太阳能电池生产工艺

1、非晶硅太阳能电池制造工艺内部构造及生产制造工艺流程以下图是以美国 Chronar 公司技术为代表的内联式单结非晶硅电池内部构造示意图：1、内联式单结非晶硅电池内部构造示意图生产制造工艺流程：SnO2 导电玻璃-SnO2 膜切割-清洗-预热-a-SiPIN-冷却-a-Si 切割-掩膜镀铝-测试 12-UV 保护层-封装-成品测试-分类包装以下图是以美国 EPV 公司技术为代表的内联式双结非晶硅电池内部构造示意图：2、内联式双结非晶硅电池内部构造示意图它的生产制造工艺流程为：SnO2 导电玻璃-SnO2 膜切割-清洗-预热-a-Si 沉积PIN/PIN-冷却-a-Si切割-溅射镀铝-Al 切割-测

2、试 1-老化-测试 2-封装-成品测试-分类包装内联式非晶硅电池生产工艺过程介绍：SnO2或 AZO305 mm915 mm3 mm、635 mm1245 mm3 等68/、810/、1012/、1214/、1416/等透过率： 80膜结实、平坦，玻璃 4 个角、8 个棱磨光目的是削减玻璃应力以及防止操作人员受伤红激光刻划 SnO2波长 1064nmSnO2互独立的局部，目的是将整板分为假设干块，作为假设干个单体电池的电极。激光刻划时 SnO2 导电膜朝上也可朝下线距：单结电池一般是 10mm5mm，双结电池一般 20mm刻线要求：2M线宽光斑直经100um500mm/S清洗将刻划好的 SnO

3、2 导电玻璃进展自动清洗，确保 SnO2 导电膜的干净。装基片将清洗干净的 SnO2 透亮导电玻璃装入“沉积夹具”Chronar4305mm915mm3 mm 的基片，每批次炉产出 6424EPV 技术，每个沉积夹具装 48635 mm1245 mm3 mm即每批次炉产出 14848基片预热将 SnO2 导电玻璃装入夹具后推入烘炉进展预热。a-Si根本预热后将其转移入 PECVDPINPIN/PIN沉积。积压力，沉积时间，射频电源放电功率等工艺参数，确保非晶硅薄膜沉积质量。高纯氩Ar、高纯氢H2I 层：硅烷SiH4、高纯氢H2N 层：硅烷SiH4、磷烷PH3、高纯氩Ar、高纯氢H2各种工作气体

4、配比有两种方法：第一种： P 型混合气体， N 型混合气体由国内专业特种气体厂家配制供给。其次种： PECVD 系统在线依据工艺要求调整各种气体流量配制。冷却a-Si绿激光刻划 a-Si依据生产预定的线宽以及与 SnO2波长 532nm金属铝通过与前电极 SnO2相联接，实现整板由假设干个单体电池内部串联而成。激光刻划时 a-Si 膜朝下刻划要求：SnO2100um500mm/S镀铝镀铝的目的是形成电池的背电极，它既是各单体电池的负极，又是各子电池串联的导电通道，它还能反射透过a-Si 膜层的局部光线，以增加太阳能电池对光的吸取。膜层均匀性差，结实度不好，掩膜效果难保证，操作多耗人工，仅适用小

5、面镀铝，更适应大面积镀铝，但设备投资大，运行本钱稍高。每节电池铝膜分隔有 2 种方法：一是掩膜法：仅适用于小面积蒸发镀铝二是绿激光刻划法：既适用于磁控溅射镀铝，也适用于蒸发镀铝。绿激光刻铝掩膜蒸发镀铝，没有该工序对于蒸发镀铝，以及磁控镀铝要依据预定的 线宽以及与 a-Si波长 532nm将铝膜刻划成相互独立的局部，目的是将整个铝膜分成假设干个单体电池的背电极，进而实现 整板假设干个电池的内部串联。激光刻划时铝膜朝下 a-Si100um500mm/SIV通过上述各道工序，非晶硅电池芯板已形成，需进展IV 测试，以获得电池板的各共性能参数，通过对各参数的分析，来推断莫道工序是否消灭问题， 便于提高

6、电池的质量。热老化：将经IV测试合格的电池芯板置于热老化炉内，进展110/12h 热老化，热老化的目的是使铝膜与非晶硅层结合得更加严密，减小串联电阻，消退由于 工作温度高所引起的电性能热衰减现象。非晶硅电池封装工艺域，场合和具体要求而确定。不同的封装方法，其封装材料、制造工艺是不同的，相应的制造本钱和售价也不同。下面介绍目前几种封装方法：1、电池/UV适用：电池芯板储存制造工艺流程：电池芯板覆涂 UV 胶紫外光固分类储存2、电池/PVC如风帽、收音机、草坪灯、庭院灯、工艺品、水泵、充电器、小型电源等制造工艺流程：电池芯板贴 PVC法等3、组件封装电池/PVC几十瓦以下等制造工艺流程：贴 PVC

