项目1扩音机放大电路

1、 功率放大电压放大话筒电压放大1.2.1 半导体的导电特性半导体的导电特性1.2.3 二极管的结构二极管的结构1.2.6 特殊二极管特殊二极管1.2.2 PN结及其单向导电性结及其单向导电性1.2.4 二极管的伏安特性二极管的伏安特性1.2.5 二极管的主要参数二极管的主要参数导体：导体：自然界中很容易导电的物质称为自然界中很容易导电的物质称为导体导体，金属，金属一般都是导体。一般都是导体。绝缘体：绝缘体：有的物质几乎不导电，称为有的物质几乎不导电，称为绝缘体绝缘体，如橡，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。皮、陶瓷、塑料和石英。半导体：半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘另有一类物质的导电特性

2、处于导体和绝缘体之间，称为体之间，称为半导体半导体，如锗、硅、砷化镓，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。和一些硫化物、氧化物等。1.2.1 半导体的导电特性半导体的导电特性硅和锗的共价键结构图硅和锗的共价键结构图+4硅和锗的原子结构硅和锗的原子结构简化模型简化模型半导体的导电特性半导体的导电特性1.2.1 半导体的导电特性半导体的导电特性掺杂性：掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力 明显改变明显改变(可做成各种不同用途的半导体器可做成各种不同用途的半导体器 件，如二极管、三极管和晶闸管等件，如二极管、三极管和晶闸管等)。光敏性：光敏性：当受

3、到光照时，导电能力明显变化当受到光照时，导电能力明显变化 (可做成可做成 光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管等光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管等)。热敏性：热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强当环境温度升高时，导电能力显著增强 （可做成温度敏感元件，如热敏电阻）。（可做成温度敏感元件，如热敏电阻）。半导体的特性：半导体的特性：1.2.1 半导体的导电特性半导体的导电特性本征半导体：本征半导体：完全纯净的、晶格完整的半导体。完全纯净的、晶格完整的半导体。半导体的分类：半导体的分类：1.2.1 半导体的导电特性半导体的导电特性杂质半导体：杂质半导体：本征半导体中掺入某些微量的杂质，本征半导体中

4、掺入某些微量的杂质， 这使掺杂后的半导体的导电能力大大增强。这使掺杂后的半导体的导电能力大大增强。 掺入的杂质为掺入的杂质为五价元素五价元素为为 N 型半导体。型半导体。 掺入的杂质为掺入的杂质为三价元素三价元素为为 P 型半导体。型半导体。 Si Si Si Si价电子价电子这一现象称为这一现象称为本征激发。本征激发。空穴空穴自由电子自由电子1.2.1 半导体的导电特性半导体的导电特性1.2.1 半导体的导电特性半导体的导电特性 Si Si Si Sip+多余多余电子电子磷原子磷原子常温下可变常温下可变为自由电子为自由电子失去一个失去一个电子变为电子变为正离子正离子1.2.1 半导体的导电特

5、性半导体的导电特性 Si Si Si SiB硼原子硼原子空穴空穴1.2.1 半导体的导电特性半导体的导电特性思考题：思考题：1.2.2 PN结及其单向导电性结及其单向导电性PN结的形成结的形成多子的扩散运动多子的扩散运动内电场内电场少子的漂移运动少子的漂移运动浓度差浓度差扩散的结果使空扩散的结果使空间电荷区变宽。间电荷区变宽。空间电荷区也称空间电荷区也称PN 结。结。 +形成空间电荷区形成空间电荷区扩散运动和漂移运动的动态平衡：扩散运动和漂移运动的动态平衡：扩散强扩散强漂移运动增强漂移运动增强内电场增强内电场增强两者平衡两者平衡PNPN结宽度基本稳定结宽度基本稳定外加外加电压电压平衡平衡破坏破

