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文档简介

1、区分P型和N型半导体 用啥子实验方法咱讨论一下杂质半导体杂质半导体N型半导体（型半导体（N为为Negative的字头，由于电子带负电荷而得此名）：掺入少量的字头，由于电子带负电荷而得此名）：掺入少量杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由电子。

2、于是，电子。于是，N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体，其导电性主要型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。是因为自由电子导电。P型半导体（型半导体（P为为Positive的字头，由于空穴带正电而得此名）：掺入少量杂的字头，由于空穴带正电而得此名）：掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候，会产生一个共价键的时候，会

3、产生一个“空穴空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来，这个空穴可能吸引束缚电子来“填填充充”，使得硼原子成为带负电的离子。这样，这类半导体由于含有较高浓度，使得硼原子成为带负电的离子。这样，这类半导体由于含有较高浓度的的“空穴空穴”（“相当于相当于”正电荷），成为能够导电的物质。正电荷），成为能够导电的物质。根据塞贝克效应的正负来判断呀测定试样的Mott-Schottky曲线呀霍尔效应呀PN型号测试仪测试呀测光电流呀根据塞贝克的正负来判断，电子为负数，空穴为正数产生Seebeck效应的主要原因是热端的载流子往冷端扩散的结果。p型半导体，由于其热端空穴的浓度较高，则空穴便从高温端向低温端扩散；在开路情况下，就在p型半导体的两端形成空间电荷（热端有正电荷，冷端有负电荷），同时在半导体内部出现电场；当扩散作用与电场的漂移作用相互抵消时，即达到稳定状态，在半导体的两端就出现了由于温度梯度所引起的电动势温差电动势。n型半导体的温差电动势的方向是从低温端指向高温端（Seebeck系数为负），相反，p型半导体的温差电动势的方向是高温端指向低温端（Seebeck系数为正），因此利用温差电动势的方向即可判断半导体的导电类型。可以测定试样的可以测定试样的Mott-Sc

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