山大数字电子技术基础课件第3章门电路

1、第三章 门电路第二节 CMOS门电路第三节 TTL门电路第一节 半导体二极管门电路上 页下 页返 回2第一节 半导体二极管门电路 半导体二极管的开关特性 二极管与门 二极管或门 概述下页总目录推出3下页返回一、概述1.门电路的概念 用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路，通称为逻辑门电路，简称门电路。常用的门电路在逻辑功能上有：与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等。上页4下页返回上页在二值逻辑中，逻辑变量的取值不是就是，在数字电路中，与之对应的是： 电子开关的两种状态。半导体二极管 、三极管和MOS管，则是构成这种电子开关的基本开关元件。 2.逻辑变量与状态开关5下页返回

2、上页高电平和低电平是两种状态，是两个不同的可以截然区别开来的电压范围。 在电子电路中用高、低电平，分别表示二值逻辑的 1 和 0 两种逻辑状态。3.高、低电平与正、负逻辑控制开关SS断开时，输出高电平S接通时，输出低电平输入信号获得高，低电平的基本原理输出信号R vOSvIVcc6下页返回上页4. 正逻辑和负逻辑10正逻辑01负逻辑用表示高电平用表示低电平用0表示高电平用1表示低电平今后除非特别说明，本书中一律采用正逻辑。7下页返回上页5. 门电路的发展在最初的数字逻辑电路中，每个门电路都是用若干个分立的半导体器件和电阻、电容连接而成的。用这种单元电路组成大规模的数字电路是非常困难的，这就严重

3、地制约了数字电路的普遍应用。随着数字集成电路的问世和大规模集成电路工艺水平的不断提高，今天已经能把大量的门电路集成在一块很小的半导体芯片上，构成功能复杂的“片上系统”。从制造工艺上可以将目前使用的数字集成电路分为双极型、单极型和混合型三种。8下页返回上页1961年美国得克萨斯仪器公司率先将数字电路的元、器件制作在同一硅片上，制成了数字集成电路（Integrated Circuits，简称 IC）。由于集成电路体积小、重量轻、可靠性好，因而在大多数领域里迅速取代了分立器件组成的数字电路。直到20世纪80年代初，采用双极型三极管组成的TTL型集成电路一直是数字集成电路的主流产品。TTL电路存在着一

4、个严重的缺点，这就是它的功耗比较大。因此，用TTL电路只能做成小规模集成电路(简称SSI，其中仅包含10个以内的门电路）和中规模集成电路(简称MSI，其中包含10100个门电路） 。9下页返回上页CMOS集成电路出现于20世纪60年代后期，它最突出的优点在于功耗极低，所以非常适合制作大规模集成电路。随着CMOS制作工艺的不断进步，无论是在工作速度还是在驱动能力上， CMOS电路都已经不比TTL电路逊色。因此， CMOS电路便逐渐取代TTL电路而成为当前数字集成电路的主流产品。但在现有的一些设备中仍旧在使用TTL电路。10下页返回上页二、半导体二极管的开关特性1.理想开关的开关特性 静态：断开时

5、，其等效电阻ROFF = ， 通过其中的电流 IOFF = 0。 闭合时，其等效电阻ROFF = 0， 其上的电压 UAK = 0。动态：开通时间tON = 0。 关断时间tOFF = 0。11下页返回上页2. 半导体二极管的开关特性时，二极管导通时，二极管截止控制二极管的开关状态二极管开关电路VCCRD+-+vOvI假定二极管D为理想二极管动画12下页返回上页二极管的伏安特性vio在分析各种实际的二极管电路时，由于二极管的特性并不是理想的开关特性，所以并不是任何时候都能假定二极管为理想二极管。反向电阻不是无穷大正向电阻不是0为简化分析和计算，常用近似的二极管特性。13下页返回上页+-3. 二

6、极管伏安特性的几种近似方法RL+-VONrD+-VONOivVONOivVONVCC和RL都很小时VON和rD不能忽略Oiv与VCC和RL相比VON不能忽略rD可以忽略与VCC和RL相比VON和rD均可忽略i+-+VCCv14返回三、二极管与门二极管与门的逻辑电平A/V0033B/V0303Y/V0.70.70.73.7D1、D2导通D1导通 D2截止D1截止 D2导通D1、 D2导通1. 电路组成及工作原理最简单的与门可以由二极管和电阻组成。图中A、B为两个输入变量，Y为输出变量。设输入的高、低电平分别为3V、0V，二极管的正向导通压降为0.7V 。Y二极管与门VCC（5V）RD1D2AB下