6、坏扩散强扩散强漂移强漂移强PNPN结导通结导通PNPN结截止结截止1.2.2 PN结及其单向导电性结及其单向导电性 外电场外电场IF内电场内电场PN+1.2.2 PN结及其单向导电性结及其单向导电性+IR1.2.2 PN结及其单向导电性结及其单向导电性 PN结的单向导电性结的单向导电性正向导通反向截止正向导通反向截止u 在在PN结结加上正向电压加上正向电压或或正向偏置正向偏置的意思都是：的意思都是： P区加正、区加正、N区加负电压。区加负电压。 当当PN结正向偏置时，回路中将产生一个较大的结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流，正向电流，PN 结处于结处于导通状态。导通状态。uPN结结加

7、上反向电压加上反向电压或或反向偏置反向偏置的意思都是：的意思都是：P区加负、区加负、N区加正电。区加正电。 当当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零，几乎等于零，PN 结处于结处于截止状态截止状态。1.2.2 PN结及其单向导电性结及其单向导电性 二极管二极管=PN结结+管壳管壳 +引线引线结构结构:符号符号:1.2.3 二极管的结构二极管的结构分类分类: 按材料分：按材料分： 硅管硅管(Si管管)、锗管、锗管(Ge管管) 。 按封装形式分：按封装形式分： 塑料封装、玻璃封装、塑料封装、玻璃封装、 金属封装。金属封装。金属触丝金属触丝阳极引

8、线阳极引线N型锗片型锗片阴极引线阴极引线外壳外壳( a ) 点接触型点接触型铝合金小球铝合金小球N型硅型硅阳极引线阳极引线PN结结金锑合金金锑合金底座底座阴极引线阴极引线 (b) 面接触型面接触型1.2.3 二极管的结构二极管的结构 按管子结构分：按管子结构分： 点接触型二极管、点接触型二极管、 面接触型二极管。面接触型二极管。 按用途分：按用途分： 普通管、整流管、稳压管、普通管、整流管、稳压管、 检波管、开关管、发光管等。检波管、开关管、发光管等。几种常见的二极管外形：几种常见的二极管外形：1.2.3 二极管的结构二极管的结构反向击穿反向击穿电压电压U(BR)反向特性反向特性PN+PN+U

9、I01.2.4 二极管的伏安特性二极管的伏安特性PN+PN+1.2.4 二极管的伏安特性二极管的伏安特性允许流过二极管的最大正向平均电流。允许流过二极管的最大正向平均电流。保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压。保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压。一般是二极管反向击穿电压一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。的一半或三分之二。二极管加最高反向工作电压时的反向电流。二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，反向电流大，说明管子的单向导电性差，受温度受温度的影响，温度越高反向电流越大。的影响，温度越高反向电流越大。1.2.5 二极管的主要参数二极管的主

10、要参数UZIZIZM UZ IZUIO正向正向反向反向1.2.6 特殊二极管特殊二极管ZZ ZIUr1.2.6 特殊二极管特殊二极管1.2.6 特殊二极管特殊二极管3） 光电二极管光电二极管E=0E1E2E2 E1图图14.6.2 光电二极管符号和输出特性曲线光电二极管符号和输出特性曲线1.2.6 特殊二极管特殊二极管二极管电路分析举例：二极管电路分析举例： 定性分析：定性分析：判断二极管的工作状态判断二极管的工作状态导通导通截止截止否则，否则，若二极管是理想的，若二极管是理想的，二极管电路分析举例：二极管电路分析举例： 分析方法：分析方法： 单个二极管：单个二极管：多个二极管：多个二极管：例

11、例1：D6V12V3k BAUAB+例例2:mA43122D IBD16V12V3k AD2UAB+V sin18itu t (a) 小功率管小功率管 (b) 小功率管小功率管 (c) 大功率管大功率管 (d) 中功率管中功率管半导体三极管分两类：半导体三极管分两类： 双极型三极管（双极型三极管（BJT）-常用；常用； 单极性三极管（场效应管）。单极性三极管（场效应管）。（1）常见三极管的实物）常见三极管的实物1.3.1 常见三极管实物、结构、符号常见三极管实物、结构、符号图图14.5.2 晶体管的结构示意图和符号晶体管的结构示意图和符号(a) NPN型型NNCEBPCETBIBIEICBEC