7、装边框电池四周加套防震橡胶装插座检测包装性差。电池/EVA/PET或 TPT适用：一般太阳能应用产品，如应急灯，户用发电系统等制造工艺流程：电 池芯板或芯板切割边缘处理焊涂锡带检测 EVA/PET 层压检测边框四周注电子硅胶装接线盒或装插头连接线夹检测包装该方法制造的组件特点：防水性、防腐性、牢靠性好，本钱高。电池/EVA/适用：发电系统等制造工艺流程：电池芯板电池四周喷砂或激光处理 10mm超声焊接检测层压电池/EVA/装边框或不装框装接线盒连接线夹检测包装该方法制造的组件特点：防水性、防腐性、牢靠性好，本钱高。/EVA/EVA/适用：光伏发电站等制造工艺流程：电池芯板电池四周喷砂或激光处理

8、 10mm超声焊接检测层压钢化玻璃/EVA/ 电池/EVA/ 经钻孔的一般玻璃装边框或不装框装接线盒连接线夹检测包装水汽渗入、耐腐蚀、不漏电等优点，但造价高。碲化镉薄膜太阳能电池碲化镉薄膜太阳能电池简称 pCdTenCd的异质结为根底的薄膜太阳能电池。碲化镉薄膜太阳能电池生产工艺流程图成都中光电阿波罗太阳能碲化镉薄膜太阳能电池的优点抱负的禁带宽度高光吸取率CdTe 的吸取系数在可见光范围高达 104cm-195%的光子可在 1m厚的吸取层内被吸取。高碲化镉薄膜太阳能电池的理论光电转换效率约为28%。电池性能稳定一般的碲化镉薄膜太阳能电池的设计使用时间为电池构造简洁碲化镉薄膜太阳能电池的构造碲化

9、镉薄膜太阳能电池是在玻璃或是其它柔性衬底上依次沉积多层薄膜而构成的光伏器件。一般标准的碲化镉薄膜太阳能电池由五层构造组成:玻璃衬底主要对电池起支架、防止污染和入射太阳光的作用。CdSn 型半导体，与 pCdTep-nnCdSp-n个电池最核心的局部。背接触层和背电极为了降低 CdTe和金属电极的接触势垒，引出电流，使金属电极与形成欧姆接触。国外碲化镉薄膜太阳能电池产业状况及趋势碲化镉薄膜太阳能电池是薄膜太阳电池中进展较快的一种光伏器件。美 国南佛罗里达大学于 19931cm2 面积上做出转换效率为 15.8%的太阳电池；随后，日本 Matsushita Battery 争辩的 CdTe室里的最

10、高转换效率为 16%，成为当时碲化镉薄膜太阳能电池的最高纪录。近年来,太阳电池的争辩方向是高转换效率、低本钱和高稳定性。因此以碲化镉薄膜太阳能电池为代表的薄膜太阳电池倍受关注，很多组织和公司都开头了争辩和测试。西门子开发的面积为 3600cm2的碲化镉薄膜太阳能电池转换效率到达 11.1%的水平；美国国家可再生能源试验室公布了Cells公司的面积为 6879cm2 的碲化镉薄膜太阳能电池的测试结果，其转换效率到达7.7%；BpSolar的碲化镉薄膜太阳能电池面积为 4540cm2，转换效率为8.4%，面积为706cm2，转换效率到达 10.1%；Goldan Photon 的碲化镉薄膜太阳能电

11、池，面积为 3528cm2，转换效率为 7.7%。具体状况见下表:小面积单体电池争辩机面积/cm2开路电压/V转换效率/%构Matsushita1.0/16USF0.9280.84515.8SCI0.270.83913.3CSM0.100.77812.9NREL0.690.82312.8面积/cm2功率/W转换效率/%构BP Solar454038.28.4SCI6728619.1GP352827.27.7Matsushita1200108.7人们认为，碲化镉薄膜太阳能电池是太阳能电池中最简洁制造的,因而它向商品化进展最快。 提高效率就是 ,适当减薄窗口层 CdS 的厚度，可削减微晶硅薄膜太阳

12、能电池微晶硅薄膜太阳能电池生产工艺:磁控溅射制备微晶硅薄膜目前在工业上广泛承受的 CVD技术制备硅膜，工艺和设备简单，本钱高，且在安全和环保环节上投入巨大。我们在国内首创出了微晶硅薄膜的PVD法沉积工艺，在温度低于 300 度的条件下，在单晶硅片和一般玻璃片上制备出不同结晶度的微晶硅薄膜和纳米构造硅薄膜，可以得到具有高度取向生长的微晶硅薄膜，并实现了把握工艺的稳定性和可重复性。利用磁控技术的缺点，具有绿色、高效、简洁等优点。产品主要技术指标：制备优良的绒面正面电极， i层微晶硅薄膜晶化率在 40%70%之间，光电导率102103-1cm-1，通过材料、构造、生长技术的优化设计最终使小面积电池样

13、品的初始光电转换效率 10%，大面积电池样品的初始光电转换效率8%,光效衰退率6%。主要技术参数：1、重量：2500kg2 、发动机功率：85hp3、切削滚筒切削长度： 566mm418mm4508mm318m51200380mm1016mm8、进料类型：输送带带宽 460mm，输送速度 214m/minCIGS铜铟镓硒太阳能电池板的制造Cu/GaInInXRDCu11In9。“溅射金属预制层再硒化、硫化”所生产的 CIGS 薄膜太阳电池是目前世界上技术最先进、工业化生产最成熟的其次代光伏产品。CIGS率高本钱的晶体硅太阳电池和低效率低本钱的非晶硅太阳电池相比，CIGS条款的适合中国国情的可再生能源技术，具有宽阔的进展前景。铜铟镓硒太阳能薄膜电池的构