7、页上页15下页返回上页A0011B0101Y0001二极管与门的真值表如果规定3V以上为高电平，用逻辑1 状态表示，0.7V以下为低电平，用逻辑0状态表示，则可得如下真值表。逻辑函数式2. 真值表这种与门电路虽然简单，但输出的高、低电平数值和输入的高、低电平数值不相等，负载电阻的改变有时会影响输出高电平。仅用作集成电路内部的逻辑单元。ABY逻辑符号仿真16下页返回上页四、二极管或门 A/V0033B/V0303Y/V02.32.32.3二极管或门的逻辑电平D1、D2截止D1截止D2导通 D1导通D2截止D1、 D2导通1. 电路组成及工作原理最简单的或门也是由二极管和电阻组成。图中A、B为两个

8、输入变量，Y为输出变量。设输入的高、低电平分别为3V、0V，二极管的正向导通压降为0.7V 。D1 RD2ABY二极管或门17返回A0011B0101Y0111二极管或门的真值表逻辑函数式2. 真值表如果规定2.3V以上为高电平，用逻辑1 状态表示，0.7V以下为低电平，用逻辑0状态表示，则可得如下真值表。二极管或门同样存在输出电平偏移的问题，也只用于集成电路内部的逻辑单元。ABY逻辑符号下页上页仿真18返回上页课堂练习19第二节 CMOS门电路 CMOS反相器的工作原理 CMOS反相器的静态输入、输出特性 CMOS反相器的动态特性 其他类型的CMOS门电路 MOS管的开关特性CMOS电路的正

9、确使用下页总目录推出20下页返回上页一、MOS管的开关特性 1. MOS管的结构和工作原理SGDBP型衬底(B)N+N+SGD+-+-iD当vGS= 0 时，D-S间不导通， iD= 0 。当vGS vGS(th) (MOS管的开启电压）时，栅极下面的衬底表面形成一个N型反型层。这个反型层构成了D-S间的导电沟道，有 iD流通。21下页返回上页2. MOS管的输入特性和输出特性+-+-vGSvDSiD共源接法vGS=UTiD/mAvDS/VO输出特性曲线共源接法下的输出特性曲线又称为MOS管的漏极特性曲线。表示iD与vGS关系的曲线称为MOS管的转移特性曲线。vGS/ViD/mAO转移特性曲线

10、22下页返回上页可变电阻区恒流区vGS=UTiD/mAvDS/VO输出特性曲线截止区截止区漏极和源极之间没有导电沟道，iD0。漏极特性曲线分为三个工作区。可变电阻区当vGS一定时，iD与vDS之比近似等于一个常数，具有类似于线性电阻的性质。恒流区iD的大小基本上由vGS决定，vDS的变化对iD的影响很小。23下页返回上页3. MOS管的基本开关电路若参数选择合理输入低电平时MOS管截止，输出高电平。输入高电平时MOS管导通，输出低电平。+-+-vIvOiDVDDRD当vI =vGS vGS(th) 并继续升高， VOL 0，D-S间相当于一个闭合的开关。24返回CIGDS截止状态4. MOS管

11、的开关等效电路CI代表栅极的输入电容， CI的数值约为几皮法。RON为MOS管导通状态下的内阻，约在1k以内。下页上页CIGDSRON导通状态25返回二、CMOS反相器的电路结构和工作原理CMOS反相器的电路图当vI = VIL= 0时，输出为高电平VOH VDD 。当vI = VIH= VDD 时，输出为低电平VOL 0。 输入与输出之间为逻辑非的关系。CMOS反相器的静态功耗极小1. 电路结构下页上页26T2的开启电压T1的开启电压阈值电压VTHAB段：T1导通， T2截止，VO = VOH VDD。CD段：T2导通， T1截止，VO = VOL 0。BC段：T1 、T2同时导通，为转折区