12、PPNETCBIBIEIC(b) PNP型型CENNPBCEPPNB2）三极管的结构和符号）三极管的结构和符号1.3.1 常见三极管实物、结构、符号常见三极管实物、结构、符号结构特点：结构特点：1.3.1 常见三极管实物、结构、符号常见三极管实物、结构、符号（1）三极管放大的条件：）三极管放大的条件：+ UBE ICIEIB CT E B +UCE (a) NPN 型管型管+ UBE IBIEIC CT EB +UCE 图图14.5.4 电流方向和发射结与集电结的极性电流方向和发射结与集电结的极性(b) PNP 型管型管1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用EEBRBRC（1）三

13、极管放大的条件：）三极管放大的条件：1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用图图14.5.3 晶体管电流放大的实验电路晶体管电流放大的实验电路 （2）三极管的电流放大原理）三极管的电流放大原理mA AVVmAICECIBIERB+UBE +UCE EBCEB3DG1001.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用RP 表表1-1-1 1-1-1 实验电路实验电路测量结果测量结果符合基尔霍夫定律。符合基尔霍夫定律。1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用（3）三极管的伏安特性曲线）三极管的伏安特性曲线 管子各电极

14、电压与电流的关系曲线，是管子内管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。是分析放大电路的依据。重点讨论重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线。应用最广泛的共发射极接法的特性曲线。1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用晶体管共发射极电路晶体管共发射极电路输入回路输入回路输出回路输出回路mA AVVICECIBRB+UBE +UCE EBCEB3DG1001.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用常常数数 CE)(BEBUUfI3DG100晶体管的晶体管的输入特性

15、曲线输入特性曲线O0.40.8IB/ AUBE/VUCE1V604020801.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用常数常数 B)(CECIUfIIC/mAUCE/V100 A80A 60 A 40 A 20 A O 3 6 9 1242.31.5321IB =03DG100晶体管的输出特性曲线晶体管的输出特性曲线共发射极电路共发射极电路ICEC=UCCIBRB+ UBE +UCE EBCEB 在不同的在不同的 IB下，可得出不同的曲线，所以晶体管的下，可得出不同的曲线，所以晶体管的输出特性曲线输出特性曲线是一组曲线。是一组曲线。1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用

16、IC/mAUCE/V100 A80A 60 A 40 A 20 A O 3 6 9 1242.31.5321IB =0 常数常数 B)(CECIUfI1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用IC/mAUCE/V100 A 80A 60 A 40 A 20 A O 3 6 9 1242.31.5321IB =0 对对NPN型硅管，当型硅管，当UBE0.5V时时, 即已开始即已开始截止截止, 为使晶体管可靠为使晶体管可靠截止截止 , 常使常使 UBE 0。 截止时截止时, 集电结也处集电结也处于反向偏置于反向偏置( (UBC0),),此时此时IC 0 , UCE UCC 。IB = 0

17、 的曲线以下的区域称为截止区。的曲线以下的区域称为截止区。IB = 0 时时, IC = ICEO( (很小很小) )。(ICEO1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用IC/mAUCE/V100 A 80A 60 A 40 A 20 A O 3 6 9 1242.31.5321IB =0 IC UCC/RC 。 当当 UCE 0) )，晶体管工作于饱和状态。晶体管工作于饱和状态。1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用晶体管三种工作状态的电压和电流：晶体管三种工作状态的电压和电流：(a)放大放大+ UBE 0 ICIB+UCE + UBC 0 (b)截止截止IC 0

18、IB = 0+ UCE UCC +UBC 0 IB+ UCE 0 + UBC 0 CCCCRUI 1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用 0 0.1 0.5 0.1 0.6 0.7 0.2 0.3 0.3 0.1 0.7 0.3硅管硅管( (NPN) )锗管锗管( (PNP) ) 可靠截止可靠截止开始截止开始截止 UBE/V UBE/VUCE/V UBE/V 截截 止止 放大放大 饱和饱和 工工 作作 状状 态态 管管 型型晶体管结电压的典型值晶体管结电压的典型值1.3.2 三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用1.3.3 三极管的主要性能指标三极管的主要性能指标 BCII_

