微机原理与接口技术第3章 存储器.ppt

微型计算机原理与接口技术,第三章存储器,存储器系统的设计目标：尽可能快的存取速度；尽可能大的存储容量；尽可能低的单位成本（价格/位）；,存储器是用来存放程序和数据，是冯诺依曼计算机结构的重要组成部分。,重点是存储器与CPU接口的基本技术,本章需解决的主要问题：,存储器如何存储信息？,在实际应用中如何用存储芯片组成具有一定容量的存储器？,存储器是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。更确切地说，存储器是存放二进制编码信息的硬件设备。,根据存储材料的性能及使用方法的不同，存储器有各种不同的分类方法：,构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元，它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元，然后再由许多存储单元组成一个存储器。,3.1存储器概述,3.1.1存储器分类,1.按存储介质分类：,半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。,随机存储器：任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关。顺序存储器：只能按某种顺序来存取，存取时间和存储单元的物理位置有关。,2.按存取方式分类：,3.按存储器的读写功能分类：,只读存储器（ROM）：存储的内容是固定不变的，只能读出而不能写入的半导体存储器。随机读写存储器（RAM）：既能读出又能写入的半导体存储器。,非永久记忆的存储器：断电后信息即消失的存储器。永久记忆性存储器：断电后仍能保存信息的存储器。,4.按信息的可保存性分类：,内存(主存储器或主存)/外存(辅助存储器或辅存),(3)高速缓存（Cache）存放CPU在当前一段时间内多次使用的程序和数据。,（1）主存（内存）主要存放CPU当前要使用的程序和数据。,（2)辅存（外存）存放大量的后备程序和数据。,5.按在计算机系统中的作用分类：,在某一段时间内，CPU频繁访问某一局部的存储器区域，而对此范围外的地址则较少访问的现象就是程序的局部性原理。,3.1.2存储器的分级结构,为了解决存储器速度与价格之间的矛盾，出现了存储器的层次结构。,cache是介于CPU和主存之间的小容量存储器，存取速度比主存快。它能高速地向CPU提供指令和数据，加快程序的执行速度。它是为了解决CPU和主存之间速度不匹配而采用的一项重要技术。,cache的功能,Flash演示,1.高速缓冲存储器,CPU主存之间的数据传输都必须经过Cache控制器，Cache控制器将来自CPU的数据读写请求，转向Cache存储器，如果数据在Cache中，则CPU对Cache进行操作，称为一次命中。命中时，CPU从Cache中读写数据，则CPU与Cache达到同步。,使用cache的必要性,若数据不在Cache中，则CPU对主存操作，称为一次失败。失败时，CPU必须在其机器周期中插入等待周期。,根据程序的局部性原理，在主存和CPU之间设置Cache，把正在执行的指令地址附近的一部分指令和数据从主存转入Cache中，供CPU在一段时间内使用，是完全可行的。,使用Cache的可行性,这种对局部范围内的存储器地址频繁访问，而对范围以外的地址访问甚少的现象称为程序访问的局部性。同样，数据访问也存在局部性。,对大量的典型程序的运行情况分析结果表明，在一个较短的时间内，由程序产生的地址往往集中在存储器逻辑地址空间的很小范围内。,指令是顺序执行的，即执行完当前指令后，紧接着执行存储地址相邻的下一条指令。因此指令地址的分布是连续的。遇到转移或调用指令，在完成转移和调用后，又进入顺序执行方式。指令地址连续分布的特点，加上循环程序段和子程序段的重复执行，对这些地址的访问自然具有时间上集中分布的倾向。,这有利于对存储器实现层次结构。,存储器的层次结构是基于程序的局部性原理的。对大量典型程序运行情况的统计分析得出的结论是：,CPU对某些地址的访问在短时间间隔内出现集中分布的倾向。