开关电源变压器屏蔽层抑制共模EMI的研究

1、开关电源变压器屏蔽层抑制共模EMI的研究0 引言电磁兼容（ Electromagnetic Compatibility，EMC）是指电子设备或系统在电磁环境下能正常工作，且不对该环境中任何事物构成不能承受的电磁骚扰的能力。它包括电磁干扰（EMI）和电磁敏感（EMS） 两方面。由于开关电源中存在很高的di /dt 和du /dt，因此，所有拓扑形式的开关电源都有电磁干扰的问题。目前克服电磁干扰的技术手段主要有：在电源的输入、输出端设置无源或有源滤波器，设置屏蔽外壳并接地，采用软开关技术和变频控制技术等。开关电源中，EMI 产生的根本原因在于存在着电流、电压的高频急剧变化，其通过导线的传导，以及电

2、感、电容的耦合形成传导EMI。同而电流、电压的变化必定伴有磁场、电场的变化，因此，导致了辐射EMI。本文着重分析变压器中共模传导EMI 产生的机理，并以此为依据，阐述了变压器中不同的屏蔽层设置方式对共模传导EMI 的抑制效果。1 高频变压器中传导EMI 产生机理以反激式变换器为例，其主电路如图1 所示。开关管开通后，变压器一次侧电流逐渐增加，磁芯储能也随之增加。当开关管关断后，二次侧整流二极管导通，变压器储能被耦合到二次侧，给负载供电。图1 反激变换器在开关电源中，输入整流后的电流为尖脉冲电流，开关开通和关断时变换器中电压、电流变化率很高，这些波形中含有丰富的高频谐波。另外，在主开关管开关过程

3、和整流二极管反向恢复过程中，电路的寄生电感、电容会发生高频振荡，以上这些都是电磁干扰的来源。开关电源中存在大量的分布电容，这些分布电容给电磁干扰的传递提供了通路，如图2 所示。图2 中，LISN 为线性阻抗稳定网络，用于线路传导干扰的测量。干扰信号通过导线、寄生电容等传递到变换器的输入、输出端，形成了传导干扰。变压器的各绕组之间也存在着大量的寄生电容，如图3 所示。图3 中，A、B、C、D 4 点与图1 中标识的4点相对应。图2 反激式开关电源寄生电容典型的分布图3 变压器中寄生电容的分布在图1 所示的反激式开关电源中，变换器工作于连续模式时，开关管VT 导通后，B 点电位低于A 点，一次绕组

4、匝间电容便会充电，充电电流由A 流向B;VT 关断后，寄生电容反向充电，充电电流由B 流向A。这样，变压器中便产生了差模传导EMI。同时，电源元器件与大地之间的电位差也会产生高频变化。由于元器件与大地、机壳之间存在着分布电容，便产生了在输入端与大地、机壳所构成回路之间流动的共模传导EMI 电流。具体到变压器中，一次绕组与二次绕组之间的电位差也会产生高频变化，通过寄生电容的耦合，从而产生了在一次侧与二次侧之间流动的共模传导EMI 电流。交流等效回路及简化等效回路如图4所示。图4 中：ZLISN为线性阻抗稳定网络的等效阻抗；CP为变压器一次绕组与二次绕组间的寄生电容；ZG为大地不同点间的等效阻抗；

5、CSG为输出回路与地间的等效电容；Z 为变压器以外回路的等效阻抗。图4 变压器中共模传导EMI 的流通回路2 变压器中共模传导EMI 数学模型以图3 所示的变压器为例，最上层一次绕组与二次绕组间的寄生电容最大，是产生共模传导EMI 的主要原因，故以下主要分析这两层间分布电容对共模传导EMI 的影响，忽略变压器其他绕组对共模传导EMI 的影响。设一次绕组有3 层，每层m 匝，二次绕组仅一层，为n 匝。当变压器磁芯中的磁通发生变化，便会同时在一次侧和次级产生感应电动势。根据叠加定理，可认为这是仅一次绕组有感应电动势、二次绕组电动势为零和仅二次绕组有感应电动势、一次绕组电动势为零两种情况的叠加。仅一

6、次绕组有感应电动势、二次绕组电动势为零的情况如图5 所示。图5 中：e1为每匝一次绕组的感应电动势；C1x为一匝最外层一次绕组与二次绕组间的寄生电容。图5 仅一次绕组有感应电动势的情况在此情况下，由一次侧流向次级的共模电流为：在仅二次绕组有感应电动势、一次绕组电动势为零的情况如图6 所示。图6 中：e2为每匝二次绕组的感应电动势；C2x为一匝二次绕组与一次绕组最外层间的寄生电容。图6 仅二次绕组有感应电动势的情况在此情况下，由次级流向一次侧的共模电流为：根据叠加原理，可得在一次侧最外层绕组和次级间流动的共模电流：3 屏蔽绕组抑制共模传导EMI 原理根据图3 所示的结构。绕制变压器，并在交流整流滤波后增设13 mH 差模滤波电感和6. 8差模滤波电容，对开关电源进行传导EMI 测试，结果如图6 所示。由图6 可见，传导EMI 非常严重，不能通过电磁干扰测试。在交流整流前增设35 mH 共模滤波电感，传