单晶硅企业标准标准

1、Q/JMS02.012001XXX有限公司发布 实施发布硅 单 晶企业标准ICS01Q/JZYN 0012015前 言本标准修改采用了Ibis Technology美国Ibis公司硅单晶产品样本，其他技术要求执行了GB/T 12962-2005标准。编写格式按GB/T 1.1-2009标准化工作导则 第1部分：标准结构和编写标准修订。本标准于XXX首次发布。 硅 单 晶1 范围本标准规定了硅单晶的产品术语、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。本标准适用于直拉法制备的硅单晶。产品主要用于制作太阳能电池及其组件。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引

2、用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1551 硅锗单晶电阻率测定 直流二探针法GB/T1552 硅锗单晶电阻率测定 直排四探针法GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T12964 硅单晶抛光片GB/T1

3、3387 电子材料晶片参考面长度测量方法GB/T14140 （所有部分）硅片直径测量方法GB/T14143 300m-900m硅片间隙氧含量红外吸收测量方法GB/T14844 半导体材料牌号表示方法Ibis Technology 美国Ibis公司硅单晶产品样本3 术语和定义下列术语和定义适用于本标准。3.1 径向电阻率变化晶片中心点与偏离中心的某一点或若干对称分布的设定点（典型设定点是晶片半径的1/2处或靠近晶片边缘处）的电阻率之间的差值。这种电阻率的差值可以表示为中心值的百分数。又称径向电阻率剃度。3.2 杂质条纹晶体生长时，在旋转的固液交界面处发生周期行的温度起伏，引起晶体内杂质分布的周期

4、性变化。在晶体的横截面上，该变化呈同心圆或螺旋状条纹。这些条纹反映了杂质浓度的周期性变化，也使电阻率局部变化。择优腐蚀后，在放大1500倍下观察，条纹是连续的。3.3 重掺杂 半导体材料中掺入的杂质量较多，杂质浓度大于1018cm-3为重掺杂。4 产品的分类4.1 分类硅单晶按导电类型分为N型和P型两种类型。4.2 规格滚圆后的直径分为150mm、200mm、210mm三种规格。5 技术要求5.1 直径及其允许误差符合表1规定。 表1 硅单晶的直径及其允许偏差 mm滚圆前单晶直 径以双方合同为准允许偏差以双方合同为准滚圆后单晶直 径150200210允许偏差±0.3±0.3

5、±0.35.2 电阻率5.2.1 电阻率范围和径向电阻率变化符合表2规定。表2 电阻率范围及其径向电阻率变化导电类型掺杂元素电阻率范围（·cm）径向电阻率变化（%）150mm200mm210mmPB0.1-60555注：1、所有电阻率范围的数值是在硅单晶断面使用四探针测量的数值。2、径向电阻率变化是规定端面或硅片上使用直排四探针测定的数值。按照公式 RV=（a-c）/a×100%计算，其中：c硅片中心点处测得的两次电阻率的平均值。a硅片半径中点或距边缘6mm处，以90°间隔的四点处测得的电阻率的平均值。3、此表数值对应的硅单晶晶向均为<100>

6、;。5.3 晶向5.3.1 硅单晶晶向为<100>或<111>晶向。5.3.2 硅单晶晶向偏离度不大于2°。5.4 硅单晶的少数载流子寿命5.4.1 P型硅单晶的少数载流子寿命应15s。5.4.2 如客户有特殊要求，按照合同指标执行。5.5 氧含量5.5.1 硅单晶的间隙氧含量应小于9.5×1017atoms/cm3。具体指标按照合同规定执行。5.5.2 重掺杂硅单晶的氧含量由供需双方商订。5.6 碳含量硅单晶的碳含量应小于5×1016atoms/cm3。5.7 晶体完整性5.7.1 硅单晶的位错密度应不大于100个/cm3，即无位错。5.

7、7.2 硅单晶应无星形结构、六角网络、孔洞和裂纹。5.7.3 电阻率小于0.02·cm的重掺杂硅单晶允许观察到杂质条纹。5.7.4 硅单晶的旋涡缺陷或微缺陷度按照客户要求执行，以合同为准。5.8 金属含量5.8.1 硅单晶的体金属含量由双方商定，按照合同执行。5.8.2 重掺杂硅单晶的基硼、基磷含量有双方商定，按照合同执行。6 试验方法6.1 硅单晶导电类型测量按GB/T1550进行。6.2 硅单晶的电阻率四探针测量按GB/T1522进行。6.3 硅单晶的径向电阻率变化测量按GB/T11073进行。6.4 硅单晶的晶向及晶偏离度测量按GB/T1555进行。6.5 硅单晶的少数载流子寿

8、命测量按GB/T1553进行。6.6 硅单晶的晶体完整性检验按GB/T1554进行。6.7 硅单晶的直径测量按GB/T14140进行。6.8 硅单晶的氧含量按GB/T14143及GB/T1557进行。6.9 硅单晶的碳含量按GB/T1558进行。6.10 硅单晶的体金属含量（Fe）测量方法按照客户要求进行。6.11 重掺硅单晶的基硼、基磷含量测量方法按照客户要求进行。7 检验规则7.1 检验和验收7.1.1 产品由我公司技术质检部进行检验，保证产品符合本标准及其合同要求，并填写厂检报告。7.1.2 客户可对收到的产品按照本标准及其合同标准进行检验，若检验结果与本标准或合同的规定不符，应在收到我方产品之日起三个月内向我方提出，并由双方协商解决。7.2 检验项目每根硅单晶的检验项目包括：长度、直径、导电类型、晶向、晶向偏离、电阻率范围及其径向电阻率变化、晶体完整性、氧含量、碳含量和少数载流子寿命。8 标志、包装、运输和贮存8.1 包装和标志8.1.1 硅单晶用聚苯烯（泡沫）逐锭包装，然后将结包装的晶锭装入包装箱内，并装满填充物，防止晶体松动。8.1.2 包装箱外侧应有“小心轻放”、“防潮”、“易碎”等标识。并标明：a）需方名称、地点；b）产品名称、牌号；c）产品件数及重量（毛重/净重）；d）我公司相关信息。8.2 运输