,Cache、主存和外存构成存储系统的三级存储体系结构,增大容量、降低价格,Cache引入主要解决存取速度，外存引入主要解决容量要求。CPU内的寄存器、Cache、主存、外存都可以存储信息，它们各有自己的特点和用途。它们的容量从小到大，而存取速度是从快到慢，价格与功耗从高到低。,主存储器（内存）是计算机系统的主要存储器，用来存放计算机运行期间的大量程序和数据。,2.主存储器,程序执行过程中的中间结果保存在内存中，程序最终运行结果需要长期保存时，又从内存调入外存中。,通常，用户程序执行前都存放在外存储器中，当要执行时，由操作系统将其从外存调入内存，并把其中即将要执行的部分同时调入cache中。,外存储器为大容量辅助存储器，通常用来存放系统程序和大型数据文件或数据库，外存储器具有存储容量大，位成本低的优点，满足计算机的大容量存储要求。目前主要使用磁带存储器、磁盘存储器和光盘存储器。,3.外存储器,表3-1存储器的用途和特点,3.1.3存储器的主要性能指标,字节数若主存按字节编址，即每个存储单元有8位。1KB=1024B1MB=1KB1KB=10241024B,单元数位数若主存按字编址，即每个存储单元存放一个字，字长超过8位。,例如：机器字长32位，其存储容量为4MB，若按字编址，那么它的存储容量可表示为1MW。,二.存储器的主要性能指标,2、存取时间,存取时间（访问时间）：是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。,存取周期：又称读写周期或访问周期连续启动两次独立的存储器操作所需的最短时间间隔。,上页,下页,返回,上页,下页,返回,存取时间与存取周期的关系：,例如：ROM存取时间通常为几百ns；RAM存取时间通常为几十ns到一百多ns；双极性RAM存取时间通常为1020ns。,平均故障间隔时间（MTBF），即两次故障之间的平均时间间隔。EPROM重写次数在数千到10万次之间；ROM数据保存时限是20年到100多年。,3.可靠性,存储器的性能包括以上几个方面，但是成本也占很大的比重。因此，常以性能价格比来衡量，即高性能，低价格。,4.性能价格比,3.1.4存储器的组成与读写过程,主存的组成主要包括地址译码器、存储体、读写控制逻辑电路及输入输出缓冲器。,主存储器由大量存储器芯片按照一定的规则组合而成。主存储器“挂”在总线上，芯片自然也就“挂”在总线上。,存储体是由半导体介质按照一定结构组成的存储单元的集合。其每一个存储单元中包含若干并行读写的记忆元件，即若干二进制数据位。为便于制造和读写控制，这个存储信息的集合体常组成二至三维的阵列，所以又称存储体为存储矩阵。它是存储芯片的核心部件，主存储器的其他组成部分，可以理解为其服务的外围电路。,1.存储体,存储二进制信息的矩阵，由多个基本存储单元组成，每个存储单元可有0与1两种状态，即存储1bit信息，也可存储4位、8位信息等。,在构成存储器时，一般以字节为单位。而存储器芯片有1位片、4位片和8位片,存储体：用来存储信息，它由存储单元组成，采用二维矩阵的连接方式。,n为地址线条数，N为存储单元数。即：若n=10，N=2n=1024,2.地址译码器,2n=N,作用：是根据输入的地址选择所要访问的存储单元。,设计方案有两种：单译码：适用于小容量存储器。双译码：,地址译码器只有一个，译码器的输出选择对应的一个字。,2.地址译码器,（1）单译码,例如：161存储体，有4位地址输入，输出为16个，分别对应16个存储单元。,（1）单译码,地址译码器,存储单元,存储单元,存储单元,A0,A1,A2,A3,字0,字1,字16,0000,0001,1111,（2）双译码,采用两个地址译码器，分别产生行选通信号和列选通信号，行选通信号和列选通信号同时有效时的单元被选中。,例1：161存储体，采用双译码。例2：10241存储体，采用双译码。,假定X方向有M根选择线，Y方向有N根选择线，则存储矩阵为MN，在每个X、Y选择线的交叉点有一个存储单元。,存储矩阵44=161位，是指16个字的同一位，若用8个同样的存储矩阵，则可组成16个字，字长8位的存储体。