第4章 嵌入式系统的存储器系统(60).ppt

2020/6/9,1,ARM9嵌入式系统设计基础教程,通信工程系E-mail:chenzujueTEL2020/6/9,2,课程理论教学内容安排,第1章嵌入式系统基础知识第2章ARM体系结构第3章32BitRISC微处理器S3C2410A第4章嵌入式系统的存储器系统第5章嵌入式系统输入/输出设备接口第6章嵌入式系统总线接口第7章嵌入式系统网络接口第8章嵌入式系统软件及操作系统基础第9章ARM汇编语言程序设计基础第10章Bootloader设计基础第11章Linux操作系统基础第12章嵌入式Linux软件设计第13章图形用户接口（GUI）,2020/6/9,3,第4章嵌入式系统的存储器系统,4.1存储器系统概述4.2嵌入式系统存储设备分类4.3NORFlash接口电路4.4NANDFlash接口电路4.5SDRAM接口电路4.6CF卡接口电路4.7SD卡接口电路4.8IDE接口电路,2020/6/9,4,4.1存储器系统概述,4.1.1存储器系统的层次结构4.1.2高速缓冲存储器4.1.3存储管理单元,2020/6/9,5,4.1.1存储器系统的层次结构,计算机系统的存储器被组织成一个6个层次的金字塔形的层次结构,如图4.1.1所示,层次结构的最顶部是S0层,最底部是S5：S0层为CPU内部寄存器S1层为芯片内部的高速缓存（cache）内存S2层为芯片外的高速缓存（SRAM、DRAM、DDRAM）S3层为主存储器（Flash、PROM、EPROM、EEPROM）S4层为外部存储器（磁盘、光盘、CF、SD卡）S5层为远程二级存储（分布式文件系统、Web服务器）,2020/6/9,6,存储器系统层次结构,2020/6/9,7,4.1.2高速缓冲存储器,在主存储器和CPU之间采用高速缓冲存储器(cache)被广泛用来提高存储器系统的性能,cache能够减少内存平均访问时间。Cache可分为统一cache和独立的数据/程序cache。存储系统中，指令预取和数据读写使用同一cache时称统一cache。如存储系统中，指令预取和数据读写使用不同的cache，各自是独立的，称系统使用了独立的cache，用于指令预取的cache称为指令cache，用于数据读写的cache称为数据cache。CPU更新cache时,要将结果写回到主存中,可采用写通法(write-through)和写回法(write-back)。写通法是CPU执行写操作时,把数据同时写入cache和主存。用写通法更新的cache称写通cache。写回法是执行写操作时,被写的数据只写入cache不写入主存。当需替换时,才把已修改的cache块写回到主存中。采用写回法进行数据更新的cache称为写回cache。,2020/6/9,8,高速缓冲存储器,当进行数据写操作时，可以将cache分为读操作分配cache和写操作分配cache两类。对于读操作分配cache，当进行数据写操作时，如果cache未命中，只是简单地将数据写入主存中。主要在数据读取时，才进行cache内容预取。对于写操作分配cache，当进行数据写操作时，如果cache未命中，cache系统将会进行cache内容预取，从主存中将相应的块读取到cache中相应的位置，并执行写操作，把数据写入到cache中。对于写通类型的cache，数据将会同时被写入到主存中，对于写回类型的cache数据将在合适的时候写回到主存中。,2020/6/9,9,4.1.3存储管理单元,MMU（MemoryManageUnit,存储管理单元）在CPU和物理内存之间进行地址转换，将地址从逻辑空间映射到物理空间，这个转换过程一般称为内存映射。MMU主要完成以下工作：（1）虚拟存储空间到物理存储空间的映射。采用了页式虚拟存储管理，它把虚拟地址空间分成一个个固定大小的块，每一块称为一页，把物理内存的地址空间也分成同样大小的页。MMU实现的就是从虚拟地址到物理地址的转换；（2）存储器访问权限的控制；（3）设置虚拟存储空间缓冲的特性。,2020/6/9,10,4.2嵌入式系统存储设备分类,4.2.1存储器部件的分类4.2.2存储器的组织和结构4.2.3常见的嵌入式系统存储器,2020/6/9,11,4.2.1存储器部件的分类,1.按在系统中的地位分类在微机系统中，存储器可分为主存储器（内存或主存）和辅助存储器（简称辅存或外存）。