化学沉铜介绍

1、 目的：在基材表面沉积导电层，实现层间电气连接 化学沉铜（Electroless Copper) ：lating Through Holes生产流程 刷板 去钻污处理 化学沉铜刷 板 目的：1. 去孔口毛刺 2. 板面清洁去钻污处理 目的: 1. 去除内层铜箔残留的钻污,保证结 合良好. 2. 改善孔壁结构,加强结合力. 工艺流程: 溶胀 去钻污 中和溶胀(Swelling) 目的: 使树脂表面膨胀,降低分子键能,利 于去钻污反应的进行. 工艺控制: 温度60-80C 时间5-10 min去钻污(Desmearing) 目的:利用KMnO4的强氧化性,将钻污除去 反应原理: MnO4+C+OH

2、 MnO42-+CO2+2H2O 副反应: MnO4-+OH-MnO42-+O2+2H2O MnO42-+H20 MnO2+O2+2OH-工艺控制: 温度75-85C 时间10-20 min中和（Reducing) 目的：将残留于孔壁的MnO4-、MnO42-、 MnO2还原 工艺控制：温度40-50C 时间4-8 min化学沉铜 工艺流程： 调整 微蚀 预浸 催化 加速 沉铜调整（Conditioner) 目的：调整孔壁电性，利于对胶体钯的 吸附 工艺控制：温度45-55C 时间4-8 min微蚀（Micro Etch) 目的：1. 清洁板面 2. 板面形成粗糙结构,保证沉铜层 与基材铜的结

3、合力. 反应原理:Cu+Na2S2O8 CuSO4+Na2SO4 工艺控制：温度25-35C 时间1-3 min预浸(Predip) 目的: 防止前工位处理对催化槽的污染 工艺控制：温度 常温 时间1-2 min催化（atalyst） 目的：孔壁吸附沉铜反应所需的催化剂 钯胶体（dSnCL3n -) 工艺控制：温度 40-45C 时间 4-6 min 钯胶体的水解：d（SnCL）d+Sn(OH)2+ Sn(OH)4+CL-加速（ccelerator) 目的：将钯d周围的n沉积物除去 工艺控制：温度2-3C 时间- min 反应原理： Sn(OH)2+ Sn(OH)4+- Sn2+ Sn4+H2

4、O化学沉铜（lectroless Copper) 反应原理：Cu2+2HCHO+4OH- Pd Cu+ 2HCOO-+2H20+H2 反应特点：.自身催化反应.一定时间 内沉积一定厚度的铜层 工艺控制：温度-3C 时间- min化学沉铜（lectroless Copper) 主要副反应： Cu2+HCHO+OH-CuO+ HCOO-+H20 CuO+ H20 Cu+ Cu2+ OH- HCHO+ OH- HCOO-+CH3OH 解决方法：.维持鼓气.加强过滤.周 期性维护沉铜槽品质控制 .背光检查：要求级 .沉铜厚度：.um .去钻污厚度：.mg/cm2 .层间结合：热冲击实验、金相切片问题及

5、设备加工能力 问题：.孔内无金属 .孔壁粗糙 .层间分离 加工能力：.加工尺寸：“*”、板厚.mm、板厚孔径比：.最大加工产能m2/月化学沉铜工艺分类 催化剂分类：.胶体钯d（SnCL） .离子钯d2+ 沉铜厚度分类：.沉薄铜（.um） .沉厚铜（.um）化学沉铜存在的缺点 .溶液中含有，废水处理难 .使用甲醛作还原剂，甲醛是致癌物 质不利于健康 .氧化还原反应，过程控制难直接电镀 特点：.不含、等 .反应为物理吸附过程，易控制。 .工艺流程简化 .适用于水平或垂直 分类：.d导电金属薄层 .导电高分子材料 .炭或石墨导电层钯系列 常见工艺流程： （去钻污处理） 整孔 预浸 催化 加速 硫化 后处理 微蚀 供应商：Shipley、Atotech、Blasberg等 适用设备：水平线及垂直线导电性高分子系列 常见工艺流程： （去钻污处理） 整孔 KMnO4氧化处理 有机单体催化处理 浸酸 原理：C+KMnO4 CO2+MnO2 MnO2+ 吡咯 导电性聚吡咯 + Mn2+ 供应商：Atotech、Blasberg等 适用设备：水平线及垂直线碳黑系列 常见工艺流程： （去钻污处理） 清洁 整孔 黑孔化 干燥 微蚀准备 微蚀 水洗 供应商：MacDermid、Electro