,例：44存储矩阵的结构,存储体地址译码器读写控制电路I/O电路,例2：10241存储体，采用双译码。,两者相比，双译码时地址驱动线的数目减少到单译码的1/16。,例：已知某存储器芯片为1K8，试比较内部采用两种不同地址译码方式时使用译码驱动线的多少。,解：芯片为1K8，即地址输入线数目n=10，则单译码方式地址译码驱动线数目=2n=210=1024。,双译码方式取X向、Y向各n/2=5位译码，X向（Y向）地址译码驱动线数目=2n/2=25=32。,双译码方式地址译码驱动线数目=2n/2+2n/2=32+32=64。,控制逻辑电路接收来自CPU的时钟与读写信号，根据地址译码的结果，控制存储器指定单元中的数据读出或者写入。,控制数据的输出，或者把数据线上的数据写入到主存的指定单元中。,3.读写控制逻辑电路,4.输入输出缓冲器,首先将地址送地址总线，经译码选中某一存储单元。同时，需写入的数据经数据总线送三态输入缓冲器；当写信号有效时，由内部控制逻辑电路控制，将外部数据线上的数据写入到所选中的存储单元中。,存储器的读写过程,首先将地址送到地址总线，经译码选中某一存储单元。当读信号有效时，所选中单元中的数据读出，经三态输出缓冲器送到外部数据总线上。,1.存储器读操作：,2.存储器写操作：,半导体存储器,随机存取存储器（RAM）,只读存储器（ROM）,双极型RAMMOS型RAM,3.2随机存取存储器RAM,一.静态RAM（SRAM）,SRAM:依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存储信息。特点：不断电信息可以长时间保存，不需要刷新，外围电路简单。功耗大，速度快。作Cache,1.基本存储元（1）存储元：存储1位二进制代码信息的器件。最小的存储单位。,一.静态RAM（SRAM）,存储元基本功能：具有两种稳定状态两种稳定状态经外部信号可以相互转换。经控制，能读出其中的信息。无外部原因，其中的信息能长期保存。,2.组成电路由6个场效应管组成。T1、T2、T3、T4组成的双稳态触发器，能长期保持信息的状态不变，是因为电源通过T3、T4不断供给T1或T2电流。,3、SRAM的基本存储电路,T1、T2为工作管，T3、T4为负载管，T5、T6为控制管,T1、T3：MOS反相器T2、T4：MOS反相器,两个MOS反相器交叉耦合成触发器,3、SRAM的基本存储电路,定义：两个稳态：T1导通，T2截止为1态T1截止，T2导通为0态,4、典型SRAM芯片,上页,下页,返回,二、动态RAM（DRAM）,1、单管DRAM基本存储电路,写入：字选择线为1，T管导通，写入信息，由数据线存入电容C中。,读出：字选择线为“1”，存储在电容C上的电荷通过T输出到数据线上，通过读出放大器即可得到存储信息。,1、单管DRAM基本存储电路,刷新：定期向电容补充电荷原因：DRAM依靠电容电荷存储信息。平时无电源供电，时间一长电容电荷会泄漏掉，需要定期向电容补充电荷，以保持信息不变。,3、典型DRAM芯片,2、DRAM的刷新方式,周期性地对动态存储器进行读出、放大、再写回,ROM中的信息在使用时是不被改变的，即只能读出，不能写入，写入是有条件的。故一般只能存放固定程序和常量，如监控程序、BIOS程序等。,3.3只读存储器ROM,ROM芯片的种类很多，有掩膜ROM、可编程ROM（PROM）、可擦除可编程ROM（EPROM）、电可擦除可编程ROM（EEPROM）等。,1.掩膜只读存储ROM,掩膜ROM是厂家根据用户的要求采用掩膜技术把程序和数据在制作集成电路时就已写入完成。一旦制造完毕，存储器的内容就被固定下来，用户不能修改。若要修改，就只能重新设计掩膜。,2.可编程只读存储器PROM,PROM存储矩阵内所有字线与位线的交叉处均连接有二极管或三极管，即出厂时，存储单元的内容是全“1”（或全“0”），使用时，用户根据自己的需要，将某些位的内容改写（烧断熔丝）即可，但只能改写一次,PROM基本存储电路,2.可编程只读存储器PROM,可编程只读存储器出厂时各单元内容全为0，用户可用专门的PROM写入器将信息写入，这种写入是破坏性的，即某个存储位一旦写入1，就不能再变为0，因此对这种存储器只能进行一次编程。