内存是计算机主机的组成部分，用快速存储器件来构成，内存空间的大小受到地址总线位数的限制。内存通常用来容纳常使用的程序和数据，CPU可直接对内存访问。系统软件中如引导程序、监控程序或者操作系统中的基本输入/输出部分BIOS都是必须常驻内存。系统软件和应用软件用到时由外存传到内存。外存存放的是不经常使用的程序和数据，特点是容量大。常见的外存有软盘、硬盘、U盘、光盘等。CPU要使用外存的这些信息时，必须通过专门的设备将信息先传送到内存中。,2020/6/9,12,存储器部件的分类,2.按存储介质分类根据存储介质的材料及器件的不同，分磁存储器、半导体存储器、光存储器及激光光盘存储器。3.按信息存取方式分类存储器按存储信息的功能，分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。随机存取存储器在机器运行期间可读、写的存储器。随机存储器按信息存储的方式，分为静态RAM、动态RAM及准静态RAM（PSRAM）。在机器运行期间只能读出信息，不能随时写入信息的存储器称为只读存储器。只读存储器按功能可分为掩模式（ROM）、可编程只读存储器（PROM）和可改写的只读存储器（EPROM）。,2020/6/9,13,4.2.2存储器的组织和结构,存储器的容量是描述存储器的最基本参数，如1MB。存储器的表示并不唯一，有不同表示方法，每种有不同的数据宽度。在存储器内部，数据是存放在二维阵列存储单元中。阵列以二维的形式存储，给出的n位地址被分成行地址和列地址（nr+c）。r是行地址数，c是列地址数。行列选定一个特定存储单元。如果存储器外部宽度为1位，那么列地址仅一位；对更宽的数据，列地址可选择所有列的一个子集。嵌入式系统的存储器与通用系统的存储器有所不同，通常由ROM、RAM、EPROM等组成。嵌入式存储器一般采用存储密度较大的存储器芯片，存储容量与应用的软件大小相匹配。,2020/6/9,14,4.2.3常见的嵌入式系统存储器,1.RAM（随机存储器）RAM可以被读和写，地址可以以任意次序被读。常见RAM的种类有SRAM（静态随机存储器）、DRAM（动态随机存储器）、DDRAM（双倍速率随机存储器）。其中，SRAM比DRAM运行速度快，SRAM比DRAM耗电多，DRAM需要周期性刷新。而DDRAM是RAM的下一代产品。在133MHz时钟频率，DDRAM内存带宽可以达到13364b/822.1GB/s，在200MHz时钟频率，其带宽可达到20064b/823.2GB/s。,2020/6/9,15,2.ROM（只读存储器）,ROM在烧入数据后，无需外加电源来保存数据，断电后数据不丢失，但速度较慢，适合存储需长期保留的不变数据。在嵌入式系统中，ROM用于固定数据和程序。常见ROM有MaskROM(掩模ROM)、PROM(可编程ROM)、EPROM(可擦写ROM)、EEPROM(电可擦除可编程ROM,也可表示为E2PROM）、FlashROM(闪烁存储器)。MaskROM一次性由厂家写入数据的ROM,用户无法修改。PROM出厂时厂家并没有写入数据,而是保留里面的内容为全0或全1,由用户来编程一次性写入数据。EPROM可以通过紫外光的照射,擦掉原先的程序,芯片可重复擦除和写入。E2PROM是通过加电擦除原编程数据,通过高压脉冲可以写入数据,写入时间较长。Flash断电不会丢失数据(NVRAM),可快速读取,电可擦写可编程.,2020/6/9,16,3.FlashMemory,Flashmemory（闪烁存储器）是嵌入式系统中重要的组成部分，用来存储程序和数据，掉电后数据不会丢失。但在使用FlashMemory时，必须根据其自身特性，对存储系统进行特殊设计，以保证系统的性能达到最优。FlashMemory是一种非易失性存储器NVM（Non-VolatileMemory），根据结构不同可分成NORFlash和NANDFlash两种。FlashMemory在物理结构上分成若干个区块，区块之间相互独立。NORFlash把整个存储区分成若干个扇区（Sector），而NANDFlash把整个存储区分成若干个块（Block），可以对以块或扇区为单位的内存单元进行擦写和再编程。,2020/6/9,17,FlashMemory,由于FlashMemory的写操作只能将数据位从1写成0,而不能从0写成1,所以在对存储器进行写之前必须先执行擦除操作,将预写入的数据位初始化为1。