NI电源管理基础知识介绍

1、1 2004 National Semiconductor Corporation2 电源管理概述 低压降稳压器 降压转换器 Simple Switchers 总结 2004 National Semiconductor Corporation3C h a rt T itleD e lta V 2 V & Io u t 1 -2 A ?C h e c k L D O sO th e rw is e , B u c k R e g u la to rsV o u t V in V in V o u t V in(B a tte ry D is c h a rg e )B u c k -B

2、 o o s tR e fe r to W e b e n c hF ly b a c kU s e s T ra n s fo rm e rG e n e ra te s m u ltip le v o lta g e sR e fe r to W e b e n c hV o u t = - V in 特点包括特点包括: 超低工作电压 快速瞬态响应 打开/关闭速度极快 低压降调节 Cin / Cout 要求低射频射频/ /模拟模拟 LDOLDO 系列系列- 特点包括特点包括: Cin / Cout Cin / Cout 要求低要求低 业界最佳的低嘈音 极高的PSRR 低压降调节 打开/关闭

3、速度极快LP595x通用线性稳压器通用线性稳压器11 2004 National Semiconductor Corporation12BoostPWMControllerVinVfeedbackVoFlyback / Buck-boostVinVoPWMControllerVfeedbackForward / BuckVinVoVfeedbackPWMController13 2004 National Semiconductor Corporation14 2004 National Semiconductor Corporation15m mP/DSP coreAntennaI/OAud

4、ioInterfaceA/DD/ALOBaseband digitalAnalog/RFPALNADisplayPSPSPSPSPSPSPSPSBatteryChargerPower distribution: Vg = 2.8-5.5 V1.5 V1-3.6 V2.5 V2.5 V2.5 V2.5 V2.7-5.5 V3.6 VBuck SMPS regulators降压稳压器通常作为基带数字核心和RF功率放大器的开关模式电源供应 2004 National Semiconductor Corporation16高性能 ABCD150 核心400mA,可变输出电压, PWM/PFM, Mic

5、roSMD10封装500mA, 可变输出电压, PWM/PFM 模式, MicroSMD10封装LM26xxLM2612 *LM2608 *LM2614 +LM2619 +400mA,PWM/PFM 模式,引脚可选择过电压保护MicroSMD10封装400mA,PWM/线性模式,可编程/引脚可选择过电压保护MicroSMD10封装* = 为数字处理器+ = 为RF PA 2004 National Semiconductor Corporation17 2004 National Semiconductor Corporation18Vout up to 600mA12543VINSWENGN

6、DL2.2uHCOUT10uFCIN10uFLM3671VIN2.5V to 5.5VFB输出电压:1.8V, 1.5V, 1.2V 或可调. 查阅数据表看可供选择的最新的电压生产: 04年7月 2004 National Semiconductor Corporation19 2004 National Semiconductor Corporation20Power Efficiency: Vout = 1.5V60%65%70%75%80%85%90%95%100%3.03.43.84.24.65.0Input Voltage (V)Power EfficiencyIOUT = 200m

7、AIOUT = 150mA 2004 National Semiconductor Corporation21 2004 National Semiconductor Corporation22 2004 National Semiconductor Corporation23 2004 National Semiconductor Corporation24 2004 National Semiconductor Corporation25 2004 National Semiconductor Corporation26 2004 National Semiconductor Corpor

8、ation27 2004 National Semiconductor Corporation28VinILIM1ILIM2C1C30.1uC9,0.1uR1,15kR3,15kQ1KS2HDRV2SW2Q2Q3Q4KS1HDRV1SW1CBOOT1CBOOT2LDRV1LDRV2PGND1PGND2T1L1, 6.2uH+C13D5+C12LDODRVLDOFBQ5+C1410uFR8R9R747k+C2220uF/30mWLDOUT+12VGNDVO1VO2R5866kR6100kFPWM /2NDFBD1D3D2D4VDD2VDD1RSNS1RSNS2EXTOUT3VLIN5+3.3V+

9、12V INLM2645Q1, Q2, Q3, Q4: 30V/12.5mW10uHN=1:2C154.7uFC1610uFR104.7WC1710uF5V5A3.3V5ALDO: 12v 2004 National Semiconductor Corporation29低成本低成本解决方案解决方案! 2004 National Semiconductor Corporation30特点特点 输入电压范围自 2.2V 至 16V 输出低电压和过电压闭锁 (仅对LM2727) 输出电压可调整低至 0.6V 电源状态标记和输出启用 电流限制不带感应电阻 软启动 开关频率自 50 kHz 至 2 M

10、Hz 小型塑料 TSSOP-14 封装应用应用 机顶盒 为DDR RAM提供 VDDQ 2.5V的核心电压31 2004 National Semiconductor Corporation32 2004 National Semiconductor Corporation330.5 Amp第一代第一代52 kHz88% 峰值效率峰值效率1.0 Amp2.0 Amp第二代第二代150 kHz90% 峰值效率峰值效率强化特点设定标准特点设定3.0 Amp标准设定特点包括标准设定特点包括: 热停机热停机, 电流限制保护电流限制保护, 停机引脚停机引脚.强化设定特点包括强化设定特点包括: 误差标记误

11、差标记, 误差输出延迟误差输出延迟, 关机关机/软启软启动动, 热停机热停机, 电流限制保护电流限制保护.LM2576HVLM2574HVLM2575HVLM2593HVLM2592HVLM2591HVLM2590HVTO220 TO263LM2597HVLM2594HVLM2576HV标准特点设定强化特点设定 2004 National Semiconductor Corporation340.5 Amp第二代第二代150 kHz90% 峰值效率峰值效率1.0 Amp1.5 Amp第三代第三代260 kHz96% 峰值效率峰值效率LM2594LM2595标准设定特点包括标准设定特点包括: 热

12、停机热停机, 电流限制保护电流限制保护, 关机关机.强化设定特点包括强化设定特点包括: 关机关机/软启动软启动, 热停机热停机, 电流限制保护电流限制保护 和和1误差标记误差标记, 误差输出延迟误差输出延迟. 2频率同步频率同步 (260-400kHz). 3频率同步频率同步 (500kHz-1MHz).LM2598LM2597LM2675LM2674LM2672LM2671标准特点设定标准特点设定强化特点设定1强化特点设定2强化特点设定3 2004 National Semiconductor Corporation353.0 Amp第二代第二代150 kHz90% 效率效率5.0 Amp第

13、三代第三代260 kHz96% 效率效率LM2596标准设定特点包括标准设定特点包括: 热停机热停机, 电流限制保护电流限制保护, 关机关机.强化设定特点包括强化设定特点包括: 热停机热停机, 电流限制保护和电流限制保护和1 误差标记误差标记, 误差输出延迟误差输出延迟. 2 频率同步频率同步, 关机关机.3可编程电流设置可编程电流设置, 软启动软启动.LM2599LM2678LM2676LM2677LM2670LM2673LM2679标准特点设定标准特点设定强化特点设定1强化特点设定2强化特点设定336 2004 National Semiconductor Corporation37LM2698 升压稳压器 竞争竞争: LT1949 和和 MAX1790 Vin 2 - 12VVout 1