《集成电路工艺原理》试题第10章_第1页
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1、第十章填空题在CMOS工艺制作过程中，一般采用 结构避免热电子问题和短沟道效应。MOS集成电路中的隔离目的是防止形成寄生的 ，即防止场区的寄生 开启。有源器件之间通过生长 实现芯片上不同器件相互之间的电学隔离。提高场效应晶体管阈值电压的方法有两种：一是增加场区 ，二是形成 。答案1 LDD 2 导电沟道，场效应晶体管 3 一层较厚的SiO2层 4 SiO2层的厚度，沟道阻挡层判断题STI是一种全新的MOS集成电路隔离方法，它可以在全平坦化的条件下使鸟嘴区的宽度接近零。（ ）BiMOS工艺就是将双极器件工艺和CMOS器件工艺机械地加在一起。（ ）在进行源漏区的离子注入前，先要生长一个较薄的二氧化

2、硅屏蔽层，原因是为了对源漏区进行隔离。（ ）问答题画一个pnp晶体管管芯的工序流程图并用文字简要说明。画一个npn晶体管管芯的工序流程图并用文字简要说明。画一个pn结隔离工艺的工序流程图并用文字简要说明。画一个双阱工艺制作的工序流程图并用文字简要说明。画出典型CMOS工艺的流程简图。答案1.答：图8分，文字说明6分。第一步：衬底准备，选取轻掺杂的P-Si材料；第二步：初始氧化，生长一层二氧化硅；第三步：形成基区。根据版图进行第一次光刻，刻蚀出基区。注入磷，退火使其扩散形成基区；第四步：形成发射区。基区上生长一层氧化层，进行第二次光刻，刻蚀出发射区。注入硼，退火使其扩散形成发射区；第五步：金属接

3、触和互联。淀积二氧化硅，进行第三次光刻，刻蚀出引线孔，实现电极的引出。引线孔中淀积金属形成欧姆接触和互联引线。随后进行第四次光刻，形成金属互联。2.答：图8分，文字说明6分。第一步：衬底准备，选取轻掺杂的N-Si材料；第二步：初始氧化，生长一层二氧化硅；第三步：形成基区。根据版图进行第一次光刻，刻蚀出基区。注入硼，退火使其扩散形成基区；第四步：形成发射区。基区上生长一层氧化层，进行第二次光刻，刻蚀出发射区。注入磷，退火使其扩散形成发射区；第五步：金属接触和互联。淀积二氧化硅，进行第三次光刻，刻蚀出引线孔，实现电极的引出。引线孔中淀积金属形成欧姆接触和互联引线。随后进行第四次光刻，形成金属互联。3.答：图5分，文字说明5分。PN结隔离工艺流程(1)衬底硅片(P型) (2) 外延生长N型硅 (3)隔离氧化 (4)隔离光刻 (5)隔离扩散4.答：图5分，文字说明7分。工艺流程：1.热氧化，形成缓冲层，减少下一步淀积产生的应力。 2.LPCVDSi3N4；3.第一次光刻可形成n阱（涂胶、压版、显影、坚膜）；4. n阱注入，先注入P+，然后注入As+。5. n阱进行氧化，形成较厚的氧化层作为掩蔽层；6.P阱形成，进行P阱注入，随后进行第二次深B注入；7.退火使杂质推进到所需的深度。5. 典型CMOS工艺的流程简图。

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