 输入端 CLK CW/CCW RESET ENABLE 输出模式 L H H 正转 北京海华博远科技发展有限公司 2008 年 12 月 - 7 -H H H 反转 表一 X X L H 初始模式 X X X L Z HHBY THB6064H 6参考电路图 北京海华博远科技发展有限公司 2008 年 12 月 - 8 -M1M2 CW/CCWCLKVDDDOWN ENABLEM3 Input circuit 1/3 TSD ALERT H-Bridge driver A VMAOUT1A OUT2A NFAVMBH-Bridge driver B OUT1B OUT2B NFBVrefSGNDCurrent selectorcircuit A 5 4 12 6 15 14 16 20 24 1 7 8 9 22 21 19 18 2 FDT Current selectorcircuit B Pre-drivePre-drive11 10 To DOWN MCU To Vref 25 0.1F 47 FRS=0.20.3 10mH 10mH
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