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文档简介

1、芯片制造技术中的芯片制造技术中的光刻、刻蚀工艺光刻、刻蚀工艺 INTRADUCTION芯片制造工艺光刻工艺刻蚀工艺光刻+蚀刻最重要决定着芯片的最小尺寸制造时间的40-50%制造成本的30%玻璃模版 光刻光刻 光化学反应蚀刻蚀刻 腐蚀光刻胶膜硅片光刻工艺photoresistsilicon substrateoxide 紫外光光刻胶上的阴影光刻胶的曝光区模版上的铬岛硅衬底光刻胶层氧化层岛使光衰弱的被曝光区光刻胶显影后的最终图形窗口光刻胶层氧化层硅衬底光刻原理使用光敏材料（光刻胶）和可控制的曝光在光刻胶膜层形成三维图形在后续工艺(蚀刻)中,保护下面的材料光刻工艺 显影检查 曝光后烘焙 显影坚膜烘焙

2、紫外光模版对准和曝光光刻胶 旋转涂胶 软烘清洗+喷涂粘附剂HMDS光刻工艺步骤光刻工艺涂胶涂胶曝光曝光显影显影模板模板NormalIncompleteoverunder光刻工艺 显影后光刻工艺 显影后光刻胶上的IC设计图形 晶圆表面腐蚀作用，从Si片表面去除不需要的材料，如Si、SiO2，金属、光刻胶等湿法和干法蚀刻工艺刻蚀工艺 用液体化学剂（如酸，碱和溶剂等）以化学方式去除Si表面的材料刻蚀工艺 湿法 Plasma刻蚀工艺 干法 把衬底表面曝露于气态的等离子体，等离子体与硅片发生物理或/和化学反应，从而去掉曝露的表面材料。亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法曝光曝光显影显影显影液蚀刻蚀刻酸气体去光阻去光阻去光阻液光刻光刻+刻蚀刻蚀开启电极接触窗口开启电极接触窗口蒸

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