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文档简介

催化剂镍对碳纳米管阵列制备的影响,汇报内容,一、实验内容及目标,生长CNTs的工艺：采用TCVD方法，找到催化剂的一组合适的参数，从而生长出形貌良好的CNTs,二、工作进展,催化剂制备方法选定还原催化剂的参数刻蚀催化剂的参数,催化剂沉积方法选定,：沉积催化剂原始厚度参考文献中的参数，定为510nm。,沉积催化剂并刻蚀后的SEM,图1.旋涂法沉积催化剂到Si衬底SEM 图2.溅射法沉积催化剂到Si衬底SEM,图3.旋涂法沉积催化剂 图4.溅射法沉积催化剂,原子力显微镜图,刻蚀前后的原子力显微镜图,图5.刻蚀前 图6.刻蚀后,不同催化剂厚度生长CNTs的SEM图,图7. 10nm 图8. 2nm,旋涂法沉积催化剂生长CNTs后的SEM,催化剂不均匀,催化剂过于稀疏,图9 图10 图11,目前生长出形貌较好的CNTs,工艺参数：催化剂Ni溅射4nm；氢气还原400600，100sccm；氨气刻蚀800，10min，100sccm；乙炔 800，20min，40sccm。,图12 图13,三、实验过程中出现的问题,催化剂形貌控制。进一步改进催化剂的预处理工艺。生长CNTs的工艺参数。,四、后期工作安排,前期工作总结：催化剂对生长CNTs的影响，主要体现在沉积催化剂的原始厚度影响其刻蚀后的纳米级催化剂的数密度和颗粒粒径。后期工作重点：通过控制沉积催化剂的原始厚度和刻蚀参数，来使
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