12、。2. 电压传输特性下页返回上页VDDVDDOvIvOVGH(th)NVGH(th)PABCDCMOS反相器的电压传输特性27下页返回上页3. 电流传输特性AB段：T2截止漏极电流几乎为0CD段：T1截止漏极电流几乎为0BC段：阈值电压附近电流很大CMOS电路不应长时间工作在BC段。CBADO280IvOVDD=10VVDD=15V适当提高VDD，可提高CMOS反相器的输入噪声容限。4. 输入噪声容限下页返回上页29下页返回上页三、CMOS反相器的静态输入、输出特性1. 输入特性因为MOS管的栅极和衬底之间存在输入电容，绝缘介质又非常薄，极易被击穿，所以必须采取保护措施。CC400系列的输入保

13、护电路C1RSC2输入保护电路C1RSC274HC系列的输入保护电路输入保护电路30下页返回上页74HC系列的输入特性iI -0.7VOVDD+0.7VvI输入特性曲线CC400系列的输入特性iI -0.7VOVDD+0.7VvI31下页返回上页2. 输出特性低电平输出特性当输出为低电平时，工作状态如下图所示。VDD=5V 10V15VIOLVOLOCMOS反相器的低电平输出特性32下页返回上页高电平输出特性当输出为高电平时，工作状态如下图所示。VDD=5V15VIOHVOHOCMOS反相器的高电平输出特性10VVDD33下页返回上页四、 CMOS反相器的动态特性tPHLtPLHOtOtvov

14、I1. 传输延迟时间50%VIH50%VOH一般情况下，tPHL、 tPLH主要是由于负载电容的充放电所产生的，为了缩短传输延迟时间，必须减小负载电容和MOS管的导通电阻。34下页返回上页2.交流噪声容限当噪声电压的作用时间小于或接近于CMOS电路的传输延迟时间时，输入噪声容限将明显提高。传输延迟时间越长，交流噪声容限也越大。35下页返回上页3. 动态功耗定义：当CMOS反相器从一种稳定工作状态,突然转变到另一种稳定状态的过程中，将产生附加的功耗，称之为动态功耗。动态功耗 PD = PT + PC其中PT ：T1和T2在短时间内同时导通所产生的瞬时导通功耗。 PC ：对负载电容充、放电所消耗的

15、功率。36下页返回上页五、其他类型的CMOS门电路在CMOS门电路的系列产品中，除反相器外常用的还有：与非门、或非门、与门、或门、与或非门、异或门等几种。1.其他逻辑功能的CMOS门电路37当A，B两个输入端全为“1”时，T1和T2都导通，T3和T4都截止，输出端为“0”。 当输入端有一个或全为“0”时，T1或T2（或都）截止，T3或T4 （或都）导通 ，输出端Y为“1” 。（1）CMOS与非门电路 下页返回上页CMOS与非门ABT3T4T2T1YVDD缺点：1. 输入端的工作状态不同时影响电压传输特性。 2. 输出的高、低电平受输入端数目的影响。 3. 它的输出电阻受输入状态的影响。38当A

16、，B两个输入端全为“1”或 其中一个为“1”时，输出端为“0”。只有当输入端全为“0”时，输出端才为“1”。 （2）CMOS“或非”门电路 下页返回上页BAVDDT3T4T2T1YCMOS或非门存在和与非门类似的问题。39下页返回上页2.带缓冲级的CMOS门电路电路构成：在门电路的每个输入端、输出端各增设一级反相器，加进的这些反相器具有标准参数，所以称为缓冲器。优点：这些带缓冲级的门电路，其输出电阻和输出的高、低电平以及电压传输特性将不受输入端状态的影响，电压传输特性的转折区也变得更陡。40下页返回上页3. 漏极开路的门电路（OD门）用途：输出缓冲/驱动器；输出电平的变换；满足大功率负载电流的

17、需要；实现线与逻辑。RLVDD2CC40107VDD1ABVSSABY41下页返回上页ABYABRLVDDY2Y1G1G2线与逻辑符号线与连接方法RLVDDG1ABY2G2CDY1Y42下页返回上页4. CMOS传输门和双向模拟开关TG时，传输门导通。时，传输门截止。43下页返回上页利用 CMOS传输门和CMOS反相器可以组合成各种复杂的逻辑电路，如异或门、数据选择器、寄存器、计数器等。TG1TG2用反相器和传输门构成异或门电路44下页返回上页传输门的另一个用途是作模拟开关，用来传输连续变化的模拟电压信号。TGSWSWC=0时开关截止。C=1时开关接通。模拟开关的导通内阻为RTG。45下页返回

