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文档简介

1、影响沉淀纯度的因素影响沉淀纯度的因素 影响沉淀纯净度的因素影响沉淀纯净度的因素 在重量分析中，要求获得的沉淀是纯净的。但是，沉淀从溶液中析出时，总会或多或少地夹杂溶液中的其它组分。因此必须了解影响沉淀纯度的各种因素，找出减少杂质混入的方法，以获得符合重量分析要求的沉淀。影响沉淀纯度的主要因素有共沉淀现象和继沉淀现象。 1. 1.共沉淀共沉淀 当沉淀从溶液中析出时，溶液中的某些可溶性组分也同时沉淀下来的现象称为共沉淀。共沉淀是引起沉淀不纯的主要原因，也是重量分析误差的主要来源之一。共沉淀现象主要有以下三类。 （1）表面吸附 由于沉淀表面离子电荷的作用力未达到平衡，因而产生自由静电力场。由于沉淀表

2、面静电引力作用吸引了溶液中带相反电荷的离子，使沉淀微粒带有电荷，形成吸附层。带电荷的微粒又吸引溶液中带相反电荷的离子，构成电中性的分子。因此，沉淀表面吸附了杂质分子。 例如：加过量BaCl2到H2SO4的溶液中，生成BaSO4晶体沉淀。沉淀表面上的SO42-由于静电引力强烈地吸引溶液中的Ba2+，形成第一吸附层，使沉淀表面带正电荷。然后它又吸引溶液中带负电荷的离子，如Cl-离子，构成电中性的双电层，如图7-1所示。双电层能随颗粒一起下沉，因而使沉淀被污染。 显然，沉淀的总表面积越大，吸附杂质就越多；溶液中杂质离子的浓度越高，价态越高，越易被吸附。由于吸附作用是一个放热反应，所以升高溶液的温度，

3、可减少杂质的吸附。Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+Ba2+SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-SO42-_-_晶格表 面Ba2+Ba2+- - - - -双电 层Cl-Cl-图图3-1 3-1 品体表面吸附示意图品体表面吸附示意图 （2）吸留和包藏 吸留是被吸附的杂质机械地嵌入沉淀中。包藏常指母液机械地包藏在沉淀中。这些现象的发生，是由于沉淀剂加入太快，使沉淀急速生长，沉淀表面吸附的杂质来不及离开就被随后生成的沉淀所覆盖，使杂质离子或母液被吸留或包藏在沉淀内部。这类共沉淀不能用洗涤的方法将杂质除去，可以借改变沉淀条件或重结晶的方法来减免

4、。 （3）混晶 当溶液杂质离子与构晶离子半径相近，晶体结构相同时，杂质离子将进入晶核排列中形成混晶。例如Pb2+和Ba2+半径相近，电荷相同，在用H2SO4沉淀Ba2+时，Pb2+能够取代BaSO4中的Ba2+进入晶核形成PbSO4与BaSO4的混晶共沉淀。又如AgCl和AgBr、MgNH4PO46H20和MgNH4AsO4等都易形成混晶。为了减免混晶的生成，最好在沉淀前先将杂质分离出去。2.2.后沉淀后沉淀 在沉淀析出后，当沉淀与母液一起放置时，溶液中某些杂质离子可能慢慢地沉积到原沉淀上，放置时间越长，杂质析出的量越多，这种现象称为后沉淀。例如：Mg2+存在时以（NH4）2C2O4沉淀Ca2+，Mg2+易形成稳定的草酸盐过饱和溶液而不立即析出。如果把形成CaC2O4

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