擦操作的最小单位是一个区块，而不是单个字节.NANDFlash执行擦除操作是十分简单的,而NOR型内存则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NORFlash时是以64-128KB为单位的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NANDFlash是以8-32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。NORFlash的读速度比NANDFlash稍快一些，NANDFlash的写入速度比NORFlash快很多。NANDFlash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读取。,2020/6/9,18,FlashMemory,除了NORFlash的读,FlashMemory的其他操作与RAM不同,直接对目标地址进行总线操作。例如执行一次写操作，它必须输入一串特殊的指令(NORFlash),或完成一段时序(NANDFlash)才能将数据写入到FlashMemory中。NORFlash带有SRAM接口,有足够的地址引脚寻址，可很容易地存取其内部的每一个字节。NANDFlash地址、数据和命令共用8位总线/16位总线,每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存取数据,8位总线/16位总线用来传送控制、地址和资料信息。NANDFlash读和写操作采用512B的块，类似硬盘管理操作。因此，基于NAND的闪存可以取代硬盘或其他块设备。NORFlash容量通常在1MB-8MB之间。而NANDFlash用在8MB以上的产品当中。NORFlash主要应用在代码存储介质中，NANDFlash适用于资料存储。,2020/6/9,19,FlashMemory,所有FlashMemory器件存在位交换现象。FlashMemory在读写数据过程中，偶然会产生一位或几位数据错误，即位反转。位反转无法避免，只能通过其他手段对产生的结果进行事后处理。位反转的问题多见于NANDFlash。NANDFlash的供货商建议使用NANDFlash的时候，同时使用EDC/ECC（错误探测错误纠正）算法，以确保可靠性。FlashMemory在使用过程中，可能导致某些区块的损坏。区块一旦损坏，将无法进行修复。NANDFlash中的坏块是随机分布的，尤其是NANDFlash在出厂时就可能存在这样的坏块（已经被标识出）。NANDFlash需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。如果对已损坏的区块进行操作，可能会带来不可预测的错误。,2020/6/9,20,FlashMemory,应用程序可直接在NORFlash内运行。NORFlash的传输效率很高,但很低的写入和擦除速度影响它的性能。NANDFlash可达到高存储密度,写入和擦除的速度很快,用NANDFlash在于需特殊的系统接口。在NORFlash上运行代码不需任何软件支持。在NANDFlash上操作时,需驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)。NANDFlash和NORFlash在进行写入和擦除操作时都需要MTD。NANDFlash中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NORFlash擦写次数十万次。NANDFlash除具有10:1的块擦除周期优势,典型的NANDFlash块尺寸要比NOR型小8倍,每个NANDFlash的内存块在给定的时间内删除次数要少一些。,2020/6/9,21,4.标准存储卡(CompactFlash,CF卡),CF卡是利用Flash技术的存储卡，内部结构如下图，接口具有PCMCIA-ATA功能,可工作在IDE接口模式,也可工作在PCCard模式。衍生出来的CF+卡物理规格和CF完全相同,在手持设备上应用，如CF串口卡、CFModem.CF蓝牙、CFUSB卡、CF网卡、CFGPS卡、CFGPRS卡等。按CF+卡标准,不一定支持ATA接口。通常建议CF+卡工作在PCMCIA模式。