18、5. 三态输出的 CMOS门电路时，输出呈现高阻态。时，反相器正常工作。上页三态输出的 CMOS反相器动画46下页返回上页用三态输出反相器接成总线结构总线总线用三态输出反相器实现数据双向传输47下页返回6.改进的 CMOS门电路(1) 高速 CMOS门电路由于在MOS管中存在着一些寄生电容，因而降低了MOS管的开关速度。为了减小这些寄生电容，在高速MOS门电路中从工艺上做了改进。首先尽量减小沟道的长度，缩小整个MOS管的尺寸。其次采用了硅栅自对准技术减小了栅极和漏极、栅极和源极的重叠区，使CGD和CGS的数值减小。上页48下页返回上页用短沟道、硅栅自对准工艺生产的高速CMOS门电路，其平均传输

19、延迟时间小于10ns。高速CMOS门电路的通用系列为54HC/74HC系列。该系列产品使用+5V电源，输出的高、低电平与TTL电路兼容。如54HC/74HC 与54LS/74LS ，只要最后 表示的数字相同，则两种器件的逻辑功能、外形尺寸、引脚排列顺序也完全相同。但两种器件不能简单地互换使用。49下页返回(2) Bi- CMOS电路Bi-CMOS是双极型-CMOS(Bipolar-CMOS)电路的简称。这种门电路的特点是逻辑部分采用CMOS结构，输出极采用双极型三极管。因此，它兼有CMOS电路的低功耗， 和双极型电路低输出内阻的优点。目前Bi-CMOS反相器的传输延迟时间可减小到1ns以下。上

20、页50下页返回六、CMOS电路的正确使用1. 输入电路的静电防护为防止静电电压造成的损坏，应注意以下几点：1）在存储和运输CMOS器件时，不要使用易产生静电高压的化工材料和化纤织物包装，最好采用金属屏蔽层作包装材料。2）组装、调试时，应使电烙铁和其他工具、仪表、工作台台面等良好接地。操作人员的服装和手套等应选用无静电的原料制作。上页3）不用的输入端不应悬空。51下页返回2. 输入电路的过流保护由于输入保护电路中的钳位二极管电流容量有限，所以在可能出现较大输入电流的场合，必须采取以下保护措施：1）输入端接低内阻信号源时，应在输入端与信号源之间串进保护电阻，保证输入保护电路中的二极管导通时电流不超

21、过1mA。2）输入端接有大电容时，应在输入端和电容之间接入保护电阻。上页3）输入端接长线时，应在门电路的输入端接入保护电阻。52返回3. CMOS电路锁定效应的防护锁定效应或称为可控硅效应，是CMOS电路中的一个特有问题。发生锁定效应以后往往会造成器件的永久失效，为防止发生锁定效应，可以采取以下防护措施： 1）在输入端和输出端设置钳位电路。 2）在VDD可能出现瞬时高电压时,在CMOS电路的电源输入端加去耦电路。 3）当系统由几个电源分别供电时，各电源的开关顺序必须合理。下页上页53返回上页课堂练习54第三节 TTL门电路 TTL反相器的电路结构和工作原理 TTL反相器的静态输入、输出特性 T

22、TL反相器的动态特性 其他类型的TTL门电路 TTL门电路的改进系列 半导体三极管的开关特性下页总目录推出55下页返回上页vBE VON 时三极管导通vBE VON 时三极管截止1. 三极管的输入特性vBE+-iBOUBE/ViB/A实际特性理想特性VON一、半导体三极管的开关特性56下页返回上页饱和区：UCE很小深度饱和时在0.3V以下iC/mAOuCE/ViB=80A60402002. 三极管的输出特性放大区截止区：iC几乎为零ICEO通常在1A以下放大区：iC随iB成正比地变化几乎不受vCE变化的影响vce+-icvBE+-iB57下页返回上页若参数选择合理三极管截止时相当于开关断开，输