19、BCII 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 1.3.3 三极管的主要性能指标三极管的主要性能指标53704051BC.II 400400605132BC .II 1.3.3 三极管的主要性能指标三极管的主要性能指标ICBO A+EC AICEOIB=0+1.3.3 三极管的主要性能指标三极管的主要性能指标ICEC=UCCIBRB+ UBE +UCE EBCEB1.3.3 三极管的主要性能指标三极管的主要性能指标ICMU(BR)CEOICUCEO安全工作区安全工作区

20、晶体管的安全工作区晶体管的安全工作区1.3.3 三极管的主要性能指标三极管的主要性能指标1.3.3 三极管的主要性能指标三极管的主要性能指标1.3.4 特殊三极管特殊三极管（1）复合管）复合管方式方式 1：T1NPNT2NPNibicieBECib bic cieNPN 复合管的电流放大系数复合管的电流放大系数 1 2。复合管的类型与复合管中第一只管子的类型相同；复合管的类型与复合管中第一只管子的类型相同；EBCT2NPNibicieBCEib bic ciePNP方式方式 2：1.3.4 特殊三极管特殊三极管（1）复合管）复合管1.3.4 特殊三极管特殊三极管（2）带阻三极管）带阻三极管T1

21、NPNT2NPNBCENPN 带阻三极管是一种内部包含一个或几个电阻带阻三极管是一种内部包含一个或几个电阻的晶体三极管，常用在家用电器和音像设备中。的晶体三极管，常用在家用电器和音像设备中。1.3.4 特殊三极管特殊三极管（2）带阻三极管）带阻三极管 T1PNPT2PNPBCEPNP+UCCRSusRBRCC1C2T+RLui+uo+uBEuCEiCiBiE1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路1.4.1.1电路组成电路组成+UCCRSusRBRCC1C2T+RLui+uo+uBEuCEiCiBiE1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路1.4.1.1电路组成电路组成

22、+UCCRSusRBRCC1C2T+RLui+uo+uBEuCEiCiBiE1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路1.4.1.1电路组成电路组成1.4.1.2 共射放大电路的电压放大作用共射放大电路的电压放大作用UBEIBICUCE无输入信号无输入信号(ui = 0)时：时：uo = 0uBE = UBEuCE = UCEuBEtOiBtOiCtOuCEtO+UCCRBRCC1C2T+ui+uo+uBEuCEiCiBiE1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路ICUCEOIBUBEOQIBUBEQUCEIC1.4.1.2 共射放大电路的电压放大作用共射放大电路的电压放

23、大作用UBEIB？ uCE = UCC iC RC uo 0uBE = UBE+ uiuCE = UCE+ uoICui+UCCRBRCC1C2T+uo+uBEuCEiCiBiEuBEtOiBtOiCtOuCEtOuitOUCEuotO1.4.1.2 共射放大电路的电压放大作用共射放大电路的电压放大作用+集电极电流集电极电流直流分量直流分量交流分量交流分量动态分析动态分析iCtOiCtICOiCticO静态分析静态分析1.4.1.2 共射放大电路的电压放大作用共射放大电路的电压放大作用uitOuotO1.4.1.2 共射放大电路的电压放大作用共射放大电路的电压放大作用1.4.1.3 直流通路和

24、交流通路直流通路和交流通路 1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路+UCCRSusRBRCC1C2T+RLui+uo+uBEuCEiCiBiE直流通路直流通路( IB 、 IC 、 UCE )对直流信号电容对直流信号电容 C 可看作开路（即将电容断开）可看作开路（即将电容断开）断开断开断开断开+UCCRBRCT+UBEUCEICIBIE1.4.1.3 直流通路和交流通路直流通路和交流通路 RBRCuiuORLRSus+ XC 0，C 可看作可看作短路。忽略电源的短路。忽略电源的内阻，电源的端电内阻，电源的端电压恒定，直流电源压恒定，直流电源对交流可看作短路。对交流可看作短路。+U