根据写入原理PROM可分为两类：结破坏型和熔丝型。,熔丝型基本存储电路由1个三极管和1根熔丝组成，可存储一位信息。出厂时，每一根熔丝都与位线相连，存储的都是“0”信息。如果用户在使用前根据程序的需要，利用编程写入器对选中的基本存储电路通以20mA50mA的电流，将熔丝烧断，则该存储元将存储信息“1”。由于熔丝烧断后无法再接通，因而PROM只能一次编程写入，编程后就不能再修改。,写入时，按给定地址译码后，译码器的输出端选通字线，根据要写入信息的不同，在位线上加上不同的电位，若Di位要写“0”，则对应位线Di悬空（或接上较大电阻）而使流经被选中基本存储电路的电流很小，不足以烧断熔丝，则该Di位的状态仍然保持“0”状态；若要写“1”，则位线Di位加上负电位（2V），瞬间通过被选基本存储电路的电流很大，致使熔丝烧断，即Di位的状态改写为“1”。,在正常只读状态工作时，加到字线上的是比较低的脉冲电位，但足以开通存储元中的晶体管。这样，被选中单元的信息就一并读出了。是“0”，则对应位线有电流；是“1”，则对应位线无电流。在只读状态，工作电流将会很小，不会造成熔丝烧断，即不会破坏原来存储的信息。,3.可擦除可编程的只读存储器EPROM（ErasablePROM）,PROM虽然可供用户进行一次编程，但仍有局限性。为了便于研究工作，实验各种ROM程序方案，可擦除、可再编程ROM在实际中得到了广泛应用。这种存储器利用编程器写入信息，此后便可作为只读存储器来使用。目前，根据擦除芯片内已有信息的方法不同，可擦除、可再编程ROM可分为两种类型：紫外线擦除PROM（简称EPROM）和电擦除PROM（简称EEPROM或E2PROM）。,3.可擦除可编程只读存储器EPROM,EPROM芯片的顶部有一个圆形的石英窗口，通过紫外线的照射可将片内所有存储信息擦除，根据需要可利用EPROM的专用编程器对其编程写入，写入后的信息可长久保持，EPROM芯片可反复使用,（1）紫外线可擦除的只读存储器EPROMEPROM是可以反复（通常多于100次）擦除原来写入的内容，更新写入新信息的只读存储器。EPROM成本较高，可靠性不如掩模式ROM和PROM，但由于它能多次改写，使用灵活，所以常用于产品研制开发阶段。,E2PROM是一种可用电擦除和编程的只读存储器，既可以像RAM一样随机地进行在线改写，又可以像ROM一样在掉电的情况下非易失地保存数据，其擦写次数可达1万次以上，数据可保存10年以上，可作为系统中可靠保存数据的存储器，故E2PROM比EPROM具有更大的优越性,(2)电可擦除可编程只读存储器E2PROM,E2PROM主要优点是能在应用系统中进行在线读写，并在断电情况下保存的数据信息不丢失。E2PROM的另外一个优点是擦除时可以按字节分别进行（不像EPROM擦除时要把整个片子的内容通过紫外光照射全变为1），也可以全片擦除，E2PROM的擦除不需紫外光的照射，写入时也不需要专门的编程设备。因而使用上比EPROM方便。,4.快闪存储器,快擦除读写存储器（FlashMemory）简称快闪，是近年来发展很快的一种新型半导体存储器。它与E2PROM类似，也是一种电擦写型ROM。与E2PROM的主要区别是E2PROM是按字节擦写，速度慢；而闪存是按块擦写，速度快。从结构上来看，flash芯片可分别为串行传输和并行传输两大类型。,由于闪速EEPROM的集成度已经做得很高，利用它构成存储卡已十分普遍。包括数字相机中的存储卡，优盘，IC卡等。,其中，串行flash节约空间和成本，但存储容量较小，速度慢；而并行flash存储容量大，速度快，存取时间约为65170ns。,上页,下页,返回,小结,3.4.1存储器与CPU的连接,在微型计算机中，CPU对存储器进行读/写操作，首先要由地址总线给出地址信号，然后要发出存储器读/写控制信号，最后才能在数据总线上进行信息交换。所以,存储器与CPU的连接，主要是地址线的连接、数据线的连接、片选信号线和存储器读或写控制线的连接。,3.4半导体存储器接口,存储器通过总线与CPU连接，它们之间要交换地址信息、数据和控制信息。其接口信号如图。