23、出高电平；三极管导通时相当于开关闭合，输出低电平。3. 三极管的基本开关电路vO+-iCRCRBvI+-VCC动画58下页返回上页4. 三极管的开关等效电路ebc截止状态ebc饱和状态相当于开关断开。相当于开关闭和。59下页返回上页T深度饱和T截止逻辑符号为保证在输入低电平时,三极管可靠截止，接入了电阻R2和负电源VEE。5. 三极管反相器三极管非门（反相器）-VEEVccRC R1 Y（vo）TR2A（vI）AY仿真60下页返回上页 例3.3.1 : 下图所示反相器中，VCC= 5V，VEE = -8V， RC =1k， R1 =3.3k， R2 =10k，三极管的=20， 饱和压降UCES

24、 =0.1V， VIH =5V， VIL =0V， （1）计算输入高、低电平时对应的输出电平； （2）说明电路参数的设计是否合理。-VEEVccRC R1 Y（vo）TR2A（vI）61下页返回上页 解：三极管非门电路的化简vIR1R2beVEE+-RB+-VBbe62下页返回上页当时加在发射结上的是反向电压，三极管截止。RB+-VBbe63返回上页三极管处于深度饱和状态。当时可知电路参数设计合理64下页返回1961年美国得克萨斯仪器公司率先制成了集成电路。集成电路体积小、重量轻、可靠性好，因而在大多数领域里迅速取代了分立元件电路。按照集成度（即每一片硅片中所含元器件数）的高低，二、TTL反相

25、器的电路结构和工作原理上页根据制造工艺的不同，集成电路又分成双极型和单极型两类。TTL电路是目前双极型数字集成电路中用得最多的一种。小规模集成电路（Small Scale Integration,简称SSI）中规模集成电路（Medium Scale Integration,简称MSI）大规模集成电路（Large Scale Integration,简称LSI）超大规模集成电路（Very Large Scale Integration,简称VLSI）集成电路分类65设：电源电压 VCC = 5V输入高电平VIH = 3.4V输入低电平VIL = 0.2V开启电压 VON = 0.7V1.电路结构

26、起保护作用反相器是TTL电路中电路结构最简单的一种。因电路输入端和输出端均为三极管结构，所以称为三极管-三极管逻辑电路，简称TTL电路。下页上页返回TTL反相器的典型电路输入级倒相级输出级66下页返回上页vI = VIL = 0.2V时vB1 = VIL + VON = 0.9VT2、T5截止,T4、D2导通,输出为高电平。工作原理T1工作在深度饱和状态，TTL反相器的典型电路输入级倒相级输出级67下页返回上页vI = VIH = 3.4V时vB1 = VIH + VON = 4.1VT2、T5导通，vB1被钳位在2.1V，T4、D2截止， T5饱和，输出为低电平。输入输出之间是反相关系，即T

27、TL反相器的典型电路输入级倒相级输出级68AB段: 截止区，T2、T5截止，T4导通。BC段：线性区，T2导通、T5截止。CD段：转折区，T2、T5同时导通。DE段: 饱和区, vi 继续升高时 vo 不再变化。VTH称为阈值电压或门槛电压，约1.4V。2. 电压传输特性下页上页返回0ABCDE3.02.01.00.5 1.0 1.5vO/VvI/V仿真69下页上页3.输入躁声容限定义：在保证输出高、低电平基本不变（或者说变化的大小不超过允许限度）的条件下，输入电平的允许波动范围，称为输入噪声容限。返回70下页上页输入为高电平时的噪声容限为：输入为低电平时的噪声容限为：VNHVIH（min）V

28、IL（max）VNLvovi返回VOH（min）VOL（max）0输出1输出0输入1输入vovi71下页上页74系列门电路的标准参数为可得返回72下页上页输入低电平电流为：三、TTL反相器的静态输入、输出特性当时当时T1处于倒置状态1.输入特性返回TTL反相器的输入端等效电路73TTL反相器的输入特性曲线-1.0 -0.5 0.5 1.0 1.5 2.0 0-0.5 -1.0 -1.5 -2.0vI/ViI/mATTL反相器的输入特性下页上页返回TTL反相器的输入端等效电路74拉电流负载受功耗的限制，74系列规定iL不能超过0.4mA。2. 输出特性(1)高电平输出特性-15 -10 -5 0