25、CCRSusRBRCC1C2T+RLui+uo+uBEuCEiCiBiE短路短路短路短路对地短路对地短路1.4.1.3 直流通路和交流通路直流通路和交流通路 放大电路无输入信号放大电路无输入信号( (ui=0) )时工作状态。时工作状态。估算法、图解法。估算法、图解法。各极电压电流的直流分量。各极电压电流的直流分量。放大电路的直流通路。放大电路的直流通路。静态工作点静态工作点Q：IB、IC、UCE 。静态分析：静态分析：确定放大电路的静态值。确定放大电路的静态值。1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路1.4.1.4 放大电路的分析放大电路的分析 1） 静态分析静态分析 (1)CC

26、BEBB 所以：UUIR CCBBUIR根据电流放大作用：根据电流放大作用：CBCEOBBIIIII 当当UBE UCC时，时，+UCCRBRCT+UBEUCEICIB1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路估算法估算法已知：已知：UCC=12V，RC=4k ，RB=300k ， =37.5。解：解：mAmABCCB04030012. RUICB37.50.04mA1.5 mAII VV CCCCCE645112 .RIUU+UCCRBRCT+UBEUCEICIB1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路CECCCCEECCCCE()UUI RI RUIRR CCBEBB

27、E(1 )UUIR R CB II EEBEBBCCRIURIU BBBEBE()1I RU I R解：解：IE+UCCRBRCT+UBEUCEICIB1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路常常数数 B)(CECIUfIUCE = UCC ICRC +UCCRBRCT+UBEUCEICIB1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路法法UCE /VIC/mAOBBECCBRUUI CtanR1 ICQUCEQCCCRUUCC常常数数 B)(CECIUfI直流负载线直流负载线Q由由IB确定的那条确定的那条输出特性与直输出特性与直流负载线的交流负载线的交点就是点就是Q点点1.

28、4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路2） 动态分析动态分析 把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一个线性电路，即把非线性的个线性电路，即把非线性的晶体管线性化晶体管线性化。 晶体管在晶体管在小信号小信号( (微变量微变量) )情况下工作。即在静态工情况下工作。即在静态工作点附近小范围内用直线近似代替晶体管的特性曲线。作点附近小范围内用直线近似代替晶体管的特性曲线。 利用放大电路的微变等效电路分析利用放大电路的微变等效电路分析计算计算放大电路放大电路电压放大倍数电压放大倍数Au、输入电阻

29、、输入电阻ri、输出电阻、输出电阻ro等。等。法法1.4.1 共发射极基本放大电路共发射极基本放大电路beE26(mV)200()(1)(mA)rI CEBBEbeUIUr CEbbeUiu O方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法CEBCUII CEbcUii O方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法ibicicBCEib ib晶体三极管晶体三极管微变等效电路微变等效电路ube+ +- -uce+ +- -ube+ +- -uce+ +- -rbeBEC 晶体管的晶体管的B、E之间之间可用可用rbe等效代替。等效代替。 晶体管的晶体管的C、E之间可用一之间可用一受控电流源受控电流源i

30、c= ib等效代替。等效代替。方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法ibiceSrbe ibRBRCRLEBCui+ +- -uo+ +- -+ +- -RSiiRBRCuiuORL+ + +- - -RSeS+ +- -ibicBCEii方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法ibiceSrbe ibRBRCRLEBCui+ +- -uo+ +- -+ +- -RSiiiUiIbIcIoUbISErbeRBRCRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RS方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法bebirIU LbeuRAr LCL/ /RRR io :UUAu 定定义义rbeb

