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共共 页页 第第 页页 说说明明 1 标标准准答答案案务务必必要要正正确确无无误误 上 装 订 线 西安邮电学院试题卷标准答案专用纸 密 封 装 订 线 西安邮电学院西安邮电学院 2011 20122011 2012 学年第学年第 I I 学期试题卷学期试题卷 标准答案标准答案 课程 课程 数字集成电路设计 类型 类型 A A 卷卷 专业 年级 专业 年级 电子信息科学与技术电子信息科学与技术 0801 040801 04 题号题号一一二二三三四四五五六六七七八八九九总分总分 得分得分 一 填空题 共 20 分 每空 1 分 1 静态互补静态互补 CMOS 电路的输出高电平为电路的输出高电平为 VDD 输出低电平为 输出低电平为 GND 输出电压 输出电压 摆幅等于摆幅等于电源电压电源电压 噪声容限 噪声容限很大很大 2 扇入表示扇入表示 门输入门输入 的数目 增加一个门的扇入会影响的数目 增加一个门的扇入会影响 其动态和静态特性其动态和静态特性 门的扇出定义为该门门的扇出定义为该门 连接到输出端的负载门连接到输出端的负载门 的数目 的数目 3 NMOS 晶体管是由晶体管是由 栅端栅端 源端源端 漏端漏端 和衬底构成 电流是由通过和衬底构成 电流是由通过 源端源端 和和 漏端漏端 之间之间 n 型沟道的电子形成 型沟道的电子形成 4 PMOS 晶体管截至区的工作条件为晶体管截至区的工作条件为 Vgs充电 为了使延时最小 放电过程要求所有的内部电容全充电 为了使延时最小 放电过程要求所有的内部电容全 pLH t 部放电 因此部放电 因此 ABCDE 10101 充电过程要求所有的内部电容充电 因此 充电过程要求所有的内部电容充电 因此 ABCDE 10100 充电充电 放电 为了使延时最小 充电过程要求所有的内部电容充放电 为了使延时最小 充电过程要求所有的内部电容充 pHL t 电 因此电 因此 ABCDE 10011 放电过程要求所有的内
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