,接口信号说明：地址信号：A0Am数据信号：D0Dn读、写信号：RD、WR（有时二者合二为一）片选信号：CS（高地址译码产生）,计算机应用系统的存储器通常都是由多片存储器芯片组成的。芯片内部都自带有地址译码电路，芯片内部的存储单元由芯片内部的译码电路对芯片的地址线输入的地址进行译码来选择，这称之为字选。字选只要从地址总线的最低位A0开始，把它们与存储器芯片的地址线依次相连即可完成。而存储器芯片则由地址总线中剩余的高位线来选择，这就是片选。片选是研究的主要问题。,1.存储器芯片与地址总线的连接,地址线与存储单元间的关系是：存储单元=2X(x为地址线数）即每增加1根地址线，其中所含的存储单元数就在原基础上翻一倍。,上页,下页,返回,地址线数与存储单元数的关系表,存储器芯片的地址线与地址总线的连接即字选，自选原则是从地址总线的最低位A0开始，把它们与存储器芯片的地址线依次相连。,2.存储器芯片的片选线与地址总线的连接,片选信号的产生方式（1）线选方式（线选法）（2）译码方式,所谓线选法，是直接以系统的高位地址作为存储器芯片的片选信号，为此只需把用到的地址线与存储器芯片的片选端直接连接即可。线选法连接的特点是简单明了，且不需要另外增加电路。但这种连接方法对存储空间的使用是断续的，不能充分有效的利用地址空间，只适用于存储器芯片较少的存储器。,所谓译码法，就是使用译码器对系统总线中字选余下的高位地址线进行译码，以其译码输出作为存储器芯片的片选信号。这是一种最常用的地址译码方法，能有效地利用地址空间，适用于大容量多芯片的连接。译码电路可以使用现有的译码器芯片。常用的译码芯片有74LS139（双2-4译码器），74LS138（3-8译码器）和74LS154（4-16译码器）等。,74LS138经常用来作为存储器的译码电路。74LS138是3-8译码器，它有3个输入端、3个控制端及8个输出端。,74LS138引脚图,存储器芯片有1位、4位和8位等不同的结构，对应其芯片的数据线分别为1根、4根和8根不等。在与8088的8根数据线相连时，就要采用并联的方式。具体的连接方法是：1位的存储器芯片，则要用8片，将每片的1根数据线分别与数据总线的8根数据线相连，8片的地址相同。4位的存储器芯片，则要用2片，将每片的4根数据线分别与数据总线的高4位和低4位相连，2片的地址也相同。8位的存储器芯片，则将它的8根数据线分别与8根数据线相连即可。,3.存储器芯片与数据总线的连接,存储器芯片与控制总线的连接比较简单，仅有输出允许线OE（或RD）和写允许线WE（或WR）这2个信号的连接。,4.存储器芯片与控制总线的连接,对字长进行扩充（当所用存储芯片中每个单元的位数小于CPU字长时，就采用位扩展）。,一、存储器容量的扩展当芯片容量不能满足要求时，需将若干芯片组合起来，以满足容量要求。,1、位扩展(扩展字长）,方法：将各芯片地址端、读写控制端、片选信号端（CS）并联，数据端分别引出。,1、位扩展(扩展字长）,上页,下页,返回,解：假定CPU的字长为8位，则需要8片64k1位芯片并联使用。有64k个存储单元，需地址线16根，A15-A0。,例：用64k1位芯片组成64k8位的存储器。,位数的扩展：地址线、片选线和读写信号线并联，数据线单独引出,上页,下页,返回,上页,下页,返回,2、字扩展(当位满足，而字不够时）扩展存储单元数,当所用存储芯片中每个单元的位数与CPU相同时，如果所要求的存储容量大于一片芯片的存储容量，就采用字扩展法。,2、字扩展(当位满足，而字不够时）扩展存储单元数,上页,下页,返回,例：用16k8位芯片组成64k8位的存储器。,2、字扩展16k8位64k8位,单元个数的扩展：地址线、读写信号线和数据线并联,片选线单独引出,上页,下页,返回,A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0,上图中各芯片的地址范围：,00,01,10,11,上页,下页,返回,3、字、位扩展,D7D4D3D0,分析：用16K4位的存储器芯片组成64K8位的存储器，需多少片这样的芯片？如何连接？,上页,下页,返回,1设计1KBRAM与CPU的连接（1）计算出所需的芯片数。