CF卡可看作是PCMCIA卡的一个子集,可通过物理上的转换器,直接转换成PCMCIA卡使用。CF卡分I型和II型两类,二者规格和特性基本相同,只是II型比I型略厚一些(5.0mm,3.3mm),II型插座可同时兼容I型卡。,2020/6/9,22,CF卡内部结构,2020/6/9,23,CF卡工作模式,CF卡有3种工作模式：PC卡ATAI/O模式、PC卡ATA存储模式和实IDE模式。实IDE模式与IDE接口完全兼容。CF卡遵循ATA协议，属于块存储设备，存储单元通过磁头(head)、柱面(磁道)和扇区组织起来。在物理寻址(CHS)方式下，每一组H/C/S参数唯一确定存储卡中的一个扇区,一个扇区512B。格式化后的容量为磁头数柱面数扇区数512字节。在物理寻址模式下，扇区是最低的地址单位,其次是磁头,柱面为最高寻址单位。还有逻辑寻址方式(LBA)。该寻址方式下,CF卡按以连续序列的逻辑扇区编号寻址,主机不必知道CF卡的物理几何结构。用28位表示逻辑扇区地址,可寻址228个扇区,理论上可寻址136GB容量。,2020/6/9,24,5.安全数据卡(SD卡),由日本Panasonic公司、TOSHIBA公司和美国SanDisk公司共同开发研制的SD卡是一种全新的存储卡产品，在MP3、数码摄像机、数码相机、电子图书及AV器材等中应用。SD存储卡采用一个完全开放的标准(系统)，外形与MultiMedia卡保持一致，比MMC卡略厚，具有更大的容量，兼容MMC卡接口规范。SD卡具有加密功能，可以保证数据资料的安全保密。SD卡具有版权保护技术，所采用的版权保护技术是DVD中使用的CPRM技术(可刻录介质内容保护)。,2020/6/9,25,6.硬盘存储器,硬盘存储器具有存储容量大,使用寿命长,存取速度较快的特点,嵌入式系统中常用的外存。硬盘存储器的硬件包括硬盘控制器(适配器)、硬盘驱动器以及连接电缆。硬盘控制器(简称HDC)对硬盘进行管理,在主机和硬盘之间传送数据。硬盘驱动器(简称HDD)中有盘片、磁头、主轴电机、磁头定位机构、读/写电路和控制逻辑等。硬盘分温彻斯特盘和非温彻斯特盘两类。温彻斯特盘根据温彻斯特技术设计制造,它的磁头、盘片、磁头定位机构、主轴、连读/写驱动电路等密封在一个盘盒内，构成头一盘组合体。温彻斯特盘防尘性能好,可靠性高,对环境要求不高。非温彻斯特盘磁盘磁头和盘片等不密封,只用于中型、大型计算机机房中。,2020/6/9,26,硬盘接口IDE,硬盘接口有IDE(ATA)和SCSI两种,移动硬盘用USB接口。IDE接口也称为ATA（美国国家标准协会）接口，通用的硬盘接口。IDE接口的硬盘分为ATA-1(IDE)、ATA-2(EIDE)、ATA-3(FastATA-2)、ATA-4(包括UltraATA、ATA/33、ATA/66、ATA/100、ATA/133）与SerialATA。基本的IDE接口数据传输率为4.1MB/s，传输方式有PIO和DMA两种，支持总线为ISA和EISA。ATA-2、ATAPI和针对PCI总线的FAST-ATA、FAST-ATA2等数据传输率达到了16.67MB/s。UltraDMA/33接口（称为EIDE接口），采用PIO模式，数据传输率达到33MB/s。UltraDMA/66接口的传输率为UltraDMA/33的两倍，采用CRC（循环冗余循环校验）技术以保证数据传输的安全性，并且使用了80线的专用连接电缆。UltraATA/100、ATA/133、SerialATA/150(SATA)、SATA2(300MB/s的带宽)是目前常用的硬盘接口。,2020/6/9,27,硬盘接口SCSI,SCSI（SmallComputerSystemInterface，小型计算机系统接口）不是专为硬盘设计的，是一种总线型接口。SCSI独立于系统总线工作，其系统占用率极低，但其价格昂贵，具有这种接口的硬盘大多用于服务器等高端应用场合。,2020/6/9,28,4.3NORFlash接口电路,4.3.1NORFlash存储器Am29LV160D4.3.2S3C2410A与NORFlash存储器的接口电路,2020/6/9,29,4.3.1NORFlash存储器Am29LV160D,Am29LV160D是AMD公司的一款NORFlash存储器，存储容量为2M8Bit/1M16Bit，接口与CMOSI/O兼容，工作电压为2.73.6V，读操作电流为9mA，编程和擦除操作电流为20mA，待机电流为200nA。