31、eCrRAu iUiIbIcIoUbISErbeRBRCRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RS LcoRIULb RI 方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法CLLbebe/ /86.5uRRRArr iUiIbIcIoUbISErbeRBRCRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSCCBB0.04UImAR ECB1.5mAIII be26200()(137.5)0.8671.5(mVrkmA (）(）方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法 LcoRIU LCL/RRR Lb RI rbeRBRCRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSiUiIbIcI

32、oUbISEeIREEebebiRIrIU Ebbeb) 1 (RIrI EbeL) 1 (RrRAu方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法SESRiIiUirSESRiIiUiii IUr 输输入入电电阻阻方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法iiIUri beB/rR 时，时，当当beBrR bRiBIIU iberr iUiIbIcIoUbISErbeRBRCRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSriBRI方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法rbeRBRCRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSiUiIbIcIoUbISEeIREEebebiRIrIU

33、 Ebbeb)1 (RIrI Ebeib)1 (RrUI EbeBi)1 (/RrRr riBRI方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法oUoEoooIUr 输出电阻：输出电阻：oUSE方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法iUiIbIcIoUbISErbeRBRCRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSCoooRIUr 求求ro的步骤：的步骤： (1) 断开负载断开负载RLoU (3) 外加电压外加电压oI (4) 求求or外加外加oICRcoIII bcII CoRCRUI 0 0 cb II所所以以 (2) 令令 或或 0S E0iU方法方法1：微变等效电路法：微变等效

34、电路法rbeRBRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSiUbIcIoUbISEeIREiIERbbo IIII EoSBbeoSBbeoRUR/RrUR/RrU ESbeo1/11RRRrr 外加外加oIERIor方法方法1：微变等效电路法：微变等效电路法方法方法2：图解法：图解法DC交流负载线交流负载线 直流负载线直流负载线L1tanR IC/mA4321O4812162080 AA60 A40 A20 AUCE/VQLCR RQuCE/VttiB/ AIBtiC/mAICiB/ AuBE/VtuBE/VUBEUCEiC/mAuCE/VOOOOOOQiCQ1Q2ibuiuo方法方

35、法2：图解法：图解法Q2uOUCEQuCE/VttiC/mAICiC/mAuCE/VOOOQ1方法方法2：图解法：图解法uiuOtiB/ AiB/ AuBE/VtuBE/VUBEOOOQQuCE/VtiC/mAuCE/VOOUCE方法方法2：图解法：图解法+UCCRBRCT+UBEUCEICIBCBOBBECCCEOBC)1 ( IRUUIII当温度升高时，当温度升高时， ， ICBO 。 1.4.2.1 温度变化对静态工作点的影响温度变化对静态工作点的影响1.4.2.1 温度变化对静态工作点的影响温度变化对静态工作点的影响 上式表明，当上式表明，当UCC和和 RB一定时，一定时， IC与与

36、UBE、 以以及及 ICEO 有关有关，而这三个参数随温度而变化。，而这三个参数随温度而变化。温度升高时，温度升高时， IC将增加，使将增加，使Q点沿负载线上移。点沿负载线上移。iCuCEQQ O 前面将的电路是固定偏置电路，其工作点前面将的电路是固定偏置电路，其工作点Q点是点是不稳定的，为此需要不稳定的，为此需要改进偏置电路改进偏置电路。1.4.2.1 温度变化对静态工作点的影响温度变化对静态工作点的影响 当温度升高使当温度升高使 IC 增加时，能够自动减少增加时，能够自动减少IB，从而，从而抑制抑制Q点的变化，保持点的变化，保持Q点基本稳定。点基本稳定。1.4.2.2 分压式偏置电路分压式

37、偏置电路 基极电位基本恒定，基极电位基本恒定，不随温度变化。不随温度变化。2B1BCC21RRUII B2B2B2CCB1B2RVI RURR VBRB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB+UCCuiuo+ICRSeS+2BII 分析：分析：若满足若满足 ，EBEBECRUVII BEBEEBCE UVI RVI R VEVBRB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB+UCCuiuo+ICRSeS+TUBEIBICVEICVB 固定固定1.4.2.2 分压式偏置电路分压式偏置电路CC2B1B2BBURRRV EBEBECRUVII CBII VBRB1RCC1C2RB2CERER