29、3.02.01.0vOH/ViL/mATTL反相器高电平输出特性下页上页返回R4T4D2VCCR2RLvOiL1.6k130TTL反相器高电平输出等效电路75下页上页（2）低电平输出特性带灌电流负载能力IOL可达16mA。灌电流负载返回TTL反相器低电平输出等效电路TTL反相器低电平输出特性1051.02.0015vOH/V76下页上页例3.3.2 计算门G1最多可驱动多少个同样的门电路负载。G1最多可驱动10个同样的门电路负载，这个数值叫做门电路的扇出系数。解：返回77若RP较小，相当于输入一个低电平信号。若RP较大，相当于输入一个高电平信号。3. 输入端负载特性TTL反相器输入端负载特性2

30、.01.01.02.003.0下页上页返回VCCR1be2be5vIT14kRPTTL反相器输入端经电阻接地时的等效电路78下页上页例3.3.3 为保证门G1输出的高、低电平能正确地传送到门G2的输入端，要求vo1=VOH时vI2VIH(min), vO1=VOL时vI2 VIL(max)，试计算Rp的最大允许值是多少。已知G1 、 G2均为74系列反相器。解：vo1=VOH ，vI2VIH(min)时返回例3.3.3的电路Rp79下页上页vO1=VOL ，Vi2 VIL(max)时应取返回VOLVCCR1be2be5T14kRP80下页上页四、TTL反相器的动态特性返回1. 传输延迟时间在T

31、TL 电路中，由于二极管和三极管从导通变为截止或从截止变为导通都需要一定的时间，且有二极管、三极管以及电阻、连接线等的寄生电容存在，所以把理想的矩形电压信号加到TTL反相器的输入端时，输出电压的波形不仅要比输入信号滞后，而且波形的上升沿和下降沿也将变坏。把输出电压波形滞后于输入电压波形的时间，叫做传输延迟时间。通过实验方法测定传输延迟时间的数值。81下页上页2.交流噪声容限将输出高电平降至2.0V时输入正脉冲的幅度，定义为正脉冲噪声容限。将输出低电平上升至0.8V时输入负脉冲的幅度，定义为负脉冲噪声容限。当输入脉冲的宽度达到微秒数量级时，应将输入信号按直流信号处理。返回82下页上页3. 电源的

32、动态尖峰电流输出由低电平突然转变为高电平的过渡过程中，出现短时间内T4和T5同时导通的状态，有很大的瞬时电流流经T4和T5 ，使电源电流出现尖峰脉冲。返回83下页上页1. 增加了电源的平均电流。 计算系统电源容量时需注意。2. 系统中有许多门电路同时转换工作状态时， 形成一个系统内部的噪声源。 系统设计时应将噪声抑制在允许的限度内。尖峰电流带来的影响：返回84下页上页五、其他类型的TTL门电路（1）与非门1. 其他逻辑功能的门电路返回多发射极三极管可看作两个发射极独立而基极和集电极分别并联在一起的三极管。把两个输入端并联使用时，低电平输入电流和反相器相同。输入接高电平时，输入端分别为两倒置三极

33、管的等效集电极，总的输入电流为单个输入端的高电平输入电流的两倍。TTL与非门电路仿真85下页上页（2）或非门返回TTL或非门电路仿真86下页上页（3）与-或非门返回TTL与-或非门87下页上页（4）异或门返回TTL异或门88推拉式输出电路结构使用时有一定的局限性：a) 不能把它们的输出端并联使用。b) 在采用推拉式输出级的门电路中， 电源一经确定，输出的高电平也就固定了， 因而无法满足对不同输出高低电平的需要。c) 推拉式电路结构也不能满足驱动较大电流、 较高电压的负载的要求。2. 集电极开路的门电路（OC门）下页上页返回89下页上页为克服上述局限性，输出级改为集电极开路的三极管结构。工作时需外接负载电阻和电源返回集电极开路与非门图形符号90下页上页线与OC门输出并联的接法及逻辑图返回91所有OC门同时截止时，输出为高电平。为保证高电平不低于规定的VOH值，RL取值应满足：外接负载电阻RL的计算下页上页返回nm计算OC门负载电阻最大值的工作状态92当OC门中只有一个导通时，负载电流全部都流入那个导通的OC门，RL值不可能太小，以确保流入导通OC门的电流不至超过最大的负载电流ILM 。下页上页返回计算OC门负载电阻最小值的工作状态93下页上页例3.3.4 为电阻RL选定合适的阻值。G1、G2为OC门，IOH