采用FBGA-48、TSOP-48、SO-44三种封装形式。Am29LV160D仅需3.3V电压即可完成在系统的编程与擦除操作，通过对其内部的命令寄存器写入标准的命令序列，可对Flash进行编程（烧写）、整片擦除、按扇区擦除，以及其他操作。以16位（字模式）数据宽度的方式工作。Am29LV160D的逻辑框图和引脚端功能见下表所示。,2020/6/9,30,Am29LV160D引脚功能,Am29LV160D的逻辑框图,2020/6/9,31,4.3.2S3C2410A与NORFlash的接口电路,S3C2410A与Am29LV160D的接口电路如图4.3.2所示。Flash存储器在系统中通常用于存放程序代码，系统上电或复位后从此获取指令并开始执行,因此,应将存有程序代码的Flash存储器配置到Bank0,即将S3C2410A的nGCS0接至Am29LV160D的CE(nCE)端。Am29LV160D的OE(nOE)端接S3C2410X的nOE；WE（nXE）端S3C2410X的nWE相连;地址总线A19A0与S3C2410X的地址总线ADDR20ADDR1(A20A1)相连;16位数据总线DQ15DQ0与S3C2410X的低16位数据总线DATA15DATA0(D15D0)相连。注意:此时应将BWSCON中的DW0置为01,即选16位总线方式。,2020/6/9,32,S3C2410A与Am29LV160D的接口电路,2020/6/9,33,S3C2410A与28F128J3A的接口,如需大容量NORFlash,可用28F128J3A(128M)、28F640J3A(64M)、28F320J3A(32M)等NORFlash存储器芯片S3C2410A与28F128J3A的接口电路如图4.3.3所示。S3C2410X的nGCS0接至28F128J3A的CE0（nCE）端。28F128J3A的OE（nOE）端接S3C2410X的nOE；WE（nWE）端S3C2410X的nWE相连；地址总线A24A1与S3C2410X的地址总线ADDR24ADDR1（A24A1）相连，A0直接接地；16位数据总线DQ15DQ0与S3C2410X的低16位数据总线DATA15DATA0（D15D0）相连。,2020/6/9,34,S3C2410A与28F128J3A的接口电路,2020/6/9,35,4.4NANDFlash接口电路,4.4.1S3C2410ANANDFlash控制器4.4.2S3C2410A与NANDFlash存储器的接口电路,2020/6/9,36,4.4.1S3C2410ANANDFlash控制器,1S3C2410ANANDFlash控制器特性S3C2410A可以在一个外部NANDFlash存储器上执行启动代码。为了支持NANDFlash的启动装载（bootloader），S3C2410A配置了一个“Steppingstone”的内部SRAM缓冲器。当系统启动时，NANDFlash存储器的前4KB被自动加载到Steppingstone中，然后系统自动执行这些载入的启动代码。在一般情况下，启动代码将复制NANDFlash的内容到SDRAM中。使用S3C2410A内部硬件ECC功能对NANDFlash的数据的有效性进行检查。复制完成后，在SDRAM中执行主程序。,2020/6/9,37,2.S3C2410ANANDFlash控制器结构,NANDFlash控制器内部结构方框图,2020/6/9,38,NANDFlash的操作模式,2020/6/9,39,NANDFlash的自动启动模式的时序,NANDFlash控制器的内部结构方框图如图4.4.1所示。NANDFlash的工作模式如图4.4.2所示。自动启动模式的时序如下：（1）完成复位；（2）当自动启动模式使能时，首先将NANDFlash存储器的前4KB内容自动复制到Steppingstone4KB内部缓冲器中；（3）Steppingstone映射到nGCSO；（4）CPU执行在Steppingstone4KB内部缓冲器的启动代码。注意：在自动启动模式，不进行ECC检测。因此，应确保NANDFlash的前4KB不能有位错误。,2020/6/9,40,NANDFlash模式配置,（1）利用NFCONF寄存器设置NANDFlash配置；（2）写NANDFlash命令到NFCMD寄存器；（3）写NANDFlash地址到NFADDR寄存器；（4）在检查NANDFlash状态时，利用NFSTAT寄存器读/写数据。