（2）构成数据总线所需的位数和系统所需的容量。（3）控制线，数据线，地址线对应相连。,存储器的接口设计连接举例,1、8088CPU与存储器的连接,3.4.4典型CPU与存储器的连接,2、8086CPU与存储器的连接,3、80286CPU与存储器的连接,存储器系统的层次结构,上页,下页,返回,3.5虚拟存储器,程序和数据最初都存放在某个大容量的辅存中（例如硬盘），当需要时才把他们从辅存中传到内存中去，然后执行。有时，一个程序及数据要比主存的容量还大，这就无法运行。,5.1虚拟存储器概述,3.5虚拟存储器,为解决这类问题，采用硬件和软件的综合技术虚拟存储器（VirtualMemory）。它将主存和辅存的地址空间统一编址，形成一个庞大的存储空间。程序运行时，允许存在虚拟存储器中的数据或程序只有一部分调入主存，CPU以虚地址访问主存，则硬件和软件找出虚地址和物理地址的对应关系，判断这个虚地址指示的存储单元内容是否已装入内存。,如果在主存，CPU就直接执行程序块从辅存调入主存，并把程序虚地址变成实地址，覆盖原先存在的一部分程序后继续运行。这种调度是以程序块为单元进行的。,虚拟存储器允许用户把主存、辅存视为一个统一的虚拟内存。用户可以对海量辅存中的存储内容按统一的虚地址编排，在程序中使用虚地址。当程序运行，CPU访问虚地址内容时，发现已存于主存中(命中)，可直接利用；若发现未在主存中(未命中)，则仍需调入主存，并存在适当空间，有了实址后，CPU可以真正访问使用。,上述过程虽未改变主存，辅存的地位、性质，但最重要程序的调度工作由计算机系统的硬件和软件(操作系统)统一管理，自动进行，辅存相对用户是透明的，大大方便了用户。,上页,下页,返回,5.4.2实地址和虚地址,物理地址（实地址即主存地址）由CPU地址引脚送出，用于访问主存的地址。虚拟地址（逻辑地址）由编译程序生成的，是程序的逻辑地址，其地址空间的大小受到辅助存储器容量的限制。,程序局部性原理,主存-外存层次和cache-主存层次用的地址变换映射方法和替换策略是相同的，都基于程序局部性原理。它们遵循的原则是：,把程序中最近常用的部分驻留在高速的存储器中。一旦这部分变得不常用了，把它们送回到低速的存储器中。这种换入换出是由硬件或操作系统完成的，对用户是透明的。力图使存储系统的性能接近高速存储器，价格接近低速存储器。,两种存储系统的主要区别在于：在虚拟存储器中未命中的性能损失要远大于cache系统中未命中的损失。,PC系列机不断发展，其主存容量、速度和使用器件等方面经常有所变化，但当前使用的多种PC机，仍有一些共同的特点：(1)主存采用动态RAM，Cache采用静态RAM。(2)作为通用微型计算机，主存仅有少量的ROM(约几十KB)，留有一定的用户ROM空间，大量的是RAM器件，供多用户多任务使用。,3.6PC系列机中的主存储器,一、PC系列机中主存的基本情况,显示卡上都设有一块与屏幕显示位置对应的存储区，称为显示缓存VRAM，它实际上是一块动态随机存取存储器DRAM，用来存放当前屏幕显示的数据。也就是说，显示缓存中某一地址的数据，决定了当前屏幕上某一点的色彩属性。因此，显示存储器的容量决定了最大显示分辨率及显示深度。,二、特殊存储器,1.显示存储器(VRAM),显存容量的大小决定着显存临时存储数据的能力，在一定程度上也会影响显卡的性能。显存容量也是随着显卡的发展而逐步增大的，并且有越来越增大的趋势。显存容量从早期的512KB、1MB、2MB等极小容量，发展到8MB、12MB、16MB、32MB、64MB、128MB，一直到目前主流的256MB、512MB和高档显卡的1024MB，某些专业显卡甚至已经具有2GB的显存。,二、特殊存储器,1.显示存储器(VRAM),CMOSRAM采用CMOS工艺制成，功耗很少。在断电后，它由电容电池(或钮扣电池)等供电，维持内存信息。开机后，由CPU读取以明确硬件环境，便于正常工作。,2.CMOSRAM,由于CMOSRAM可读可写，在开机后由启动设置程序（SETUP）等软件支持，选择或改变系统配置参数。如果出现由于某种原因引发CMOSRAM内容出错，造成主机无法正常启动时，可在断电后，短接电容电池，使其