38、LI1I2IB+UCCuiuo+ICRSeS+)(ECCCCEECCCCCERRIURIRIUU 1.4.2.2 分压式偏置电路分压式偏置电路 对交流：对交流：旁路电容旁路电容 CE 将将R 短路短路， R 不起作不起作用用， Au，ri，ro与固定偏置电路相同与固定偏置电路相同。如果去掉如果去掉CE ,旁路电容旁路电容RB1RCC1C2RB2CERERL+UCCuiuo+RSeS+1.4.2.2 分压式偏置电路分压式偏置电路RB1RCC1C2RB2CERERL+UCCuiuo+RSeS+2B1BB/ RRR iUiIbIcIoUbI& &SEeIBRI1.4.2.2 分压式偏

39、置电路分压式偏置电路EbeL) 1(RrRAu beLrRAu EbeB2B1i)1 (R/R/Rrr CoRr beBir/Rr CoRr 1.4.2.2 分压式偏置电路分压式偏置电路RB1RCC1C2RB2CERERL+UCCuiuo+RSeS+osSuUAE & & &？考虑信号源内阻考虑信号源内阻RS 时时LisbeSi u RrArRr 所所以以SosEUAu SiioEUUU SiEUAu iSiSirRrEU ir1.4.2.2 分压式偏置电路分压式偏置电路 在图示放大电路中，已知在图示放大电路中，已知UCC=12V，RC= 6k， RE1= 300，RE

40、2= 2.7k，RB1= 60k，RB2= 20k， RL= 6k ，晶体管，晶体管=50， UBE=0.6V，试求试求: :(1) (1) 静态工作点静态工作点 IB、IC 及及 UCE；(2) (2) 画出微变等效电路；画出微变等效电路；(3) (3) 输入电阻输入电阻ri、ro及及 Au。RB1RCC1C2RB2CERE1RL+UCCuiuo+RE21.4.2.2 分压式偏置电路分压式偏置电路B2BCCB1B22012V3V6020RVURR BBECEE1E23 0.6=0.83VUIImAmARR CB0.8 1650IIAA V8 . 4V38 . 068 . 012)(2E1EE

41、CCCCCE RRIRIUURB1RCRB2RE1+UCCRE2+UCEIEIBICVB1.4.2.2 分压式偏置电路分压式偏置电路k6Co Rrk86. 18 . 02651200I26) 1(200Ebe rBB1B2/ /15 kRRR 其其中中 1EbeBi) 1 (/RrRr k03.8 1EbeL) 1 (RrRAu 69. 8 SEiUiIbIcIoUbI& &eIBRI1.4.2.2 分压式偏置电路分压式偏置电路RB+UCCC1C2RRLui+uo+es+RSEBBECCB)1(RRUUI BE)1(II 1.4.3.1 静态分析静态分析EECCCERIUU +

42、UCCRBR+UCE+UBEIIBICRB+UCCC1C2RRLui+uo+es+RSRB+UCCC1C2RRLui+uo+es+RSrbeRBRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSiUbIcIoUbISEeIRE1.4.3.2 动态分析动态分析1.4.3.2 动态分析动态分析LEL/ RRR LeoRIU Lb1RI ）（ LebebiRIrIU Lbbeb)1 (RIrI LbbebLb)1()1(RIrIRIAu LbeL)1(1RrR ）（rbeRBRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSiUbIcIoUbISEeIRErbeRBRLEBC+ +- -+ +- -+ +- -RSiUbIcIoUbISEeIREiBi/rRr b beeLiibeLbb(1)I rI RUrrRII & & & & & &LEL/RRR irir 1.4.3.2 动态分析动态分析 LbeBi)1 (/RrRr 1sbeoRrrSBS/RRR RrRr 1/sbeEosbeE) 1 ( RRr 通通常常：r