在读操作之前或者编程操作之后应该检查R/nB信号。,NANDFlash控制器的引脚配置,2020/6/9,41,4.4.2S3C2410A与NANDFlash的接口电路,与NORFlash相比,NANDFlash的接口相对比较复杂。一些嵌入式处理器内部配置了专门的NANDFlash控制器,如S3C2410A。S3C2410A与NANDFlash存储器K9F1208UDM-YCB0接口电路如图4.4.4所示。K9F1208UDM-YCB0的存储容量为64M字节，数据总线宽度为8位，工作电压为2.7V3.6V,采用TSOP-48封装。仅需单3.3V电压即可完成在系统的编程与擦除操作，引脚端功能如表4.4.3所示。更多的内容请登录，查找资料“K9F1208U0M-YCB064M8BitNANDFlashMemory”。,2020/6/9,42,S3C2410A与K9F1208UDM-YCB0接口电路,2020/6/9,43,K9F1208UDM的引脚功能,2020/6/9,44,4.5SDRAM接口电路,SDRAM可读/写，不具掉电数据保持，存取速度高于Flash存储器。用于程序运行、数据及堆栈区。系统启动时，CPU从地址0 x0处读取启动代码，系统初始化后,程序代码调入SDRAM中运行,以提高系统的运行速度。用户堆栈、运行数据放在SDRAM中。SDRAM在嵌入式系统应用时，必须定时刷新。要求CPU有刷新控制逻辑，或在外加刷新控制逻辑电路。S3C2410X及一些ARM芯片片内有独立的SDRAM刷新控制逻辑.某些ARM没有刷新控制逻辑，不能直接与SDRAM接口。目前常用的SDRAM为8位/16位的数据宽度，工作电压一般为3.3V。主要的生产厂商为HYUNDAI，Winbond等，同类型器件一般具有相同的电气特性和封装形式，可以通用。,2020/6/9,45,S3C2410X与SDRAMHY57V561620接口电路,2020/6/9,46,HY57V561620引脚功能,2020/6/9,47,4.6CF卡接口电路,4.6.1PCMCIA接口规范4.6.2S3C2410A的CF卡接口电路4.6.3CF卡的读/写操作,2020/6/9,48,4.6.1PCMCIA接口规范,1990年9月，PCMCIA（PC机内存卡国际联合会）推出了PCMCIA1.0规范，该规范是针对各类存储卡或虚拟盘设计的，其目的是为了建立一个物理尺寸较小、低功耗的、灵活的存储卡标准，采用16位体系结构，JEIDA68引脚的接口。1991年，PCMCIA推出了2.0规范，添加了对I/O设备的规范，以方便用户扩展I/O设备，但接口仍采用与1.0规范兼容的68引脚的接口；同时，PCMCIA对其驱动程序的架构也作了规范，以便于软件开发人员开发的驱动程序可以相互兼容。随着多媒体和高速网络的发展，PCMCIA又开发了32位的CardBUS。现在，基于PCMCIA的设备已经在笔记本电脑、数码相机、机顶盒、车载设备、手持设备、PDA等方面被广泛的采用。越来越多的产品都需要接口具有可扩展模块化的功能，因此PCMCIA也将自己的目标定位为“发展模块化外设的标准，并将他们推广到全世界”。,2020/6/9,49,PCMCIA接口规范,PCMCIA物理上定义了68个引脚，卡片有16位和32位之分。16位的PCMCIA卡通常叫PCCard，其时序和ISA总线类似，速度较慢。采用32位PCMCIA标准的称做CardBus卡，其运行频率达到33MHz，可以满足一般局域网及宽带应用的要求。CardBus接口的信号传输协议起源于PCI局部总线信号传输协议，支持以任何组合形式实现多个总线功能。总线主控功能可为处理器分担任务，有利于在多任务环境中改善系统的吞吐量。CardBus卡可以在移动环境下应用。PCMCIA接口和系统总线接口通常需要一个HBA（HostBusAdepter）运行转换，这个HBA可以是一个芯片，也可以是一些逻辑。PCMCIA卡可以支持5V和3.3V的供电电压，PCMCIA规范中采用电压敏感VS（VoltageSense）信号识别插入的PCMCIA卡的工作电压。,2020/6/9,50,PCMCIA接口规范,PCMCIA卡可以分为I型（TYPEI）、II型（TYPEII）、III型（TYPEII