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1、高中物理选修3-2知识点总结第四章电磁感应1 .两个人物:a.法拉第:磁生电b.奥斯特:电生磁2 .感应电流的产生条件:a.闭合电路b.磁通量发生变化注意:产生感应电动势的条件是只具备b产生感应电动势的那部分导体相当于电源电源内部的电流从负极流向正极3 .感应电流方向的判定:(1)方法一:右手定则(2)方法二:楞次定律:(理解四种阻碍)阻碍原磁通量的变化(增反减同)阻碍导体间的相对运动(来拒去留)阻碍原电流的变化(增反减同)面积有扩大与缩小的趋势(增缩减扩)4 .感应电动势大小的计算:(1)法拉第电磁感应定律:A、内容:闭合电路中感应电动势的大小,跟穿过内一电路的磁通量的变化率成正比。B、表达
2、式: E = n (2)磁通量发生变化情况B不变,S变,Ae=B&SS不变,B变,a6=absB和S同时变,©=%*,(3)计算感应电动势的公式- A*求平均值:E =nt求瞬时值:E = BLv (导线切割类)导体棒绕某端点旋转:E -BL2 25 .感应电流的计算:瞬时电流:I =旦=四(瞬时切割)% %心、心、6 .安培力的计算:B212v瞬时值:F =BIL =里小R rn :7 .通过截面的电何重:q = I寸=R r注意:求电荷量只能用平均值,而不能用瞬时值8 .(1)定义:是指由于导体本身的电流发生变化而产生的电磁感应现象。(2)决定因素:线圈越长,单位长度上的
3、匝数越多,截面积越大,它的自感系数就越大。另外,有铁芯的线圈自感系数比没有铁芯时大得多。(3)类型:通电自感和断电自感工 4A£ S aE S接通电源的瞬间,灯 泡A1较慢地亮起来。断开开关的瞬间,灯 泡A逐渐变暗。(4)单位:亨利(H)、毫亨(mH)、微亨(NH )(5)涡流及其应用定义:变压器在工作时,除了在原副线圈中产生感应电动势外, 变化的磁通量也会在哎铁 芯中产生感应电流。 一般来说,只要空间里有变化的磁通量, 其中的导体中就会产生感应电 流,我们把这种感应电流叫做涡流应用:a.电磁炉b.金属探测器,飞机场火车站安全检查、扫雷、探矿第五章交变电流一、交变电流的产生1、原理:
4、电磁感应2、两个特殊位置的比较:中性面:线圈平面与磁感线垂直的平面。线圈平面与中性面重合时(SXB):磁通量由最大, =0, e=0, i=0 ,感应电流方向:t改变。A巾线圈平面平行与磁感线时(S/ B): *=0, 最大,e最大,i最大,电流方向不变。t3、穿过线圈的磁通量与产生的感应电动势、感应电流随时间变化的函数关系总是互余的:取中性面为计时平面:磁通量:4=m coscot = BS coscot电动势表达式:e = Em sin 0t = NBS0 sin 6t路端电压:u =Um sint = Emsin0 t电流:i = Imsin0t = fm-sin0tmR rmR r.
5、271r一角速度、周期、频率、转速关系:S = =2d=2nnT二、表征交变电流的物理量1、瞬时值、峰值(最大值)、有效值、平均值的比较物理量物理含义重要关系适用情况及说明瞬时值交变电流某一时刻的值e = Em sin oti = I msin ot计算线圈杲时刻的受力情况取大值取大的瞬时值Em = NBS。Em=N*m«I = ' 1 m-R + r讨论电容器的击穿电压(耐压值)功效值跟交变电流的热效应等效的恒定电流值对正(余)弦交流电后:匚Em11U m"就'U=T2 I mI =72(1)计算与电流的热效应有关的 量(如功、功率、热量)等(2)电气设备
6、“铭牌”上所标的一般是有效值(3)保险丝的熔断电流为有效值平均值交变电流图像中图线与 时间轴所夹的面积与时 间的比值二 AeE =n匚白计算通过电路截面的电荷量、电感和电容对交变电流的作用电感电容对电流的作用“对交变电流有阻碍作用直流电不能通过电容器,交流电能通过 但有阻碍作用影响因素自感系数越大,交流电频率越大,阻碍作用越大,即感抗越大电容越大,交流电频率越大,阻碍作用越小,即容抗越小应用低频扼流圈:通直流、阻交流隔直电容:通交流、隔直流高频扼流圈:通低频、阻高频一路电容:通局频、阻低频四.变压器:1、原、副线圈中的 磁通量的变化率 相等。U in111n2:=一,一=一,吨=队,即 U1I
7、1 =U2I2U2n2I2n12、变压器只变换交流,不变换直流,更不变频。原、副线圈中交流电的频率一样:f 1=f2五、电能输送的中途损失:(1)功率关系: P-心,P3=P4, B = P损+ P3(2)输电导线损失的电压:UlU2-U3=I线R线(3)输电导线损耗的电功率:P损=P2 P3 =U/线=I=(9)2%U2六、变压器工作时的制约关系(1)电压制约:当变压器原、定,即 U=n2U1/ni,可简述为(2)电流制约:当变压器原、副线圈的匝数比( “原制约副”.副线圈的匝数比(ni/m) 一定时,输出电压 12由输入电压决圈中的电流Il由副线圈中的输出电流 I2决定,即ni/禀)一定,
8、且输入电压 U确定时,原线 I i=n2l 2/ ni,可简述为“副制约原”(3)负载制约:变压器副线圈中的功率P2由用户负载决定,P2=P负1+P负2+;变压器副线圈中的电流12由用户负载及电压 U2确定, 动态分析问题的思路程序可表示为:I2=P2/U;总功率 P总=P线+F2.Ui =niI2 =-UU o nR负载Ul-Uj-U2 I2决定决定P =P2(IiUi =/2)、I- 11决定P =IiUj P- P决定k为霍尔系数)Ut B第六章传感器光敏电阻在光照射下电阻变化的原因:有些物质,例如硫化镉,是一种半导体材料,无光照时,载流子极少,导电性能不好;随着光照的增强,载流子增多,导电性变好。光照越强,光敏电阻阻值越小。 金属导体的电阻随温度的升高而增大,热敏电阻的阻值随温度的升高而减小,且阻值随温度变化非常明显。 1.光敏电阻 2.热敏电阻和金属热电阻 3.电容式位移传感器 4 .力传感器将力信号转化为电流信号的元件。5.霍尔元件 霍尔元件是将电磁感应这个磁学量转化为电压这个电学量的元件。 外部磁场使运动的载流子受到洛伦兹力,在导体板的一侧聚集, 在导体板的另一侧会出现多余的另一种电荷,从而形成横向电场;横向电场对电子施加与洛伦兹力方向相反的静电力, 当静电力
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